约翰·巴丁的人物经历

巴丁是在同一学术领域（物理学）中获得两次诺贝尔奖金的第一位科学家。就这一事实本身，人们不难看出巴丁在科学的道路上是何等的勇于进取，和善于发挥集体的力量。在1972年他接受诺贝尔奖金时，基金会成员赞扬他们说：“……珠穆朗玛峰只有一小部分热心攀登者才能到达。巴丁、库珀、斯里弗三位在前人的基础上，终于成功地到达了这一顶峰……你们作为一支队伍，坚韧不拔，协力攻关……现在来自山顶上的那无限美好的景色终于展现在你们的眼前。”

1908年5月23日，巴丁出生于美国咸斯康星州的麦迪逊。1924年，进威斯康星大学攻读电气工程，1928年毕业，获学士学位，1929年获硕士学位后，去古尔夫研究实验室，研究地球物理学三年。在进取心的驱使下，他又去新泽西州普林斯顿大学做研究生，钻研数学和物理学。在那里，尤金·魏格纳（Eu9enewi9ne r）把他领入了固体物理学的大门，正是在这个领域里，巴丁先后两次获得诺贝尔物理学奖金。

1936年，巴丁在普林斯顿大学获哲学博士学位。1936—1938年间，在哈佛大学任教两年。1938—1941年问，在明尼苏达大学任助理教授三年。1941—1945年间，在华盛顿哥伦比亚特区的海军军械实验室工作。1945—1951年间，巴丁去纽约市R尔电话实验室，参加一个新成立的固体物理学研究小组。在那里，他和肖克利及布拉坦一起在1947年发现晶体二孤百双应。这项研究工作使他们三人获得1956年诺贝尔物理学奖金。

U51年以后，巴丁任伊利诺斯大学的物理学教授兼电气工程教授，退休后担任该校的名誉教授。在伊利诺斯大学，巴丁帮助制订了超导性和半导体的研究规划，后期的研究兴趣主要集中在低温物理学的理论方面，包括对超流体氦B的研究。1959—1962年间，任美国总统科学咨询委员会委员。1960年以后，任罗彻斯特静电复印公司的经理。他是美国国立科学院院士，美国科学促进协会、物理学会和哲学学会的会员，并曾担任过美国物理学会的主席。

由于工业上各种电子管如二极管、三极管、四极管和五极管的制造技术不断发展，在物理学中便产生了一个新的学科，叫做电子学。借助于各种电子管和适当的电路，很容易实现整流、小信号的放大和产生各种频率的无衰减的电振荡。在电子管中，在不同电极间电的输运是靠真空中的自由电子完成的。但在固体物质中，电荷的输运要复杂得多。纯金属都有很好的导电性，电荷输运是靠金属中的自由电子完成的。在半导体中，例如掺微量杂质砷（或钢）之类的N型或P型）半导体，电流是靠电子（或空穴）来传导的。后来又发现半导体在某些条件下具有很好的整流作用。对半导体现象进一步研究的结果开拓了物理学的又一重要领域，即固体物理学。由于这门学科具有明显的实用价值，所以从四十年代开始，许多工业部门和研究部门对它进行了多方面的深入研究。第二次世界大战末期，美国物理学家肖克利和布拉坦已经开始研究半导体材料及其在电子技术中应用的可能性问题。1945年，巴丁很快参加了这项工作，并在其中起了很大的作用。他提出一个关于电子行为性质的假设，指明了达到理想固体器件的途径。他们三人组成的研究小组在巴丁的这个假设下发现，与电极接触的特定排列的半导体层，如PNP或NPN排列，不但能起整流作用，而且还可以放大电流或电压。这样，他们三人终于在1947年末发明了一种半导体器件，用来代替笨重易碎且效率很低的真空管。他们将这种器件定名为“Transferre sistor9，后来缩写为“TranslstorV，中译名就是晶体三极管。晶体管的三个电极分别称为发射极、基极和集电极，在外加直流电压的作用下，发射极发射载流子（电子或空穴），这些载流子很小一部分流入基圾，绝大部分流入集电极。如果用微弱的外加信号控制基极电流，那么小的基极电流变化会引起大的案电极电流的变化，这就是晶体三极管的放大作用。晶体管比普通电子管具有一些明显的优点，例如功耗低、尺寸小、寿命长等。晶体管的出现引起了电子技术的一场大革命，出现了晶体管收音机、晶体管电视机和微型电子计算机等。这场革命一直延续到现在，从分立晶体管发展到集成电路，从小规模集成电路发展到中规模、大规模和目前的超大规模集成电路。

后来，巴丁又与库珀和斯里弗密切合作，在1957年提出BCS理论，成功地解释了几十年来许多科学家，其中至少包括五位诺贝尔物理学奖金获得者没能解释的超导现象。Bcs是他们三人的姓Bardeen、Cooper和Schrieffer的字首缩写，而BCS理论就是巴丁—库珀—斯里弗理论。他们三人堪称科学史上老年科学家与青年科学家相结合的典范。19U年，荷兰人卡默林·昂尼斯（H．Kame rlingh onne s）发现超导性，某些金属在低于15开的低温下呈现一种新的性质，一旦在其中引起电流，这电流就会无休止地维持下去。超导性的理论解释十分重要，以致许多杰出的理论家都对它进行探索，这些理论家包括玻尔（N．Bohr）、海森堡（W．K．Heis enberg）、伦敦（F．London）、布洛赫（F．BIoch）、兰道（L．D．Landau）和费曼（比P．Feynman）等人在内，他们大都是诺贝尔物理学奖金的获得者。

大约在1950年，美国标难局的E．麦克斯韦（E．Maxwell）和拉特格斯大学的塞林(B．serin）领导下的一个小组分别独立发现，某一金属出现超导性时的温度是与这个金属的原子量成反比例的。塞林打电话给巴丁，把这个发现告诉他，巴丁一听到这个消息，立即想到必需把电子—声子相互作用包会水沟．4b就县． L4门舰男老点金属品格中构旧子对待虽由子的效应。但是，这些早期的尝试未能成功地解释超导性。

1956年，年仅二十六岁的伊利诺斯大学的副研究员库珀指出，金属中具有费米能级附近能量的两个电子，彼此松散地吸引对方，会形成一种共振态，叫做一个“库珀对”。下一年，巴丁和当时还是研究生的斯里弗把库珀的想法应用于多个电子，指出所有传导电子如何可以形成一种新的合作状态。按照这个模型，在金属中正常移动的自由电子是成对稻合的，并同金属品格相互作用。这些电子对具有共同的动量，它们并不随意地受个别电子随机散射的影响，所以，有效电阻是零。自从量子理论发展以来，BCS理论被称为是对理论物理学的最重要贡献之一。由于BCS理论的指导，超导体已可以在稍高的温度下形成，制成了这样的超导合金。因此，对超导性的神话般的研究已导致种种实用成果，如超导磁铁、超导体电子计算机，功率传输线等。美国IBM公司集中了很大力量，已使超导计算机得到了很大发展。

巴丁教授在二十多年前就提出了量子尺寸效应，这问题近年在美国和国际上颇受重视。他还提出利用量子尺寸效应的原理研究制造所谓的GaAs—0aAlAs多层量子5ff异质结激光器。虽然伦敦曾把超导体看作“微观尺度上的量子结构”，却是约瑟夫逊（B．Josephson）利用BCS理论来预言微观现象，并制成约瑟夫逊结。约瑟夫逊效应制成的灵敏器件可以测量电流、电压和磁场等。BCS理论的建立引起了大量更加深入的探索，由于这一贡献，三人于1972年共同获得诺贝尔物理学奖金。1980年5月，巴丁应中华人民共和国教育部和北京大学校长周培源的邀请来中国讲学。在北京大学讲学期间，作了有关“超导问题的发展和近况”、“超导计算机发展近况”以及“量子阶异质结激光器”等方面的报告。巴丁特别提到超导应用目前有大功率（兆瓦）和小功率（微瓦）两个方面，前一方面主要是超导磁体的各种应用，近年的发展比人们预期的慢；后者是超导性用于电子器件，发展比人们预期的快。

1951年，巴丁由于和肖克利不合，离开贝尔实验室，到伊利诺伊大学香槟分校任教。1950年代早期，巴丁就已经开始考虑超导电性的问题。他意识到电子与声子的相互作用是解决问题的关键。1953年，施里弗来到伊利诺伊大学，在巴丁的指导下攻读物理学博士学位，并选择超导问题作为博士论文题目。在普林斯顿高等研究院的杨振宁推荐下，刚从哥伦比亚大学获得博士学位不久的库柏开始与巴丁和施里弗进行合作。1957年，巴丁和库珀、施里弗共同创立了BCS理论，对超导电性做出了合理的解释。他们三人也因此获得1972年诺贝尔物理学奖。巴丁也成为第一位，也是目前为止唯一一位两次获得诺贝尔物理学奖的人。

巴丁1938年与麦克斯韦结婚，婚后育有两子一女。业余时间巴丁喜欢旅游和打高尔夫球。

1、詹天佑为国不计名与利：近代科学先驱、著名工程师詹天佑，在国内一无资本、二无技术、三无人才的艰难局面面前，满怀爱国热情，受命修建京张铁路。他以忘我的吃苦精神，走遍了北京至张家口之间的山山岭岭，只用了500万元、4年时间就修成了外国人计划需资900万元、需时7年才能修完的京张铁路。前来参观的外国专家无不震惊和赞叹。当时，美国有所大学为表彰詹天佑的成就，决定授予他工科博士学位，并请他参加仪式。可是，詹天佑正担负着另一条铁路的设计任务，因而毅然谢绝了邀请。他这种为国家不为个人功名的精神，赢得了国内外的称赞。

2、华罗庚毅然回国：大数学家华罗庚，在“七·七”事变后，从生活待遇优厚的英国回到抗日烽火到处燃烧的祖国，不为金钱和学位，回国后积极参加抗日救国运动。1950年，他已经成为国际知名的第一流数学家，并被美国伊里诺大学聘为终身教授，但他毅然带领全家回到刚解放的祖国。

3、郑成功收复台湾：早在1624年，荷兰殖民主义就派兵侵占了我国领土台湾，实行了极端野蛮残酷的统治，台湾人民英勇地同侵略者进行斗争。1661年，在东南沿海领导抗清斗争的郑成功，率领战船350多艘，将士25000多人，包围了台湾，经过9个月的激战，荷兰总督被迫签订投降书，带领残兵败将，灰溜溜地滚出台湾。台湾又回到祖国怀抱。

4、爱国英雄杨靖宇：杨靖宇21岁参加革命，1940初，他被日军围困，身负重伤，啃不动树皮，只能将棉衣里的棉花和着冰雪吞下去充饥。日军劝降不成，便放乱q，年仅35岁的杨靖宇壮烈牺牲。残忍的日军剖开他的遗体，当看到他的胃里只有野草和棉絮时，这些被杨靖宇带领的抗日联军弄得焦头烂额的侵略者全呆住了。在冰天雪地的长白山密林中，支撑着杨靖宇与敌人战斗的力量是对祖国的一腔热爱之情。

5、华罗庚回国：1950年，数学家华罗庚放弃在美国的终身教授职务，奔向祖国。归途中，他写了一封致留美学生的公开信，其中说：“为了抉择真理，我们应当回去；为了国家民族，我们应当回去；为了为人民服务，我们应当回去；就是为了个人出路，也应当早日回去，建立我们工作的基础，为我们伟大祖国的建设和发展而奋斗。”回国后，华罗庚进行应用数学的研究，足迹遍布全国23个省、市、自治区，用数学解决了大量生产中的实际问题，被称为“人民的数学家”。

王守武是我国著名的半导体器件物理学家、微电子学家。1980年当选中国科学院学部委员（院士）。我国第一个半导体研究室、半导体器件工厂、半导体研究所和全国半导体测试中心的创建者。

王守武于1919年3月15日出生于江苏省苏州市。孩童时代常被疟疾纠缠，身体状况不好，智力曾一度受到影响。上学后，经常性的病休，持续不断的自学磨练，使王守武从小就养成了寡言、内向的性格，和善于独立思考的习惯。在他4岁时，父亲赴上海与他人合股开办机械厂，家人也随之迁居。不到两年，工厂倒闭，家里分得不少机械加工工具，这却使王守武在家有条件学会钳工和配钥匙、修理家庭用具、绕制变压器等技艺。王守武后来之所以能在科研工作中动手能力强，均得益于那时的培养和磨练。他喜爱数学的父亲，工作之余，常给子女们讲些趣味数学，或出一些智力测验题让孩子们回答。那时，王守武曾随哥姐们听父亲讲过如何求圆周率π的问题，他虽听不懂，但“π”这个无理数的特性，却一直印在他的脑海之中。

1934年，王守武父亲退休后举家迁回苏州。王守武也随之转入省立苏州中学学习。高中三年级时，经过对《三角》、《高等代数》的学习，启迪了他的思维，他从反三角函数的级数展开中，得到了π的计算方法，写成“圆周率π的级数展开”一文，发表在苏州中学的校刊上，显露了他在领悟数理理论方面的过人才华。自此，从事自然科学工作，既符合他父亲的希望，也是他酿就的意愿，渴望在著名大学里得到名师的教诲和严格的科学训练。

1934年父亲自北平中央研究院工程研究所退休后返回上海。后又因留恋故乡情，举家又迁回苏州。王守武也随之转入省立苏州中学学习。王守武高中毕业前夕未曾根治的疟疾再次重犯，耽误了学校的年终考试和苏州全区的毕业会考。靠一张肄业证书，难以像他哥姐们那样入清华大学、燕京大学、协和医学院等名牌学府就读，只得听从曾留学美国的大哥王守竟的建议，进上海同济大学德文补习班学习。一年后，他重回苏州中学参加会考，拿到了高中毕业文凭，才正式成为同济大学机电系的学生。

1941年春天，王守武在昆明郊外的同济大学临时校舍里毕业后，就近在昆明入兄长王守竞任总经理的中央机器厂当了公务员。一年后又入中国工合翻砂实验工厂任工务主任。经过实践，讷于言表的王守武自感不适合从事工厂管理工作，便申请重回母校，在已迁往四川李庄的同济大学任教。

1945年10月王守武负笈远行，横渡大洋，入美国印第安那州普渡大学研究生院攻读工程力学，导师R. M. Sturm，翌年6月荣获硕士学位。王守武各门功课优异，尤以数学成绩最好，受到老师和同学们的赞赏。校方为鼓励王守武继续深造，资助他攻读博士学位。这时，正在兴起的量子力学引起了王守武的兴趣，便从工程力学转向对微观粒子运动规律的研究，导师H. M. James。两年后王守武完成了题为《一种计算金属钠的结合能和压缩率的新方法》的论文，获得了博士学位。后经普渡大学工程力学系主任的敦聘，留校执教。这时他与同在普渡大学留学的葛修怀女士组成了温馨的家庭，过着宁静、舒适的生活。

1950年6月25日朝鲜战争爆发。王守武借“回乡侍奉孤寡母亲”为由，向美国当局递交了回国申请。获得批准后，经印度驻美使馆的协助，很快就办完了离美手续。夫妇二人携不满周岁的女儿于同年10月离开美国，回归故里。

1950年底王守武刚刚踏上祖国大地，上级就十分信赖地交给他一项紧急任务：为在抗美援朝前线的志愿军运输队设计一种特殊的车灯和路标，让祖国“最可爱的人”在朝鲜前线既可夜里行车，又不致被敌机发现，免遭轰炸。报国心切的王守武，立即在他任职的应用物理研究所，组织科研人员设计与制作。他依据光线在锥体表面定向反射的原理，使特殊设计的车灯光线在路标上的反射光只能定向地射到司机的眼里，避免了敌机发现的可能性。设计制作完成后，进行了实地试验，圆满完成了任务。

1951年5月西藏和平解放后，当地政府发现藏民生活用燃料奇缺，能源不足，但高原阳光充足，便向中国科学院提出了为之设计制造太阳灶的请求。受命主持此项设计任务的王守武，考虑到制造一个大面积的抛物形反射镜加工有困难，决定改用多个窄圆锥形反射面组成的反射系统，用调整每个圆锥面斜度的方法，使平行于主轴方向的光线，都反射到太阳灶的中心。设计制作成功后，用它可以在15分钟内把一壶水烧开。这种太阳灶，在青藏高原长时期地发挥过它的作用。

1953年春中国科学院派员赴苏联考察，了解苏联科学研究工作的进展情况。访苏代表团回国后，报告了苏联在半导体科学技术上的巨大成就，以及飞速进展的情况。这一信息，使我国的科学工作者，特别是物理学工作者，进一步认识到半导体科学技术在社会主义建设事业中的重要性，应当大力推动这方面的工作。为此中国物理学会常务理事会决定，在1955年1月底召开一次全国性的半导体物理学讨论会。

1954年作为讨论会筹备组成员的王守武为了推动中国电子技术跟上时代的发展，他与同期归国的黄昆、洪朝生、汤定元等专家一起合作翻译了苏联半导体权威学者A．F. 约飞写的《近代物理学中的半导体》一书，于1955年由科学出版社出版。1955年黄昆在北京大学物理系开设了《半导体物理学》的课程，这一新兴课程也由他们四人合作讲授。1956年1月这四位专家与后期回国的专家一起在物理学会年会上对“半导体”做了多方面的介绍，希望引起有关方面的重视。王守武的报告题目是：《半导体整流器》与《半导体的电子生伏打效应的理论》。

这期间作为半导体科学的开拓工作，王守武开展了硒与氧化亚铜整流器的制作条件与性能研究，并从理论上分析了有关半导体整流器的一些性能。其研究成果相继在中国《物理学报》上发表。

1956年，是王守武科学研究工作中的一个关键的转折点。因为在这一年，王守武应邀到京西宾馆参加由周恩来总理主持的“全国十二年科学技术发展远景规划”的讨论和制订工作。在所确定的57项重大科技项目中，半导体科学技术的发展，被列为四大紧急措施之一。为了落实这项紧急任务，中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者，分别在培养人才和从事开拓性研究两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性，毅然中断了其他科研项目，全身心地投入到半导体的研究工作中来，组成了中国科学院应用物理所中中国第一个半导体研究室。

根据当时国外文献的报道，锗是制作晶体管最现实的材料。目标明确之后，在他与同事吴锡九研究员的组织领导下，集中了二机部华北无线电元件研究所、南京工学院等单位的40余名科学工作者，开始了半导体锗材料的研究工作。他一面抓锗材料的提纯，一面亲自领导设计制造了我国第一台拉制半导体锗材料的单晶炉，并于1957年底拉制成功了我国第一根锗单晶；1958年8月，负责器件组工作的王守觉副研究员从苏联学习归来，引来了合金扩散工艺，加速了我国第一批锗高频合金扩散晶体管的成功研制。作为研究室主任的王守武，在参与研制锗高频合金扩散管的同时，又参与了拉制硅单晶的组织领导工作，并具体解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的跳硅难题。

1957年林兰英回国，王守武亲自到她所住的宾馆去动员她来半导体工作组工作，任材料研究组组长，具体实施了硅单晶的拉制方案。经王守武与林兰英的共同努力，使得我国第一根硅单晶于1958年7月问世。为了促进我国第二代(晶体管型)电子计算机的研究，在王守武与有关同志的组织领导下，于1958年创建了我国最早的一家生产晶体管的工厂——中国科学院109工厂，从事锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下，组织全厂人员奋战，到1959年底，为研制109乙型计算机提供了12个品种、14.5万多只锗晶体管，完成了该机所需的器件生产

1956年是王守武科学研究工作中的一个转折点，人生旅途中的一个关键时代。因为在这一年，王守武应邀参加了“全国十二年科学技术发展远景规划”讨论会。在所确定的57项重大科技项目中，半导体科学技术的发展被列为四大紧急措施之一，是抓紧实施的重点。为了落实这项紧急任务，中央有关部门决定由黄昆、谢希德和王守武等知名学者，分别在培养人才和从事开拓性研究工作两个方面进行突击。王守武深知这一工作的重要性，毅然中断了其他科研项目，全身心地投入到“半导体”的研究工作中来。刚过而立之年的王守武，在团中央礼堂，在北京图书馆广场，在天津，在上海，在大江南北……，搞演讲，举办报告会，大力普及半导体科学知识，热情宣传“半导体”科学的广阔未来。

在应用物理研究所王守武以电学研究组成员为主要对象，举办了半导体专业培训班，继而组建了中国第一个半导体研究室，担当了研究室的主任。

根据当时国外文献的报道，锗是当时制作晶体管最为现实的材料。目标明确之后，在他与后来回国的吴锡九研究员的组织领导下，集中了二机部华北无线电元件研究所、南京大学、武汉大学等单位的40余名科学工作者，开始了半导体锗材料与锗晶体管的研究工作。他一面抓锗材料的提纯，一面亲自领导设计制造了中国第一台单晶炉，并于1957年底拉制成功了中国第一根锗单晶；同年11月底到次年初王守武与同事合作，研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术，能控制锗单晶的导电类型、电阻率及少数载流子寿命等电学指标，达到了能自主生产不同器件的要求。

1958年8月领导器件组工作的王守觉从苏联学习归来，引来了半导体“合金”加“扩散”的双重工艺，促使晶体管的研制在提高工作频率方面产生飞跃，加速了中国第一批锗高频合金扩散晶体管的研制。

作为研究室主任的王守武在参与研制锗高频合金扩散晶体管的同时，又参与了拉制硅单晶的组织领导工作，并亲自解决了在拉制硅单晶过程中因坩埚底部温度过高而引起的“跳硅”难题。

1957年春林兰英教授自美国归来，被任命为半导体研究室材料研究组组长。在她的领导下，重新设计制作拉制硅单晶的炉子。经王守武与林兰英的共同努力，采用林兰英从国外带回的硅单晶做籽晶引向，1958年7月中国第一根硅单晶问世。

为了促进我国由电子管型转向晶体管型的第二代电子计算机的研究，在王守武与有关同志的组织领导下，于1958年创建了中国最早的生产晶体管的工厂——中国科学院109厂。工厂刚一成立，立即开展锗高频晶体管的批量生产。在人员和设备都较困难的情况下，他组织全厂人员奋战，到1959年底为研制109乙型计算机的计算技术研究所提供了12个品种、14万5千多只锗高频合金扩散晶体管，完成了该机所需的半导体器件的生产任务，及时为两d一星任务提供了技术保证。

1960年4月王守武受命筹建中国科学院半导体研究所，任筹委会副主任。1960年9月6日，在原应用物理研究所半导体研究室的基础上半导体研究所正式成立，王守武被任命为首任业务副所长，负责全所的科研业务管理和开拓分支学科的组建工作。1962年王守武依据国家科委的决定，在半导体所筹建全国半导体测试中心，并兼任该中心主任。

1960年2月王守武加入了中国共产党。

科学在不断发展，半导体学科的分支也在不断地拓展，1962年美国宣布用砷化镓半导体材料制成第一只半导体激光器，在世界上产生了很大的影响。这类器件在体积、重量和发光效率等方面，均比其它激光器优越，其应用前景也广泛得多。远见卓识的王守武，便于1963年组建了激光器研究室，并兼任该研究室主任。当时半导体所的材料研究室在林兰英研究员的领导下，研制成功了砷化镓单晶材料，故可着手从事半导体砷化镓激光器的研制。在当时实验室的条件下，用X射线来对单晶体进行定向比较困难，王守武创新了一种光学定向的新方法，大大加快了研制工作的进程，提高了各项工艺的成品率。在王守武的领导下，研究室于1964年元旦前夕研制成功了中国第一只半导体激光器。

此后，为了把这些科研成果迅速推广到实际应用中去，王守武除了继续从事研制新品种激光器外，还亲自指导并参与了激光通讯机和激光测距仪的研制工作。事隔不久，中国第一台激光通讯机就诞生了，它可以在无连线的情况下，保密通话达3公里以上。为了提高激光测距仪的可测距离，王守武提出并设计了从噪声中提取信号的电路，装上这个电路后，可以使激光测距仪的测距能力提高一倍以上。这些研究成果，填补了国内空白，有力地支援了国家现代化建设和国民经济建设。

正当王守武为发展我国半导体科学事业大显身手、全力以赴地奉献自己的聪明才智时，“文化大革命”开始了。王守武虽然处于被监督劳动的屈辱境地，但他对所从事的科学事业毫不忘情。在解除了领导职务的情况下，他留在研究室帮助改革工具，修理仪器。为了弥补激光器件研究室缺少分析激光特性手段的缺陷，他设计研制成功了激光发散角分布测试仪。

1968年春当时的科委领导点名要王守武紧急完成一项从越南战场运回的武器解剖任务。王守武毫不犹豫地登上了前往西安的航程。“文革”后期周恩来总理提出“要重视基础理论研究”的号召。王守武面对半导体所的基础理论研究队伍已受到“文革”严重摧残的困难局面，积极行动起来，着手基础理论的研究工作，开展了对新发现的耿氏器件中畴的雪崩弛豫振荡的深入研究。依据这项工作写成的论文，1975年在美国物理学会年会上宣读后，得到国外同行的好评，并在当年的《中国科学》杂志上发表。在这基础上他开始用计算机模拟技术，对耿氏器件中高场畴的动力学进行分析研究，取得了系列成果，发表了多篇论文。

1978年10月中国科学院主要领导同志将王守武请到办公室，要他出马，改变现状，全面负责4千位的MOS随机存储器这一大规模集成电路的研究。

王守武从稳定工艺入手，跟着片子的流程，对工艺线的每道工序进行认真细致的检查，详尽地订出各自的 *** 作规程。他先从研制难度不大的256位中规模集成电路入手，以检验工艺流程的稳定性和可靠性。当其成品率达到97%以上时，王守武才让投片试制4千位动态随机存储器。1979年9月28日，这种集成电路的批量成品率达20%以上，最高的达40%，为当时国内大规模集成电路研制中前所未有的最高水平。这一研制成果获得了中科院1979年科研成果一等奖。1980~1981年在王守武和林兰英的亲自指导下，又研制成功了16千位的大规模集成电路。这一重要成果荣获中科院1981年科研成果一等奖。

1973年起，领导研究半导体激光器中的高场畴动力学和畴雪崩现象。1978年起领导研制半导体大规模集成电路及其工艺研究。

1979年底他荣获全国劳动模范的光荣称号。

1980年刚刚过完春节，上级要王守武去中国科学院109厂兼任厂长职务，开展4千位大规模集成电路的推广工作，从事提高成品率、降低成本的集成电路大生产实验。王守武一到109厂，就高标准地修改了厂房扩建工程的设计方案，用很少的资金、不太长的时间，就将老厂房改造成洁净度达1000至10000级并有一定湿控、温控的高净化标准厂房。中科院109厂的这条年产上百万块中、大规模集成电路的生产线，就这样在王守武的精心 *** 持下宣布建成，其产品亦随之进入市场，并接受了众多用户的考验。1985年国内上百名专家齐集一堂，对王守武主持设计并建成的集成电路大生产实验线及其成果进行了技术鉴定。这一成果于1985年获中科院科技进步二等奖。

在用原有国产设备进行大生产实验的同时，王守武还领导并参与了另一条引进现代化集成电路中试生产线的建设。1988年这条生产线通过了国家计委、国家科委、电子工业部、北京市、中国科学院等有关部门的领导和国内著名专家的验收，并于1990年获中科院科技进步二等奖。

在王守武的倡议下，1986年1月上级将半导体所从事大规模集成电路研究的全套人马合并到109厂，组建中科院“微电子中心”。年事已高的王守武被任命为该中心的终身名誉主任。王守武自此离开现职，专事于学术研究工作。

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