全球十大芯片公司排名

1、英特尔

英特尔公司成立于1968年，是半导体行业和计算创新领域的全球领先厂商。英特尔公司是世界上最大的半导体芯片制造厂商，它拥有了几十年的生产历史，从英特尔推出全球第一个处理器之后，就对我们的生活作出了重大的改变，同时也引发了之后的信息技术革命。

2、高通

高通成立于1985年美国，是较大的无生产线半导体生产商、无线芯片组及软件技术供应商，是目前5G研发、商用与实现规模化的推动力量之一，致力于发明突破性基础科技，变革了世界连接、计算和沟通的方式。高通芯片事物gpu性能强，在游戏过程中很占优势。兼容性好，是移动cpu里兼容性最好的。

3、英伟达

英伟达始创于1993年美国，是全球知名的电脑显卡供应商，也是较早推出图形处理器技术。Nvidia的芯片架构能够在通用性和效率之间实现一个很好的平衡，而在这个基础上，一套易用且能充分调动芯片架构潜力的软件生态则会让Nvidia在机器学习模型社区拥有巨大的影响力。

4、联发科技

联发科技是台湾上市公司，始创于1997年，是一家专注于创造横跨信息科技、消费电子及无线通信领域的IC解决方案的现代化企业，目前已经是全球第四大半导体公司，旗下研发的芯片一年会驱动超过15亿台智能终端设备。

5、海思

海思是华为技术公司旗下的从1991年就开始专注于制造消费电子、通信等领域的光网络芯的企业，海思芯片虽然大多数自用，但仅是华为手机的销量，已经让海思曾经在国内手机芯片市场超过高通，还曾进入了全球半导体前十大供应商，可见海思实力有多强。

6、博通

博通是全球基础架构技术供应商，创立于1991年美国，专注于提供半导体和基础设施软件解决方案，拥有产品组合多样性、良好的执行力与运营、工程深度等多种优势。 博通的ETC芯片的占市场份额七成，但ETC占博通收入只有可怜的10%左右，ETC芯片在博通集成公司收入占比可以说微不足道，忽略不计的。 

7、AMD

AMD创立于1969年美国硅谷，在2006年时收购了芯片巨头ATI公司，是一家专注于微处理器设计和制造的大型跨国公司，从成立以来，去多诸多突破性的行业创新，公司始终处于半导体产品领域的前沿。

8、TI德州仪器

TI始于1930年的美国，总部位于得克萨斯州的达拉斯，以开发制造半导体和计算机技术而闻名于世，75年来TI公司卓有成效地推动着社会发展。从默默无闻地开发德州油田到在全球市场占据领先地位，TI 在其员工理念的指引下逐步发展壮大。

9、ST意法半导体

ST意法半导体是意大利的SG微电子公司与法国Thomson半导体公司合并而成的，成立于1988年，是目前世界较大的半导体公司，旗下不仅有知识产权含量高的专用产品，还有多领域的创新产品，如安全性智能卡芯片、高性能微控制器等。

10、NXP

NXP源自于荷兰，前身是飞利浦旗下的分支公司，是全球性汽车半导体品牌，全球前十大半导体公司，总部位于荷兰Eindhoven。nxp电源管理芯片可以开发新的工艺、封装和电路设计技术，也将出现性能更好的设备，进步功率密度，延伸电池寿命，减少电磁干扰，增强电源和信号完整性，进步体系安全性，让国际各地的工程师可以立异国际。

以上内容参考：百度百科-英特尔、百度百科-高通、百度百科-NVIDIA、百度百科-联发科、百度百科-深圳市海思半导体有限公司、百度百科-broadcom、百度百科-AMD、百度百科-TI、百度百科-意法半导体、百度百科-恩智浦半导体公司

顾名思义：导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，单还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

[编辑本段]半导体定义

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。

半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体（东北方言）：意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。

本征半导体

不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

[编辑本段]半导体特点

半导体三大特性∶搀杂性、热敏性和光敏性。

★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。

自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。

空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。

电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。

空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。

本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。

载流子：运载电荷的粒子称为载流子。

导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。

本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。

本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。

复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。

动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。

载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。

结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。

杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。

少数载流子：N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。

施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。

N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

多子：P型半导体中，多子为电子。

少子：P型半导体中，少子为空穴。

受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。

P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。

结论：

多子的浓度决定于杂质浓度。

少子的浓度决定于温度。

PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。

PN结的特点：具有单向导电性。

扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。

空间电荷区：扩散到P区的自由电子与空穴复合，而扩散到N区的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，它们是不能移动，称为空间电荷区。

电场形成：空间电荷区形成内电场。

空间电荷加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，阻止扩散运动的进行。

漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动称漂移运动。

PN结的形成过程：如图所示，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。

1.英特尔

2.高通 3.英伟达

4.联发科技

5.海思

6.博通

7.AMD

8.TI德州仪器

9.ST意法半导体

10.NXP

以下为详情介绍：

1.英特尔，成立于1968年，是半导体行业和计算创新领域的全球领先厂商，是美国三大芯片巨头之一，风靡全球的芯片供应商，英特尔现在正转型为一家以数据为中心的公司，为推动人工智能、5G、智能边缘等转折行技术的创新和突破做出相关贡献。

2.高通，成立于1985年美国，是较大的无生产线半导体生产商、无线芯片组及软件技术供应商，是目前5G研发、商用与实现规模化的推动力量之一，致力于发明突破性基础科技，变革了世界连接、计算和沟通的方式。

3.英伟达，始创于1993年美国，是全球知名的电脑显卡供应商，也是较早推出图形处理器技术，专注于以设计智能芯片组为主3D眼镜为辅的科技型企业，目前公司已经持有了1100多项美国专利，涵盖了关乎现代计算根本的诸多设计和深刻见解。

4.联发科技，台湾上市公司，始创于1997年，是一家专注于创造横跨信息科技、消费电子及无线通信领域的IC解决方案的现代化企业，目前已经是全球第四大半导体公司，旗下研发的芯片一年会驱动超过15亿台智能终端设备。

5.海思，华为技术公司旗下的从1991年就开始专注于制造消费电子、通信等领域的光网络芯的企业，前身为华为集成电路设计中心，2004年正式成立实体公司，致力于为各行各业的用户提供泛智能终端芯片解决方案。

6.博通，全球基础架构技术供应商，创立于1991年美国，专注于提供半导体和基础设施软件解决方案，拥有产品组合多样性、良好的执行力与运营、工程深度等多种优势，可以提供类别领先的半导体和基础设施软件解决方案。

7.AMD，创立于1969年美国硅谷，在2006年时收购了芯片巨头ATI公司，是一家专注于微处理器设计和制造的大型跨国公司，从成立以来，去多诸多突破性的行业创新，公司始终处于半导体产品领域的前沿。

8.TI德州仪器，TI始于1930年的美国，总部位于得克萨斯州的达拉斯，以开发制造半导体和计算机技术而闻名于世，是世界较大的模拟电路技术部件制造商，全球知名半导体跨国公司，在全球25个国家都设有制造、设计机构。

9.ST意法半导体，意大利的SG微电子公司与法国Thomson半导体公司合并而成的，成立于1988年，是目前世界较大的半导体公司，旗下不仅有知识产权含量高的专用产品，还有多领域的创新产品，如安全性智能卡芯片、高性能微控制器等。

10.NXP，源自于荷兰，前身是飞利浦旗下的分支公司，是全球性汽车半导体品牌，全球前十大半导体公司，总部位于荷兰Eindhoven，目前在全球20多个国家与地区拥有三万七千名员工，是半导体Secure连结解决方案供应商

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