6153万152%交出最好业绩,射频芯片氮化镓未来市场大动力

6153万152%交出最好业绩,射频芯片氮化镓未来市场大动力,第1张

作者/金亿 财经 课堂

各位朋友大家好,感谢阅读本期文章。

芯片产业是未来十年甚至二十年具有确定性的行业,但是纵观整个芯片产业链覆盖极广,从芯片设计,到芯片制造,封装测试到整机厂商等大的领域,如果从细分来看,又是遍布N多产业链,从上游原材料硅晶圆,光刻胶,光掩膜板到特种气体,CMP抛光材料,湿电子化学品,靶材,晶圆封装材料,上游生产设备单晶炉,氧化炉,PVD,光刻机,检测设备等等涵盖的细分领域,到处都芯片概念,鱼龙混杂,有时候还真的搞不清楚。

如何弄清楚全产业链,只有一个办法,就是去深入的了解整个产业链,为了解决这个问题,笔者准备花费相当长的一段时间,准备把这些产业链的公司,一家一家全部的深入的去了解,如果你想搞清楚每一家公司,那么就跟我一起来学习吧。

富满电子的主要业务就是电源的管理芯片,LED控制驱动芯片,MOSDET,射频前端芯片我们可以把它归类于高性能混合集成电路。

电源管理芯片:被业内称为PMIC,是在多路转换器的基础上,进行了智能管理,是一种高精度的管理功能器件,主要的功能就是可以在电子设备种实现电的变换,分配的管理功能,是电子设备的核心器件。

LED驱动控制芯片:就是我们常见的LED灯里面的控制芯片,虽然不是很高大上,但是也是LED器件中的核心部件,这个控制芯片可以让LED自由的调节,是LED的核心。

MESFET芯片:我们前期讲过,这就是一种半导体的分立器件,它的应用是非常的广泛,也是目前市场规模最大的功率半导体器件。

射频前端芯片:这个就比较牛了,射频芯片就是可以把无线信号转换成无线电信号通过天线发送的电子元件,这个就是我们经常所讲的通讯基站中使用的芯片,包括功率放大器,滤波器等。

通过了解公司的主营构成,就可以大概搞明白这个公司是一家什么企业,以后在选择的时候就做到了心中有数。

关于生产模式,这里需要重点说明一下,富满的模式与IDM和其他的Fabless还不一样,它是将设计好的这些芯片产品交给晶圆厂进行代工生产,然后把代工的产品并不是去找封装厂商进行,它是把产品拿回来自己进行封装测试,这就说明公司具有自己的封装测试技术并不是单纯的设计企业。

从市场规模来看,电源管理芯片的市场空间是非常广阔,根据数据显示十年后全球电源芯片的市场规模有望突破565亿美元,我国占据全球份额的17.2%,在该领域,公司作为国内具有规模化的电源芯片厂商,未来发展空间非常广阔,并且公司的控制器产品线开始产生营收并且对公司毛利的提升做出了很大贡献,未来也是业绩的增长点。

LED驱动芯片,LED未来将是一个快速增长的行业,我们可以看看自己身边用的 ,LED产品将会越来越多,不仅节能,而且还亮,公司在小间距LED领域自主研发了领先的芯片。

射频前端芯片,这个是笔者比较看好的业务之一,大家都知道,未来随着5G的逐步展开,空间是多大,这里需要重点说明的是,目前5G射频芯片依然是高通那些公司垄断,这也是为什么美国频繁制裁华为的原因,富满在该领域已经具备了研发实力,并且已经拥有了3G/4G/5G射频开关的成熟产品。

首先从这个行业来说算不上壁垒很高的公司,但是作为上市公司,每家企业都有自己的竞争力,富满的优势在于自己本身并不是只有设计能力,而公司自己具备封装测试的能力,并且拥有自己知识产权,与其他纯代工的厂家来看,在成本和质量方面具有很大优势。

并且提前进行了射频芯片的产业布局其中开关、滤波器、WiFiPA等系列产品,未来有望成为公司业绩新的增长点。持续的研发投入2157.82万元,占到了营收了8.6%可以在未来产品更新迭代中占据领先地位,持续开发新产品为未来业绩增加动力。

并且在三代半导体氮化镓快充领域公司也有可搭配氮化镓的主控芯片,并且与知名手机厂商合作开发了氮化镓的充电器。

从营收规模来看,最近几年也是获得了非常稳定的增长,2013年收入2.03亿至2019年5.98亿也是实现了较大幅度增长,净利润方面2013年2525万至2017年5883万实现了高速增长,2018-2019年净利润出现小幅下滑至3685万。

进入2020年业绩增速明显提升,1-9月收入5.1亿同比增长23.1%,净利润6152.6万同比增长152.7%。毛利率上升至25.5%提升3.7%,净利润11.8%提升6.1%,净资产收益率6.2%提升2.0%。从资产负债率来看稍高于同行的26.1%,公司为37.9%。

从三季度来看,公司业绩增速还是比较快的,收入2.62亿增长23.08%,净利润3702.75%,同比增长152.67%。从三季度毛利率来看25.5%虽然有所提升,但是从行业来看还处于行业中下水平。

从股东户数来看,出现了连续三期的下滑,说明市场筹码正在进一步的集中,前十大股东持股占比高达55.33%,目前市值73.85亿,可以计算得出实际流通筹码非常有限。

笔者认为对未来业绩有增长动力的还是射频芯片以及LED芯片,从前三季度的业绩可以看出,交出了上市以来最好的成绩单。

并且公司是实际生产和拥有当下最流行的快充氮化镓充电器的产品,在当下三代半导体概念炒作的迎合下,对公司也有着积极的影响。

行业主要上市企业:目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、士兰微(600460)、闻泰科技(600745)、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)等。

本文核心数据:第三代半导体分类、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频市场规模

行业概况

1、定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第三代半导体材料,目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比,第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件,因此,其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频,以及更强的抗辐射能力等诸多优势,在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO),其中,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”,是第三代半导体材料的典型代表。

2、产业链剖析:产业链涉及多个环节

第三代半导体产业链分为上游原材料供应,中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。上游原材料包括衬底和外延片中游包括第三代版奥体设计、晶圆制造和封装测试下游为第三代半导体器件应用,包括微波射频器件、电力电子器件和光电子器件等。中国第三代半导体行业产业链如下:

第三代产业链各个环节国内均有企业涉足。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳、维微科技、科恒晶体、镓铝光电等等从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等从事第三代半导体器件的厂商较多,包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。

行业发展历程:兴起的时间较短

中国第三代半导体兴起的时间较短,2013年,科技部863计划首次阿静第三代半导体产业列为国战战略发展产业。

2016年,为第三代半导体发展元年,国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点,国内企业扩大第三半导体研发项目投资,行业进入快速发展期。

2018年1月,中车时代电气建成国内第一条6 英寸碳化硅生产线2018年,泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线2019年9月,三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延芯片产线并投入量产。在2020年7月,华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

2020年9月,第三代半导体写入“十四五”规划,行业被推向风口。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展,第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时,中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下,我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元,较2019年同比增长69.5%。

其中,SiC、GaN电子电力产值规模达44.7亿元,同比增长54%GaN微波射频产值达到60.8亿元,同比增长80.3%。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底,我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年,SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年,SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年,GaN-on-Si器件/模块折算 6 英寸产能约为22万片/年。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展,我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求,目前有超过八成产品依赖进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模接近50亿元

2017-2020年,中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长,2020年,SiC、GaN电力电子器件应用市场规模为46.8亿元,同比增长90%。

2020年,我国半导体分立器件的市场规模约3002.6亿元,SiC、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1.56%。

目前,GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场,第三代半导体器件在新能源汽车充电桩领域的渗透快于整车市场,占比达38%消费类电源(PFC)占22%光伏逆变器占了15%工业及商业电源、不间断电源UPS、快充电源、工业电机分别占6%、3%、3%、1%。

2020年,我国GaN微波射频器件市场规模约为66.1亿元,同比增长57.2%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元,成为GaN射频主要拉动因素。

国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域,2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53%其次是无线基础设施,下游市场占比为36%。

行业竞争格局

1、区域竞争格局:江苏省第三代半导体代表性企业分布最多

当前,我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。

从我国第三代半导体行业产业链企业区域分布来看,第三代半导体行业产业链企业在全国绝大多数省份均有分布。其中河南省第三代半导体企业数量分布最多,同时山东、江苏和甘肃等省份企业数量也相对集中。

从代表性企业分布情况来看,江苏省第三代半导体代表性企业分布最多,如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。

2、企业竞争格局:主流企业加速扩张布局

经过初期的发展,第三代半导体迅速在新能源汽车、5G基站、PD快充等领域应用,市场规模增长迅速。同时,行业内的竞争也逐渐加剧。为了迎合市场需求,抢占市场地位,国内主流半导体企业均加强在第三代半导体产业的布局,扩充第三代半导体的产能。其中,代表性的主流企业有三安光电、中电科55所、泰科天润等。

行业发展前景及趋势预测

1、2025年行业规模有望超过500亿元

第三代半导体已经写入“十四五”规划。在国家政策的支持和下游需求增长的背景下,预计到2021-2025年,我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2025年的近300亿元GaN微波射频器件市场规模将以25.4%的年均复合增长率增长至2025年的205亿元。2025年第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。

2、国产化进程将加速

未来,在市场竞争趋势方面,我国第三代半导体行业国产化率将会加深在细分产品发展趋势方面,SiC需求将会增长在技术发展趋势方面,大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。


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