电力半导体器件IGBT有哪些特点

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。

MOS控制晶闸管

电子注入增强栅晶体管

集成电力电子模块

超大功率晶闸管

脉冲功率闭合开关晶闸管

新型GTO器件-集成门极换流晶闸管

都是的。

1、晶闸管（可控硅），它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型（控制导通、自然关断）电力电子器件，门极可关断晶闸管（GTO）属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR)，属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS)，属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT)，属于电压控制电流全控型电力电子器件。

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