也就是GI层沉积。GI是TFT中，栅极金属和半导体Si之间的绝缘层，通常为SiNx/SiOx称之为Gate Insulator 栅极绝缘层。
http://www.fudan.edu.cn/new_dep/dep.htm微电子学系于2001年正式成立，现有教授13名（其中博士生导师10名），副教授23名，讲师9名。其中具有博士学位的教师有13名。
微电子学是一门极为活跃的高新技术学科，我系科研的主要研究方向为：（1）SOC设计方法学研究和应用；（2）集成电路计算机辅助设计；（3）半导体工艺、微电子薄膜及其在固态器件中的应用；（4）微电子机械系统和集成传感器研究。
本系培养的学生具有坚实的数理基础，能掌握微电子学领域所必需的半导体物理、器件与工艺的基础理论和实践技能；掌握各种新型器件的结构及大规模集成电路设计方法与制造工艺；熟悉电子技术与电子计算机技术，了解本学科发展的新成就，有较强的科学研究和一定的解决实际问题的能力。本科毕业后可在微电子学领域及相关的交叉学科领域，如集成电路的设计与制造、计算机技术的开发与应用、电路与系统的开发与维护等从事科研、教学和技术工作。本科生主要课程有：模拟与数字电路、微机原理与应用、软件技术基础、半导体物理、半导体材料、半导体器件原理、集成电路工艺原理、集成电路设计原理、微电子工艺实验及微电子器件测试实验。
目前，本系已建成完备的本科生、硕士生和博士生培养的教学体系，即有成熟的教学计划和课程设置。本系共有5个科研实验室：专用集成电路和系统国家重点实验室，集成电路设计实验室，IC-CAD实验室，微电子工艺实验室，传感器实验室；2个教学实验室：半导体工艺实验室和半导体与集成电路参数测试实验室。
微电子学系的“微电子学与固体电子学” 学科为国家重点学科，并建有全国唯一的有关IC设计的“专用集成电路和系统”国家重点实验室。目前承担着863、国家计委示范化工程、自然科学基金和国防预研等科研项目。
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致沟道形成的细节没有画出
掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。在耗尽模式的FET下，漏和源可能被掺杂成不同类型至沟道。或者在提高模式下的FET，它们可能被掺杂成相似类型。场效应晶体管根据绝缘沟道和栅的不同方法而区分。FET的类型有：
DEPFET（Depleted FET）是一种在完全耗尽基底上制造，同时用为一个感应器、放大器和记忆极的FET。它可以用作图像（光子）感应器。
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一种有两个栅极的MOSFET。
DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET，它通过用单链DNA分子制成的栅极去检测相配的DNA链。
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一种用于提供非常快的重启（关闭）体二极管的特殊FET。
HEMT（高电子迁移率晶体管，High Electron Mobility Transistor），也被称为HFET（异质结场效应晶体管，heterostructure FET），是运用带隙工程在三重半导体例如AlGaAs中制造的。完全耗尽宽带隙造成了栅极和体之间的绝缘。
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种用于电力控制的器件。它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件.
ISFET是离子敏感的场效应晶体管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度（例如pH值）改变，通过晶体管的电流将相应的改变。
JFET用相反偏置的p-n结去分开栅极和体。
MESFET（Metal-Semiconductor FET）用一个肖特基势垒替代了JFET的PN结；它用于GaAs和其它的三五族半导体材料。
MODFET（Modulation-Doped FET）用了一个由筛选过的活跃区掺杂组成的量子阱结构。
MOSFET用一个绝缘体（通常是二氧化硅）于栅和体之间。
NOMFET是纳米粒子有机记忆场效应晶体管（Nanoparticle Organic Memory FET）。
OFET是有机场效应晶体管（Organic FET），它在它的沟道中用有机半导体。
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