半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电阻受温度影响较大．如图甲是某种半导体材料的电阻随温度

（1）定值电阻R0的作用是保护电路．

（2）由电路图R和R0串联，当t=20℃时，半导体电阻R=50Ω，

根据欧姆定律和串联电路电压的关系得：U=IR+IR0=0.2A×50Ω+0.2A×10Ω=12V．

答：电源电压为12V．

（3）当电流为0.4A时，定值电阻R0的电压为：

U0=IR0=0.4A×10Ω=4V，

根据欧姆定律和串联电路电压关系得：

R=

U?U0

I

=

12V?4V

0.4A

=20Ω，

根据甲图象可知，环境温度是40℃，

根据电功率公式得：P=I2R=（0.4A）2×20Ω=3.2W，

答：当时环境温度为40℃，电功率为3.2W．

（1）由图可知，半导体电阻R与定值电阻R0串联，当环境温度升高时，半导体电阻会越来越小，根据欧姆定律可知，电路中的电流越来越大，应该给电路中串联一个定值电阻，这样就可以防止电路中的电流过大而烧坏仪表；

（2）当电流表的读数为0.2A时，根据欧姆定律可得，R0两端的电压：

U0=IR0=0.2A×10Ω=2V，

∵串联电路中总电压等于各分电压之和，

∴半导体两端的电压：

UR=U-U0=12V-2V=10V，

则半导体的阻值：

R=

UR

I

=

10V

0.2A

=50Ω，

由图象可知，当时环境温度是20℃；

（3）当电流表的示数最大为0.6A时，环境温度最高，电路中的总电阻：

R总=

U

Imax

=

12V

0.6A

=20Ω，

∵串联电路中总电阻等于各分电阻之和，

∴半导体电阻的阻值：

R′=R总-R0=20Ω-10Ω=10Ω，

由图象可知，该电路能测得最高温度为100℃．

答：（1）保护电路；升高；

（2）当电流表的读数为0.2A时，半导体电阻阻值是50Ω，当时环境温度是20Ω；

（3）为保证电路安全，该电路能测得最高温度为100℃．

半导体主要具有三大特性：

1.热敏特性

半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半导体的热敏特性，可以制作感温元件——热敏电阻，用于温度测量和控制系统中。

值得注意的是，各种半导体器件都因存在着热敏特性，在环境温度变化时影响其工作的稳定性。

2.光敏特性

半导体的电阻率对光的变化十分敏感。有光照时、电阻率很小；无光照时，电阻率很大。例如，常用的硫化镉光敏电阻，在没有光照时，电阻高达几十兆欧姆，受到光照时。电阻一下子降到几十千欧姆，电阻值改变了上千倍。利用半导体的光敏特性，制作出多种类型的光电器件，如光电二极管、光电三极管及硅光电池等。广泛应用在自动控制和无线电技术中。

3.掺杂特性

在纯净的半导体中，掺人极微量的杂质元素，就会使它的电阻率发生极大的变化。例如。在纯硅中掺人。百万分之—的硼元素，其电阻率就会从214000Ω·cm一下于减小到0.4Ω·cm，也就是硅的导电能为提高了50多万倍。人们正是通过掺入某些特定的杂质元素，人为地精确地控制半导体的导电能力，制造成不同类型的半导体器件。可以毫不夸张地说，几乎所有的半导体器件，都是用掺有特定杂质的半导体材料制成的。

扩展资料

1、半导体的组成部分

半导体的主要由硅（Si）或锗（Ge）等材料制成，半导体的导电性能是由其原子结构决定的。

2、半导体分类

（1）半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

（2）按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

3、半导体的作用与价值

目前广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟等。其中以锗、硅材料的生产技术较成熟，用的也较多。

用半导体材料制成的部件、集成电路等是电子工业的重要基础产品，在电子技术的各个方面已大量使用。半导体材料、器件、集成电路的生产和科研已成为电子工业的重要组成部分。在新产品研制及新技术发展方面，比较重要的领域有：

（1）集成电路 它是半导体技术发展中最活跃的一个领域，已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管，可在一片硅片上制成一台微信息处理器，或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗，并使信息处理速度达到微微秒级。

（2）微波器件 半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段，发射器件的功率已达到数瓦，人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。

（3）光电子器件 半导体发光、摄象器件和激光器件的发展使光电子器件成为一个重要的领域。它们的应用范围主要是：光通信、数码显示、图象接收、光集成等。

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