ESD和半导体放电管什么区别?

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。ESD静电保护器件封装形式多样，从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT-143、SOT23-6L、SOIC-8、QFN-10等。电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装形式的ESD静电保护二极管。

半导体放电管，TSS（Thyristor Surge Suppressors），也称浪涌抑制晶闸管，是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。一般并联在电路中应用，正常工作状态下半导体放电管 处于截止状态，当电路中由于感应雷、 *** 作过电压等出现异常过电压时，半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常过电流， 保护后端设备免遭异常过电压的损坏，异常过电压消失后，半导体放电管又恢复至截止状态。 

SS24是2A 40V 肖特基二极管 详细参考资料：http://www.yint.com.cn/UpFiles/Down/20110703162130.pdf

Surface Mount Schottky Barrier Diodes 贴片肖特基二极管

肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），在电源工业领域已经有25年历史，它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

TYPE I(AV) VRRM IFSM VFM I RM @ VRRM Case

Style

@IRM VFM I(AV) TA=25℃

A V A V A mA

SS22/SMB 2.0 20 50 0.50 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

SS23/ SMB 2.0 30 50 0.55 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

SS24/SMB 2.0 40 50 0.55 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

SS25/SMB 2.0 50 50 0.70 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

SS26/SMB 2.0 60 50 0.70 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

SS28/SMB 2.0 80 50 0.85 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

SS210/SMB 2.0 100 50 0.85 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

*SS215/SMB 2.0 150 50 0.90 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

*SS220/SMB 2.0 200 50 0.90 2.0 0.5 SMB/Do-214AA

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