半导体中载流子在运动过程中为什么会遭到散射

我认为在未与N型半导体结合前，P型半导体当中的少数载流子是P型本身掺杂进去的3价元素导致的共价键不平衡而引发的少数自由电子，它们紊乱的在空穴中填充。当P型与N型接触时，P型中的少数载流子（电子）继续填充P型中的空穴，而N型中的多数载流子（电子）也趋向于向浓度低的P型中填充空穴，于是填充后使P型中3价元素的共价键稳定(固定负离子)，N型中5价元素的共价键也稳定(固定正离子)，此时这些稳定的掺杂元素所在区域就形成PN结（空间电荷区），而两侧(远离)PN结处的P型还是有很多空穴、N型还是有很多载流子。此时PN结形成的空间电荷区产生一个由N指向P的电场，该电场吸引P型中的少数载流子（自由电子）流向N结，吸引N型中的少数空穴流向P结，这些少子（本征载流子）的移动（漂移）就形成了漂移电流，也就是漏电流。

1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射是声学波散射和电离杂质散射；

2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；

3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),

声学波散射：τs∝T^(-3/2),

光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

希望可以帮到你o(∩_∩)o ，还有疑问可以追问或者我哦~

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施主和受主杂质可以提供载流子，增大电导率；非施主和受主杂质往往会产生复合中心，减短非平衡载流子寿命；缺陷一般是产生复合中心。各种杂质和缺陷都对载流子都有散射作用，使迁移率降低，降低电导率。

主要影响是自由电子和空穴数量的精确控制。简单说，杂质越多，说明物理材料中的自由电子和空穴精确控制就越差，差可以导致物理指标下降：杂散电流随环境温度增加而增加；PN结的耐压程度和温度系数变劣。

扩展资料：

掺入半导体中的一类杂质或缺陷，它能接受半导体中的价带电子，产生同数量的空穴，从而改变半导体的导电性能.例如，掺入半导体锗和硅中的三价元素硼、镓等原子都是受主.如果某一半导体的杂质总量中，受主的数量占多数，则这半导体是P型半导体，这种杂质或缺陷叫做受主。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。

参考资料来源：百度百科-杂质半导体

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