因此，改革开放后培养的理工科人才，首先在计算机、通信和互联网行业建功立业，促进了腾讯和华为等公司的诞生，但要轮到芯片行业，则还需要等待更多的时间。80-90年代那些毕业的大学生，还不能承担半导体研发的重担，他们还需要更多的学习和锻炼，尤其需要去全球集成电路技术集聚区-美国的硅谷
今天整个华人半导体圈子，清华子弟占半壁江山，不过考虑到规模达几千亿的国家产业基金是由75级化工系的一位校友批准推动的，所以剩下那半壁江山也得仰仗清华
张汝京深谙半导体建厂经验，按照他的理论，“不景气时盖厂最好”。曾经有台湾的朋友来大陆拜访张汝京，回去跟台湾媒体评价道：“Richard（张汝京英文名）连西装都没有穿，就是一件工作衫，披上件发旧的灰色毛衣，像个传教士，办公桌是三夹板拼凑起来的便宜货。张说他有一个中国半导体的宏伟梦想，他为这个梦想要彻底献身，好像甚至牺牲性命都可以，这个人不是为了赚钱才做这件事，这才是最可怕的。”
在中芯第一次认输赔款的2006年，大陆芯片界又爆发了臭名昭著的汉芯事件，而国家组织的三大国产CPU“方舟、众志、龙芯”又基本上都以失败告终，整个舆论对半导体行业开展了无差别的口诛笔伐，负面评价铺天盖地，中国芯片再一次走进了至暗时刻。
更为致命的问题摆在面前：中国哪个行业是制造业的命根子，哪个行业更容易被别人卡脖子？是风电？是太阳能？还是芯片？
中国芯片行业已经拥有了走向成功的众多因素：无数从海外回流的顶级人才（如梁孟松），不断壮大的国产工程师队伍，卓越民企等树立的标杆机制，国家充沛且持续的资金支持。
1991年12月，首钢喊出了“首钢未来不姓钢”的口号，跨界芯片。这是大型企业受地方政府“鼓励”跨界做芯片的第一个案例，未来还会不断重演。据说首钢当年规划的转型方向只有地产做的还不错，这种强烈对比蕴含的道理，足够很长时间来玩味和琢磨。
这些项目未能取得预想中的成功，深层次的原因有两个：一是芯片行业更新速度太快，制程升级一日千里，国内八九十年代这种没有连贯性的“挤牙膏”式投入，必然会陷入“引进-建厂-投产-落后-再引进”的恶性循环，效果很差；二是半导体相关人才实在是太弱，根本无法吃透引进来的技术，遑论自主研发。
另外，西方国家先后用“巴统”和“瓦森纳协议”来限制向中国出口最先进的高科技设备，同意批准出口的技术通常比最先进的晚两代，加上中间拖延和落地消化，基本上中国拿到手的技术就差不多落后三代左右。
日前，国外媒体报道，英特尔聘请了格芯前CTO Gary Patton博士担任企业副总裁一职。在格芯之前，Gary Patton还曾担任过IBM微电子业务主管一职。近年来，为了加强新工艺的研发，英特尔在业内大肆招揽人才，先后将Jim Keller、Raja Koduri和Murthy Renduchintala等一众技术大牛收入麾下，直线提升公司的技术研发实力。在半导体工艺技术上，Gary Patton有着深厚造诣，在格芯担任CTO期间一直负责尖端工艺的研发工作。但2018年，格芯正式对外宣布放弃10nm以下工艺的研发，并专注于利润更高的14nm、12nm工艺和其他特色工艺。由此推论，极有可能是格芯的战略变更导致了Gary Patton的离开。
作为高技术门槛产业，半导体行业对人才素质有着较高的要求。一方面，因半导体产业链极为复杂，设计、制造、封测各个环节对人才的需求也大不相同。随着集成电路应用领域的愈发宽泛，相关人才也逐渐趋于多样化。此外，由于行业发展速度太快，对从业人员的学习能力也提出了更高要求。
目前，业内已经形成共识，国内半导体行业最薄弱的环节在于基础材料研究和先进设备制造两大方面，而对于行业的长远发展而言，最稀缺的则是人才。日经中文网曾在官方报道中指出，在美国、韩国和中国台湾这些半导体产业发达的国家和地区，30岁年收入便超过1千万日元（约合人民58万元）的技术人员很多，由此可以看产业生态与人才建设有着十分紧密的关系。
据《中国集成电路产业人才白皮书》披露的数据显示，目前中国集成电路人才需求规模约为72万人左右，现有人才存量为40万人左右，人才缺口为32万人。由此可见，巨大的人才缺口是中国集成电路产业发展的关键掣肘之一。白皮书中还指出，在我国IC产业中，设计业人才需求数量增幅趋于稳定，但高端设计人才紧缺的状况并没有得到很好的改善。
事实上，中国每年定向培育的半导体人才不在少数，只是最终进入行业的人数不多。据官方数据显示，中国集成电路专业每年毕业生约为20万人，但毕业做本行的大约只有3万，八成以上都在转行。主要原因在于半导体行业产品周期长，从短期看回报率并不高，无法与互联网、银行、金融等行业相比。
中国政府于2014年6月出台的《国家集成电路产业发展推进纲要》中提出了具体目标，到2020年14纳米制造工艺实现规模量产，而到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平。在战略规划的推动下，国家投入大笔资金扶植，迎来一波晶圆厂建设高峰。SEMI的数据显示，2017-2020年间全球投产的半导体晶圆厂共有62座，其中有26座设于中国大陆，占到全球总数的42%。在投资建设不断落地的阶段，相关人才的需求也在不断释放。
在编者看来，半导体产业是一个资本与技术高度密集型产业，中国半导体除了产业结构和技术上的不足，人才培养是一个更隐蔽，且影响也更深远的问题。中国芯片产业崛起的过程中，人才将会是一个关键的制约因素。随着中美贸易摩擦的出现，海外并购正在变得越来越困难。作为全球最大的芯片消费市场，中国每年进口芯片的金额超过原油。不过关键核心技术是买不来的，只能依靠优秀人才攻关突围。虽然国内企业也在大力从台湾、韩国或海外引入成熟人才，但唯有打造更好就业环境，以及提供合理的回报，方能解决人才的后顾之忧，但这些都需要以产业盈利能力作为支撑，似乎又与当前现状相悖。
公司简介“仙童半导体”成立于1957年，但提到“仙童”，就不得不先提起另外的一段故事，那就是成就了“二十世纪最伟大发明”的“晶体管之父” 的肖克利（W.Shockley）博士，1955年肖克利离开贝尔实验室返回故乡圣克拉拉，创建了"肖克利半导体实验室"。不久，因仰慕"晶体管之父"的大名，无数的求职信像雪片般飞到肖克利办公桌上。第二年，八位年轻的科学家从美国东部相继来到硅谷，加盟肖克利实验室。他们是：诺依斯（N. Noyce）、摩尔（R.Moore）、布兰克（J.Blank）、克莱尔（E.Kliner）、赫尔尼（J.Hoerni）、拉斯特（J.Last）、罗伯茨（S.Boberts）和格里尼克（V.Grinich）。他们的年龄都在30岁以下，风华正茂，学有所成，都正处在创造能力的巅峰。他们之中，有获得过双博士学位者，有来自大公司的工程师，有著名大学的研究员和教授，这也是当年美国西部从来没有过的英才大集合。29岁的诺依斯是八人之中的长者，也是"投奔"肖克利最坚定的一位。当他飞抵旧金山后所做的第一件事，就是倾囊为自己下一所住所，决定永久性定居，根本就没有考虑到工作环境、条件和待遇。其他七位青年，来硅谷的经历与诺依斯大抵相似。
可惜，肖克利是天才的科学家，却缺乏经营能力；他雄心勃勃，但对管理一窍不通。特曼曾评论说："肖克利在才华横溢的年轻人眼里是非常有吸引力的人物，但他们又很难跟他共事。"一年之中，实验室没有研制出任何象样的产品。八位青年瞒着肖克利开始计划出走。在诺依斯带领下，他们向肖克利递交了辞职书。肖克利怒不可遏地骂他们是“八叛逆”（The Traitorous Eight）。青年人面面相觑，但还是义无反顾离开了那个让他们慕名而来，之后又相聚在一起的“伯乐”。不过，后来就连肖克利本人也改口把他们称为“八个天才的叛逆”。在硅谷许多著作书刊中，“八叛逆”的照片与惠普的车库照片属于同一级别，具有同样的历史价值。
编辑本段发展历程诞生“八叛逆”找到了一家纽约的摄影器材公司来给他们投资创业，这家公司名称为Fairchild，音译“费尔柴尔德”，但通常意译为“仙童”。费尔柴尔德不仅是企业家，也是发明家。他的发明主要在航空领域，包括密封舱飞机、折叠机翼等等。由于产品非常畅销，他在1936年将公司一分为二，而其中生产照相机和电子设备的就是仙童摄影器材公司。当“八叛逆”向他寻求合作的时候，已经60多岁的费尔柴尔德先生仅仅给他们提供了3600美元的创业基金，要求他们开发和生产商业半导体器件，并享有两年的购买特权。于是，“八叛逆”创办的企业被正式命名为仙童半导体公司，“仙童”之首自然是诺依斯。1957年10月，仙童半导体公司在硅谷嘹望山查尔斯顿路租下一间小屋，距离肖克利实验室和距离当初惠普公司的汽车库差不多远。“仙童”们商议要制造一种双扩散基型晶体管，以便用硅来取代传统的锗材料，这是他们在肖克利实验室尚未完成却又不受肖克利重视的项目。费尔柴尔德摄影器材公司答应提供财力，总额为150万美元。诺依斯给伙伴们分了工，由赫尔尼和摩尔负责研究新的扩散工艺，而他自己则与拉斯特一起专攻平面照相技术。
发展1958年1月，蓝色巨人 IBM公司给了他们第一张订单，订购100个硅晶体管，用于该公司电脑的存储器。到1958年底，“八叛逆”的小小公司已经拥有50万销售额和100名员工，依靠技术创新的优势，一举成为硅谷成长最快的公司。
仙童半导体公司在诺依斯精心运筹下，业务迅速地发展，同时，一整套制造晶体管的平面处理技术也日趋成熟。天才科学家赫尔尼是众"仙童"中的佼佼者，他像变魔术一般把硅表面的氧化层挤压到最大限度。仙童公司制造晶体管的方法也与众不同，他们首先把具有半导体性质的杂质扩散到高纯度硅片上，然而在掩模上绘好晶体管结构，用照相制版的方法缩小，将结构显影在硅片表面氧化层，再用光刻法去掉不需要的部分。扩散、掩模、照相、光刻，整个过程叫做平面处理技术，它标志着硅晶体管批量生产的一大飞跃，也为"仙童"打开了一扇奇妙的大门，使他们看到了一个无底的深渊：用这种方法既然能做一个晶体管，为什么不能做它几十个、几百个，乃至成千上万呢？1959年1月23日，诺依斯在日记里详细地记录了这一最伟大也被当时的人们看作是最疯狂的设想。
1959年2月，德克萨斯仪器公司（TI）工程师基尔比（J.kilby）申请第一个集成电路发明专利的消息传来，诺依斯十分震惊。他当即召集“八叛逆”商议对策。基尔比在TI公司面临的难题，比如在硅片上进行两次扩散和导线互相连接等等，正是仙童半导体公司的拿手好戏。诺依斯提出：可以用蒸发沉积金属的方法代替热焊接导线，这是解决元件相互连接的最好途径。仙童半导体公司开始奋起疾追。1959年7月30日，他们也向美国专利局申请了专利。为争夺集成电路的发明权，两家公司开始旷日持久的争执。1966年，基尔比和诺依斯同时被富兰克林学会授予“巴兰丁”奖章，基尔比被誉为“第一块集成电路的发明家”，而诺依斯被誉为“提出了适合于工业生产的集成电路理论”的人。1969年，法院最后的判决下达，也从法律上实际承认了集成电路是一项同时的发明。
1960年，仙童半导体公司取得进一步的发展和成功。由于发明集成电路使它的名声大振，母公司费尔柴尔德摄影器材公司决定以300万美元购买其股权，“八叛逆”每人拥有了价值25万美元的股票。1964年，仙童半导体公司创始人之一摩尔博士，以三页纸的短小篇幅，发表了一个奇特的定律。摩尔天才地预言说道，集成电路上能被集成的晶体管数目，将会以每18个月翻一番的速度稳定增长，并在今后数十年内保持着这种势头。摩尔所作的这个预言，因后来集成电路的发展而得以证明，并在较长时期保持了它的有效性，被人誉为“摩尔定律”，成为IT产业的“ 第一定律”。
没落60年代的仙童半导体公司进入了它的黄金时期。到1967年，公司营业额已接近2亿美元，在当时可以说是天文数字。据那一年进入该公司的虞有澄博士（现英特尔公司华裔副总裁）回忆说：“进入仙童公司，就等于跨进了硅谷半导体工业的大门。”然而，也就是在这一时期，仙童公司也开始孕育着危机。母公司总经理不断把利润转移到东海岸，去支持费尔柴尔德摄影器材公司的盈利水平。在目睹了母公司的不公平之后，“八叛逆”中的赫尔尼、罗伯茨和克莱尔首先负气出走，成立了阿内尔科公司。据说，赫尔尼后来创办的新公司达12家之多。随后，“八叛逆”另一成员格拉斯也带着几个人脱离仙童创办西格奈蒂克斯半导体公司。从此，纷纷涌进仙童的大批人才精英，又纷纷出走自行创业。结果人才纷纷离仙童而去，最终仙童中的斯波克将NSC弄成了全球第六大半导体厂商，桑德斯创立了AMD，而诺依斯和摩尔则创立了INTEL（英特尔），而这就是仙童的整个历程。[1]
编辑本段公司影响“仙童”，一个永远让世人铭记和仰慕的名字，一个对半导体界乃至全世界作出了后人无法企及的贡献。引用苹果总裁乔布斯的一句话：“仙童半导体公司就象个成熟了的蒲公英，你一吹它，这种创业精神的种子就随风四处飘扬了。”仙童半导体拥有与众不同的晶体管制作方式，扩散、掩模、照相、光刻，整个过程叫做平面处理技术，它标志着硅晶体管批量生产的一大飞跃。在1969年的半导体工程师大会，400位与会者中只有24位的履历表上没有在仙童公司的工作的经历。
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