
不同的半导体颜色不同,这与带隙有关,窄带隙吸收可见光会偏灰黑(比如Si),宽禁带透可见光就是透明的(比如ZnO、GaN);
掺杂少了,颜色没啥变化,掺杂多了有变化。杂质在禁带中会形成不同的能级(与杂质种类有关,掺多了会形成杂质局域能带,称之为中间带,或与导带底、价带顶等衔接),影响光吸收,从而改变颜色;
体材料和薄膜的颜色有时不一样。薄膜薄的会透光,厚的透光少;
若薄膜厚度与波长相近还会产生干涉相应,也影响薄膜颜色(类似与肥皂泡上的彩色,有时据此简单推测薄膜厚度)。
光刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分,所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来,都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面,制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多,要求单个器件尺寸及其间隔越来越小,所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线,即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻,制成了线宽为0.1微米的微细布线,使光刻技术达到新的水平。
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