中国半导体工业发展落后主要原因是什么？

第一是基础不足，起步较晚，90年代才开始，而且集中于制造这一块。

第二个是投入不足。半导体我们现在上的十二程序均价是50亿美元。所以，这几年我们已经募集的集成电路基金号称国家大基金，一共1387亿人民币，现在投的是66个项目，每个项目平均不到20亿。我跟他们基金公司高管们讲，你这么天女散花一样是做不成大事的。

第三个是人才不足。我们目前半导体从业人员30万，按照目前来看，我们到2025年半导体这个行业大概还需要继续增加50万人才。

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

因为全球半导体的实际需求大部分是在上一代技术领域。

半导体短缺导致世界各地的汽车和消费电子制造商悲鸣的是因为技术上10纳米以上的通用品买不到。

作为中国设备投资的结果，也许在三、四年后，全球市场将充满中国制造的低成本、高质量的上一代技术的半导体。制造业最需要的是功率半导体、传感器和控制电机的模拟元件。线宽只有28、40和65纳米。这不会因为电动车（EV）的普及和数据中心的林立而改变。

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如果是半导体上一代技术，不会受安全保障上的制约，在美国的监管框架之外，中国制造商几乎可以自由出口到世界各地。“纳米竞争”看似很简单，以至于忽略了来自中国的价格破坏能力。

这让人想起之前的钢铁行业。日本和世界的一些大型钢铁企业，被中国压倒性的生产力量打败而被淘汰。虽然在技术上赢了，但在市场上输了。有必要关注这样的历史会不会在半导体行业重演。

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