corner的分类

Corner可以分为对晶体管的偏差建模的PVT corner，以及对互联线偏差建模的RC Corner。

PVT Corner用于描述晶体管的全局工艺偏差。 RC Corner 用于描述互联线工艺偏差。

PVT corner

PVT corner需要覆盖全局工艺偏差，温度偏差以及电压偏差。

process corner

Lot 与 Lot 之间, Wafer Wafer之间, Die 和 Die之间的工艺的偏差都是全局工艺偏差。

全局工艺偏差的差别远大于局部工艺偏差的影响（local process variation）

由于全局工艺偏差的存在，导致CMOS的速度有的快，有的慢。从而导致芯片有快有慢。

Process corner被用于对全局工艺偏差进行建模。

由于全局工艺偏差对CMOS中NMOS， PMOS的影响有所不同，因此按照晶体管的速度，可以分为以下五种process corner：

TT：Nominal

SS： Slow N Slow P

FF： Fast N Fast P

SF：Slow N Fast P

FS： Fast N Slow P

其中常用于进行时序签收的corner为SS FF。

比较先进工艺中，foundary会提供排除local process variation的spice model，即SSG FFG等。

voltage corner

晶体管的速度随着电压的升高而提高。 因此，时序签收时需要考虑极限电压的情况，以保证芯片在整个电压范围能够正常工作。

temprature corner

温度会影响晶体管的速度。 时序签收时，需要能够保证芯片在设计的整个温度范围能够正常工作。 由于结温与环境温度的差异，需保留足够的设计余量。

RC Corner

工艺与温度会对芯片内部的互联线以及via的电阻，电容造成影响。 RC Corner用于对互联线的偏差进行建模。

常用的RC Corner Typical Cbest Cworst RCbest RCworst

由于温度对于互联线以及通孔的RC有影响，因此RC Corner也需要考虑到温度的影响。

时序签收所用的Corner示例

电压范围：0.72 ~ 0.88 温度范围： -40C ~ 125C

待续

注：若使用的包含有局部工艺偏差的时序库，则在ocv设置中无需在考虑局部工艺偏差。设计余量的大小需根据实际工作的温度，电压的变化谨慎评估。

scorner是角球。

top corner

上角

双语例句

1

Four minutes later he curled a fierce free-kick towards the top corner.

四分钟后他的大力任意球直奔球门上角。

2

McDonald spun Broadfoot and sent a flashing shot into the top cornerpast Allan McGregor.

麦当劳纺布罗德并发出了闪烁的将球送入球门上角过去阿兰麦格雷戈。

---