松下要退出中国了？为什么啊？

松下电器要退出中国市场？

来自日本贸易振兴会5月进行的一项调查显示，在接受调查的414家日本公司中，54.8%的公司计划扩张它们在华的现有业务，而去年12月的比例则超过86%。有7.5%的公司说它们“正计划推迟或取消在中国的投资项目”，而5.6%的公司说它们将“缩小(在华)生产或将生产转移到其他国家”

“不管外面天气变化如何，松下在中国的发展战略不变。”

7月15日，松下电器(中国)有限公司(下称“松下中国”)副董鲁ふ胖傥脑谏虾M嘎叮�上滤罩莅氲继骞こб延谇耙惶煺�娇�そㄉ琛T诖酥�埃�上略谥泄�鲇幸患野氲继骞こВ�挥谏虾！?

这已经是一个月内松下中国在上海第二次高调地表态了。上一次是在外高桥保税区松下电器(中国)机电公司的成立仪式上。

与此同时，受到中日关系的影响，日企在华投资大环境正遭遇着相当严峻的考验。

据了解，苏州工厂的投资金额将达到100亿日元(约1亿美元)。张仲文表示，按照这一投资规模，苏州工厂有望成为亚洲乃至全球最大的半导体工厂。

松下中国攻势调整

7月初，松下日本总部传来消息，松下计划在日本裁员，主要面向日本半导体部门。一个多星期之后，苏州半导体工厂开工建设。

这两年，松下在中国的调整也一直不断。去年底整合杭州的白色家电工业园区，今年，则将天津和上海两家机电公司合二为一。到目前为止，松下在中国的公司、工厂及研发部门已达61家，其中超过50%的企业为合资。

松下在中国的发展战略其实正在进行调整。人们对松下的印象，一直是家电制造商。松下中国总裁木元哲却表示，电子元器件产品将成为松下中国未来利润增长点。这是松下转变的重要信息。

但是，木元哲拒绝透露电子元器件领域在松下中国销售利润中所占的比例。来自松下中国的消息说，在2006年松下中国实现销售收入700亿元的目标里，50%的销售收入将来自电子元器件。苏州工厂的开工成为理所当然。

松下电器于去年发布了“跃进21计划”，为中国市场定下了2005年生产规模达到人民币700亿元，2006年销售规模达到人民币700亿元的计划。对于2004年实现人民币400亿元销售收入的松下中国而言，这个目标显然比较吃力。

以电子元器件作为增长点，是松下不得已的选择。因为家电产业的利润已走向边缘。在已公布的松下2004年度财务联合结算报告中，家电产品中仅PDP电视(等离子电视)一枝独大，销售额较去年同期猛增71%。其余产品的贡献都较为微弱。

尤其在中国，普通电视的市场份额已基本被国内厂商“包”下，难觅外资品牌。于是，松下、索尼、夏普等传统的日本家电制造商选择了“高端”，液晶、等离子电视应运而生。而与此同时，上广电、长虹、创维、康佳等国内巨头都已在两三年前宣布进入这一领域。

竞争不仅来自家电产业，通信领域也同样是阻碍重重。所有的设备生产商和手机制造商，都把“宝”押在迟迟不愿露面的3G上。比如，2002年，松下与同为日本企业的NEC、中国华为联合开发3G移动终端技术；2003年，松下与UT斯达康合作开发3G基础设备。

其间，松下曾对中国3G通信的发展作出预测，认为2004年投入商业运营，2005年开始大规模商业运营。但事实已证明，这些预测远没有变化来得快。松下在3G方面的投资也迟迟无法得到回报。

退出中国？

松下恐怕是少有的几个曾因“公众事件”而被迫在中国停止某一产品销售的日本公司了。一直以来，投资中国的日本企业一直都低调行事。但是今年，他们却被迫成为焦点。

松下中国的内部人士曾经向记者表示，4月以来，打电话询问松下在中国的发展战略是否发生变化的媒体不计其数，这让他们感觉非常困扰。

与此同时，也确有一些日本企业因为中日关系趋冷，而作出战略调整。如落户深圳的友利电电子(深圳)有限公司，这是一家以生产电话机及其相关设备为主的企业。其相关负责人5月底表示，将选择菲律宾作为新的生产基地，生产无绳电话。

据了解，菲律宾的工厂是友利电将生产全部转移到中国前的生产基地，这意味着，友利电恢复了老厂的生产。友利电的理由是，规避中国风险及增强生产能力。

一直以来，友利电的产品在中国一直销售不佳，以出口欧美为主。出于同样的原因，索尼也于年初宣布退出中国PDP电视市场，专心发展欧美市场。

据了解，索尼、东芝、富士通等日本制造商都先后传出要退出PDP电视市场的消息，除索尼承认将退出中国市场之外，其余两家均否认了这一传言。

不过，到目前为止，市场的风险对于日本企业而言，仍然是可以克服的。

根据《日本经济新闻》的调查，有将近80%的企业接受调查时表示“要继续扩大对中国的投资”。日本经济新闻社的这项调查从4月上旬开始到4月中旬结束，调查对象都是日本国内主要大企业的董事长、总经理，138家企业中有130家企业得到了反馈。

在调查的这些企业管理者中，近八成的日本企业表示将继续加大对中国的事业发展，而真正研究将减少在中国事业发展只占0.8%。

来自日本贸易振兴会5月进行的一项调查显示，在接受调查的414家日本公司中，54.8%的公司计划扩张它们在华的现有业务，而去年12月的比例则超过86%。有7.5%的公司说它们“正计划推迟或取消在中国的投资项目”，而5.6%的公司说它们将“缩小(在华)生产或将生产转移到其他国家”。

日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。

事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。

如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。

GaN衬底企业

东莞市中稼半导体 科技 有限公司

东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。

官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。

东莞市中晶半导体 科技 有限公司

东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。

中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。

苏州纳维 科技 有限公司

苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。

据官网介绍，目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。

镓特半导体 科技 （上海）有限公司

镓特半导体 科技 （上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。

官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。

GaN外延片企业

苏州晶湛半导体有限公司

苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。

官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。

2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。

在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。

聚力成半导体（重庆）有限公司

聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。

2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。

GaN制造企业

成都海威华芯 科技 有限公司

成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。

海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

厦门市三安集成电路有限公司

厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。

三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。

华润微电子有限公司

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。

2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。

杭州士兰微电子股份有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。

近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企业

苏州能讯高能半导体公司

苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。

能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。

江苏能华微电子 科技 发展有限公司

江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。

能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。

2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

大连芯冠 科技 有限公司

大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。

官网介绍称，芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

江苏华功半导体有限公司

江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。

根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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松下电器产业株式会社在中华人民共和国（以下简称“中国”）江苏省苏州高新区创办的生产半导体产品的当地子公司“苏州松下半导体有限公司”（英文名称：Panasonic Semiconductor(Suzhou) Co.,Ltd.,简称：PSCSZ），于5月15日举行了新工厂开工典礼，苏州市政府领导及松下电器的领导应邀出席。

PSCSZ是在中国的手机、DVD、音频等电子设备生产急剧增长的环境下，为了满足市场对于单体半导体产品的巨大需求，于2001年12月创办并顺利地实施了事业的拓展。随着市场需求的进一步扩大，自2005年7月开始，公司推进了新工厂的建设。新工厂通过试运转，设备调整，彻底完善了量产体制，于今日正式开工、进入正常运转。

PSCSZ今后将以单体半导体产品为中心，实施增产，以期进一步地扩大规模。产品不仅面向中国国内市场销售，预计PSCSZ还将成为松下集团单体半导体产品的全球供应基础。

新工厂概要

公司名称：苏州松下半导体有限公司

（英文名称：Panasonic Semiconductor(Suzhou) Co.,Ltd.,简称：PSCSZ）

法人代表：宫野 昌彦

所在地： 中华人民共和国 江苏省 苏州高新区鹿山路666号

事业内容：单体半导体的组装、检查以及销售

员工数： 约2,100名

Panasonic 集团是全球性电子厂商，从事各种电器产品的生产、销售等事业活动。1978年，中国国家领导人参观了我集团日本电视机工厂。在双方会谈中，创业者松下幸之助表达了为中国做贡献的决心。随后，我集团进入了中国事业的起始阶段。在这几年中，集团一直致力于产品出口以及对中国工厂的技术合作，并于1987年设立了第一家合资工厂。截至今日，Panasonic集团在中国大陆地区（含香港地区）的事业活动涉及研究开发，制造、销售、服务、物流、宣传等多个方面。

松下电器（中国）有限公司成立于1994年，并于2002年实现了独资，主要负责开展家电和系统商品的批发和售后服务活动。作为中国地区投资性公司，松下电器（中国）有限公司还负责开展人才培养、财务、法务、环境保护、知识产权等统括和支援活动。

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