二六族半导体的优点

一、晶体结构的优点：

1、具有较高的电导率，具有很好的电热导电性能。

2、具有较大的量子效率，晶体电子可以有效地吸收和发射光能，可以实现高效的激光输出。

3、具有良好的化学稳定性，不易受到环境的影响。

4、具有很高的输出功率，可以输出大功率的激光。

二、二六族半导体的优点：

1、二六族半导体具有较高的折射率，可以吸收和发射更多的光能。

2、二六族半导体具有良好的透明性，能够吸收和发射较弱的光谱，从而实现更高的激光输出功率。

3、二六族半导体具有较高的光学质量，能够实现较高的激光精度和准确性。

4、二六族半导体具有良好的耐热性，能够适应高温环境。

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

特点：

（一）、N型半导体

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（二）、P型半导体

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

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