第三代半导体的激流与险滩

虽然从整个半导体器件市场来看，硅材料因其易获取、低成本等特性，依然是最为重要的基础载体，但以新能源 汽车 、5G基站为代表的新兴行业应用，正托举出一个新的半导体材料需求市场，也即以碳化硅和氮化镓为主的第三代半导体材料应用。

在前面两代半导体材料方面，我国在相关领域的起步时间较晚，因此造成客观上存在的差距；而在第三代半导体领域，全球的宏观起步时间相对接近，且这是一门相对新兴的技术领域，目前来看，全球主要衬底材料公司的技术差距并不算很大。

加上第三代半导体具备的耐高压、耐高温、低损耗等特性，符合当前功率半导体器件的应用需求。在相关领域由第三代半导体材料替换第一代硅基材料，正有望成为一种长期趋势。

综合这些产业背景，叠加国内相关产业生态此前在碳化硅、氮化镓等材料领域已有所积累。第三代半导体产业生态在近些年间，正呈现多点开花态势。

但同时需要注意的是，尚处在发展演进过程中的第三代半导体领域，并未在眼下迎来完全量产商用的节点，同时国内在该领域所占据的全球市场份额还不如已经成熟发展多年的海外大厂，整个产业生态的成熟落地依然需要足够时间进行培育。

这依然是一个需要守得云开方得见月明的半导体技术分支，前路辽阔，但也不能忽视潜藏的挑战。

仅从此前拟通过科创板平台上市的公司来看，就足以显示出在国内的很多地区，都已经有针对第三代半导体领域在开拓的公司和团队。

比如正在走上市程序的山东天岳，此前已经终止上市流程的天科合达和江西瑞能等。即便是在粤港澳大湾区内部，也分散发展着诸多定位在不同具体材料领域和产业链环节的公司，如东莞天域、英诺赛科等。

“随着碳达峰、碳中和目标的提出，新能源产业与半导体产业开始产生更多交汇点。采用性能上更优异的第三代半导体材料，可以帮助全球范围内更快实现目标达成。”他进一步表示，由于碳化硅器件对制程工艺的要求相比硅基来说并不算高，在这方面国内外之间的差距不是很大，也因此国内在碳化硅、氮化镓相关领域发展的头部企业，将有很大可能性进入世界一流阵营。

“目前第三代半导体在晶圆尺寸方面演进到了6英寸，走到8英寸量产商用还有一个过程。”汪之涵分析道，从这个角度看，国内与海外的步伐比较接近，取得进一步突破的机会很大。

据汪之涵介绍，碳化硅器件的下游应用市场主要分为三大方向：工业级、消费级、 汽车 级。其中，工业级碳化硅器件落地较早，应用包括通讯基站电源、服务器电源、LED驱动电源等，都是未来长期稳定高速发展的领域。

消费市场中，国内市场目前率先推出的产品，主要是针对大功率快充的市场。

新能源 汽车 则是碳化硅器件未来发展的最重要方向，这也是碳化硅最大的单一应用市场。其优异特性可以应用在新能源 汽车 诸多部件中，如电机控制器、车载充电器等。

为此，基本半导体在深圳和日本名古屋的模块封装研发团队，针对碳化硅车规级模块推出了不同产品系列，希望明年开始在市场得到批量应用。

他表示，“随着技术和行业的发展，碳化硅成本会逐步下降，那么在众多领域取代传统硅基材料器件将是一个不可逆的过程。”

举例来说，在功率半导体器件中，由碳化硅材料取代硅基衬底的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和MOSFET是行业认同的未来趋势，且功率半导体迭代周期较慢、生命周期更长，因此未来成长空间会很大。

汪之涵续称，目前碳化硅材料的器件成本比硅基器件成本高很多，但未来其成本必然会降至硅基器件的2-3倍，那时候碳化硅器件带来的性价比优势会陆续显现。

国内产业链发展如火如荼，但不可忽视的是，在针对一项新兴技术不断 探索 背后，依然也面临着不小的挑战需要思量并克服。

“国内培养的第三代半导体材料、器件、封装、驱动、应用方面的人才，肯定远远无法满足行业的需求。通过企业自己培养，或者从海外引进专家加盟的方式，是扩充团队的重要方式。”他如是指出。

除此之外，为了实现企业在碳化硅领域发展的长期目标和短期目标相平衡，基本半导体与清华大学等高校及研究机构合作，针对一些短期内或许无法产生直接经济效益，但对未来产业发展具备意义的前沿领域进行联合研发。

“两年内有望产业化的技术方向，我们会由内部推动研发；五年后才有产业化机会的技术方向，我们会积极采取与外部合作研发的方式。”汪之涵续称。

他同时指出，在目前还没有庞大规模的市场需求背景下，有一些产业内公司已经开始了频繁在各地建设产线的道路。“考虑到现在的销售额无法承载这么大的成本折旧，我们担心不排除在未来3-5年内，部分今天投资的产线，会面临资不抵债的难题。”

但他同时指出，目前不可忽视的问题是，产业间公司发展相对分散，没有把核心人才和力量融合在一起。导致若干年后回头看，可能会存在投资效益偏低的问题。

当然，在此过程中，具备竞争实力的公司依然会成长起来，并且不断完善技术更迭演进过程。

从市场格局来说，由于前述应用成本偏高，导致尚且无法支持第三代半导体器件的大规模商用，目前下游器件厂商虽然数量较多，但体量尚且不大。反倒是处在行业上游的衬底材料产业环节，由于积累的需求更集中，这类型公司会在先期更快发展起来。“当然，未来随着商用的持续推进，下游市场的机会的确会逐步扩大。”李俊超表示。

即便是如今已经在全球市场占据较高份额的欧美国家公司，其最初起步也是从单个产业环节的能力入手，随着逐步走向成熟，才通过收并购的方式，纳入更丰富的产业流程，并成为具备平台型能力的综合型半导体公司。

“考虑到目前第三代半导体市场的整体规模并不算大，目前来看，可能也未必有必须走向如硅基一般有明确设计和制造产业分工的阶段。当然，随着市场空间越来越大，或许产业分工会是未来一种更好的选择。”李俊超指出，从这个逻辑来看，当下该领域的公司选择IDM发展模式，的确不失为一种更完善的发展路线。

宏观来看，这种产业角色的定位和演变，也是整个半导体产业未来会面临的新发展命题。

反观国内，目前还没有出现产业部署非常成熟和完善的厂商。但已经有相关产业公司，在近些年的发展历程中，通过横向和纵向的并购整合，不断完善在细分领域的市场布局。

“相信在未来3-5年内，上市的半导体公司之间并购整合会成为一个主流趋势。这也会是未来第三代半导体市场将面临的共性问题。”他续称，届时，国内半导体市场也有望如前述欧美半导体市场的趋势一般，巨头公司占据较大市场利润，产业集中度进一步提升。

视频编导 周金颖 张倩茹

配 音 车远洋

监 制 杨海涛

统 筹丨于晓娜 张伍生李锐 杜弘禹

出 品 人 蔡万麟 任天阳

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前言：近期三安光电不利的消息比较多，也有不少人觉得这家公司和某公司一样存在财务造假的嫌疑，但公司的控股股东和高管在不断增持，公司在积极回购股票，30%的分红比例也不算低，三安光电在LED芯片行业极具竞争力，虽然财务上有一些瑕疵，但我还是坚持认为这是一家好公司。以前对公司有过一些研究，近期做了更深入的研究，分几篇文章记录一下。

1、三安光电股份有限公司成立于2000年11月,控股股东为三安集团，实际控制人林秀成是福建泉州安溪县人，以做钢铁贸易起家。按三安光电年报和公司网站所述，“公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片为核心主业”，是“国家发改委批准的“国家高 科技 产业化示范工程”企业、工业和信息化部认定的“国家技术创新示范企业”，承担了国家“863”、“973”计划等多项重大课题，拥有国家人事部颁发的博士后科研工作站及国家认定的企业技术中心。”公司的核心竞争力包括技术优势（由顶尖人才组成的技术研发团队，2017年底拥有1300件专利）、规模优势(MOCVD 设备产能规模居国内首位)、产品和营销渠道优势（产品品种齐全，营销网络遍布全球）

2、公司上市前的资料比较少，在百度上能查到上市前大致的发展历程：

“2000年12月：公司被确认为厦门市高新技术企业。

2002年9月：公司第一片外延片成功问世。

2003年1月：公司通过全色系超高亮度LED芯片 科技 成果鉴定，成为国内首家实现全色系超高亮度发光二极管芯片的生产厂家。

2003年4月：公司承担的“氮化镓基发光二极管外延片和器件制备”项目，被列入国家发改委2003年光电子、新型元器件专项高技术产业化示范工程。

2003年9月：公司研制出的具有我国独立知识产权的LED芯片，打破了过去LED芯片全部依靠进口的 历史 。

2003年10月：公司在第十四届全国发明展览会上，《一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法》与《一种发光二极管外延结构》分别荣获发明银奖和铜奖。

2004年11月：“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目被国家信息产业部列入2005年信息产业基金重点支持项目。

2005年6月：公司“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发与产业化“项目被国家 科技 部列入2005年国家火炬计划项目。

2005年12月：公司“十五”国家 科技 攻关计划项目“半导体照明产业化技术开发”重大项目全面通过国家 科技 部组织的专家验收。

2006年4月：公司“氮化镓基发光二极管外延片和芯片的研制及产业化”项目通过专家鉴定。鉴定结果为：产业化规模达到国内最大，质量稳定可靠，技术指标达到国内领先。

2006年5月：公司被国家人事部正式批准设立博士后科研工作站，开展博士后科研工作。

2006年7月：公司“功率型高亮度LED芯片及倒装技术”项目通过专家鉴定，鉴定结果为：产业化技术指标达到国内领先水平。

2006年11月：公司承担的“功率型半导体全色系芯片产业化”项目被国家发改委列入“国家2006年信息产业企业技术进步和产业升级专项项目”。

2006年12月：公司承担的“100lm/W功率型白光LED制造技术”项目被国家 科技 部确定为国家高技术研究发展计划（863计划）课题。

2007年3月：日本学者大川和宏博士受聘为我司技术顾问。

2007年11月：我司“S--RGB07全色系超高亮度(红、橙、黄、蓝、绿)LED芯片”产品通过厦门市经发局组织的新产品、新技术专家鉴定，鉴定结论认定我司拥有的“衬底转移的红光功率型LED”产品为国内首创，填补国内空白。”

3、三安光电2008年7月借壳湖北一家名叫天颐 科技 的上市公司，代码600703。这里说几句题外话，天颐 科技 并不出名，但600703这个代码，原本属于一家名叫沙市活力二八的公司，这个公司以前在湖北却非常有名，有段时间电视上“活力二八沙市日化”的广告铺天盖地，和后来的脑白金广告有的一比，导致二十多年后笔者还能清清楚楚的记得这句广告词...

4、三安光电上市后的资料可以查阅年报，发展历程大致整理如下：

2008年，收入2.13亿，净利润0.52亿，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”，这时“天津三安光电有限公司”刚成立。此时三安光电“拥有18台国际一流的MOCVD和与之相匹配的芯片制造生产线及检测设备，具备年产外延片50万片，芯片160亿粒的生产能力。”

2009年，收入4.7亿，净利润1.8亿，非经常性损益0.54亿，该年募集资金8亿元，主要盈利资产“厦门三安光电有限公司”，“天津三安光电有限公司”快要完工，安徽项目快要启动。此时三安光电“拥有22台国际一流的MOCVD和与之相匹配的芯片制造生产线及检测设备，具备年产外延片85万片的生产能力。”

2010年，收入8.6亿，净利润4.3亿，非经常性损益1.8亿，募集资金29.8亿元，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”，

“安徽三安光电有限公司购置的MOCVD设备现已到达48台套，安装完毕38台套,15台套正处于调试试产阶段”。这时“公司已经拥有77台国际一流的MOCVD 和与之相匹配的芯片制造生产线及检测设备”。

2011年，收入17.47亿，净利润10.6亿，非经常性损益4.7亿，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”、

“安徽三安光电有限公司”，

其中安徽三安光电有限公司“购买的设备全部到达公司，已陆续投产 50 台套，运转情况良好，剩余设备也已调试完毕”，这一年三安光电没有披露MOCVD设备的数量，大概拥有140台套左右。

2012年，收入33.63亿，净利润8.1亿，非经常性损益2.6亿，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”，

“安徽三安光电有限公司”，

此时“公司拥有生产LED 产品的 MOCVD 主要设备144 台套，其中厦门市三安光电 科技 有限公司22台套、天津三安光电有限公司 19 台套、安徽三安光电有限公司 103 台套”。

2013年，收入37.32亿，净利润10.3亿，非经常性损益2.77亿，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”、

“安徽三安光电有限公司”、

“福建晶安光电有限公司 ”，

此时“公司拥有生产LED 产品的 MOCVD 主要设备 160 台套，其中厦门市三安光电 科技 有限公司 38 台套、天津三安光电有限公司 19 台套、安徽三安光电有限公司 103 台套”。

2014年，收入45.8亿，净利润15.1亿，非经常性损益2.77亿，募集资金32.37亿元，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”、

“安徽三安光电有限公司”、

“福建晶安光电有限公司 ”，

此时“公司现拥有MOCVD 设备170 台，加上新定制 MOCVD设备，MOCVD设备将达400台”。

2015年，收入48.6亿，净利润17.47亿，非经常性损益2.75亿，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”、

“安徽三安光电有限公司”、

“福建晶安光电有限公司 ”，

此时“公司原有约170台MOCVD 设备...公司募投项目厦门三安光电有限公司购置的 53 台套（折算成 2 英寸 54 片机，相当于 106 台套）MOCVD 设备截至 2016年一季度末已到达，正在逐步释放产能”。

2016年，收入62.73亿，净利润21.67亿，非经常性损益4.27亿，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”，

“安徽三安光电有限公司”、

“福建晶安光电有限公司 ”、

“厦门三安光电有限公司”、

“芜湖安瑞光电有限公司”，

此时“公司拥有近 300台MOCVD设备（折算成 2吋54片机）”。

2017年，收入83.9亿，净利润31.6亿，非经常性损益5.1亿，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”，

“安徽三安光电有限公司”、

“福建晶安光电有限公司 ”、

“厦门三安光电有限公司”、

“芜湖安瑞光电有限公司”，

2017年公司没有披露MOCVD数量，只提到“厦门三安光电有限公司（二期）MOCVD 设备逐步到厂”，估计增加100台MOCVD设备（折算成 2吋54片机）,总计大约400台MOCVD设备（折算成 2吋54片机）。

2018年H1，收入41.73亿，净利润21.67亿，非经常性损益4.18亿，主要盈利资产“厦门市三安光电 科技 有限公司”、

“天津三安光电有限公司”，

“安徽三安光电有限公司”、

“福建晶安光电有限公司 ”、

“厦门三安光电有限公司”、

“芜湖安瑞光电有限公司”，

2018年半年报没有披露MOCVD数量，估计仍然保持大约400台左右（折算成 2吋54片机）。

5、目前三安光电在国内的市场占有率大概30%左右，全球的市场占有率超过10%，是当之无愧的LED行业的巨头，而且无论从产品口碑，还是从毛利率、净利率、ROE等财务指标上可以看到，三安光电在LED芯片行业都极具竞争力。但LED芯片这个行业竞争极其惨烈，犹如逆水行舟，不进则退，以前的行业巨头，如美国Cree、台湾的晶元光电，目前境况不佳，

后面的文章会提到三安光电的这些竞争对手们。

作者：潘潘_策略投资

最近，半导体巨头高管接连跳槽。短短时间内，英特尔接连挖走了苹果Mac系列架构总监Jeff Wilcox、AMD首席独立GPU架构师Rohit Verma、美光首席财务官David Zinsner等高管。

此外，在苹果工作了近三年的高级工程师Mike Filippo已入职微软担任首席架构师，负责Azure服务器芯片的开发。

半导体领域又开始了一轮高管跳槽潮。

我们先来看看被挖角的苹果架构总监Jeff Wilcox。这次英特尔从苹果挖来的是其M1芯片产品的总设计师，他从2013年就加入苹果，迄今为止已经在苹果有9年的工作经验。

在Jeff Wilcox工作的九年时间里，他负责过苹果T2安全芯片以及M1系列处理器的开发，在他的带领下，苹果电脑芯片实现了历代提升和革新，简单来说，Jeff Wilcox是苹果芯片，甚至可以说是苹果电脑幕后的技术支柱。

但我们仔细看Jeff Wilcox的履历，Jeff Wilcox最早在英特尔工作，当了三年的PC芯片组领导架构师，之后被苹果挖走。因此，很多人对Jeff Wilcox的跳槽评价为是一种“回归”。

实际上，同样被英特尔挖走的AMD首席独立GPU架构师Rohit Verma也曾在英特尔工作，本次也是“二进宫”。1999-2013年期间，他在英特尔担任首席SoC架构师14年之久。

自2013年加入AMD工作后，在其八年的职业生涯中从事的项目涵盖台式机和笔记本电脑的独立显卡以及涉及CPU、GPU、结构、电源管理和安全性更广泛的SoC架构设计。

有趣的是，Verma与现任英特尔首席执行官 Pat Gelsinger 的生涯重叠度相当高。1979年，18岁的Gelsinger加入英特尔担任质量控制技术员。当 Verma 于 1999 年在英特尔开始他的职业生涯时，Gelsinger 已担任英特尔台式机产品事业部总经理，并于 2001 年成为英特尔的首位CTO。

可以看出，在最近的高管离职中，被英特尔收入囊中的高管与英特尔都有千丝万缕的关系。

当2021年Pat Gelsinger作为新任CEO重返英特尔，英特尔便开启了进击的时期，频频从其他公司挖角大牛，尤其是曾经与其共事过的“老团队”。

在Linkedin上，Rohit Verma也发消息称，对自己重返英特尔感到兴奋。

除去“回归”本家外，公司未来规划的变动释放出的机会也成为吸引高管的重要原因。

微软正在加速布局云计算服务器和Surface设备开发定制芯片，在其招聘岗位中放出了SoC架构总监的招聘信息。

在苹果工作近三年的Mike Filippo入职微软，担任首席架构师，负责Azure服务器芯片的开发。

我们翻阅Mike Filippo的履历。在其加入苹果前，他在ARM担任首席CPU架构师、首席系统架构师和ARM Fellow，负责开发Cortex-A76、Cortex-A72、Cortex-A57以及即将推出的7nm+和5nm芯片，他还在AMD和英特尔分别工作了8年、5年。

实际上，除了公司高管，半导体领域曾因布局元宇宙而掀起过挖人浪潮。

微软的AR团队，在过去的一年里也流失了100余名员工，他们当中约70人原属于HoloLens团队，其中又有40人跳槽到Meta，包括前HoloLens用户反馈主管查理·汉(Charlie Han)、前HoloLens演示团队成员约什·米勒(Josh Miller)等。

苹果也是被挖角的重点地区，接连失去M1处理器研发高管、自动驾驶 汽车 团队高管、甚至在2021年被Meta挖走100多名前苹果员工。

为了应对这种情况，避免被Meta等竞争公司抢走更多人才，苹果公司向部分工程师和软件部门的工作人员提供了一笔股票福利。这笔额外收入的金额从5万至18万美元（约合人民币32万元-114万元）不等，它们将以限制性股票形式发放，限制期为4年。苹果借此希望减少资深员工跳槽。

在谷歌，如何留住员工成了首席执行官桑达尔·皮查伊每周高管会议的讨论议题。同时，谷歌还开始向员工提供额外的股票奖励，避免人才被人挖走。

但有时候钞能力不是万能的，至少对于高管来说并不是。前英特尔硬件负责人和首席工程师Venkata Renduchintala博士在宣布离职前，其年度总薪酬约为2688万美元，是英特尔公司内部薪酬最高的高管之一。

在英特尔的官方公告中，由于Renduchintala领导的TSCG小组将拆分为5个小组，小组领导者直接向CEO汇报工作，这些变化使得Renduchintala离职。

此前，谷歌副总裁苏罗吉特就离职去了最大的虚拟货币交易公司Coinbase，成为该公司的首席产品官。目前Coinbase上市，苏罗吉特在该公司的股权价值已超过6亿美元（约合人民币38亿元）。

对于半导体产业来说，高管的多次跳槽算不上是一件坏事。

当年的仙童“八叛徒”，在离开仙童后，诺伊斯带着戈登·摩尔与工艺开发专家安迪·格鲁夫创立了英特尔；仙童销售部门主任杰里·桑德斯带着几名员工创立了AMD半导体公司；克莱纳创办了 KPCB 风险投资；瓦伦丁创立了国家半导体公司，之后又成立了红杉资本。

在 1970 年前后的半导体浪潮中，可以说大部分半导体公司都起源于仙童半导体公司。这一批半导体公司可以说是奠定了硅谷的 科技 基础。

面对“八叛徒”的纷纷离去，苹果公司前CEO乔布斯做了一个形象的比喻：“仙童半导体公司就像个成熟了的蒲公英，你一吹它，这种创业精神的种子就随风四处飘扬了。”

而AMD Zen架构之父的吉姆·凯勒也先后在AMD、英特尔和特斯拉担任高管，多次跳槽以寻求新的挑战。

铁打的高管，流水的大厂。人是整个产业的核心，中国半导体产业受政策和资本的驱动，现在正是好光景。半导体人才的待遇普遍显著提升，对于吸引人才更有优势。

在高管的跳槽潮中，有一个值得注意的消息。原英伟达高管杨超源正式加入国产GPU厂商壁仞 科技 ，任副总裁兼董事长特别助理。

杨超源曾在英伟达、台积电工作，在英伟达任职期间，他负责架构设计、研发、流片和团队管理，在上海组建了英伟达在美国总部之外的首个海外研发中心，并担任英伟达上海总经理。

巨头高管加入国产厂商无疑是一个极好的风向，这意味着中国国内半导体厂商的吸引力在增加。如今的中国半导体正在从拿来主义过渡到真正的自我创新，这一过程需要研发投入的坚持，也需要对人才培养的重视。

在瞄准半导体发展的坚定目标下，我们期待越来越多的巨头高管加入国产厂商。

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