芯片战争争夺的是什么？

特朗普挑起的茬，营造高科技封锁，光刻机成重头戏。中国芯片产业，部分从零开始，需要迎头赶上，由于齐心协力，各地投入已到位，实际进展可谓迅速，美国已感到压力，半导体产业链，面临着分崩离析。美国媒体声称，中国研发升级，加速芯片的国产化，在重塑芯片市场。

中美关系脱钩，科技战先走一步。美国战略中心，副总裁刘易斯说，中国半导体产业，起步虽然比较晚，区域经济匹配，研发人才充分。或许三年五载，就可能弯道超车，重塑芯片市场，打造独立产业链。战略目标更明确，取代西方供应商，谋求重组新秩序，让中国占据主导地位。

美国之音表示，最新的迹象显示，美中在芯片领域，博弈更趋激烈。中国近年够努力，举国力搞芯片，基本面尚未改观，缺乏根本性改善。但是许多领域，难题逐渐被攻克，在半导体供应链中，已逐渐形成优势，由于齐心协力，回归人才贡献大，中国在突飞猛进，进展更不容小觑。

哈佛教授艾利森、谷歌前CEO施密特，最近联合撰文称，中国半导体行业，具有规模效应，已取得实质性进展。各类留学生人才，利用知识先导，开发更前沿技术，成果引人注目。按照业界的分析，有望在2025年，超越台湾地区，成最大芯片制造产地。

中国的芯片产业，增长速度拔头筹。20家增长最快的，全球芯片行业中，有19家来自中国。英国资本市场，研究机构报告，中美两国对决，对芯片产业的投资，大都卯足了全力，中国已占据上风。去年的全球风投，对半导体的投资，已经创下新记录，多达70%风投资金，清一色流向大陆。

高端的芯片制造，中国还刚起步，与国际最顶尖的，工艺有2—3代差距。但是，在芯片产业链中，不可忽视的强项，在某些特定领域，已接近国际先进。在芯片存储方面，长江存储了不起，闪存NAND拔尖，为超级计算机、中央处理器，提供动力芯片，处于世界领先地位，最先进超级计算机。

全球化大势所趋，在全球产业链中，我们处于中低端，美国却处中高端。特朗普重新洗牌，拜登眼高手低，变本加厉拆解，抑制中国的崛起。集成电路的设计、制造和封测环节，相对最为强势。中国在芯片组装、封装和测试三方面，占全球市场的38%。

最关键原材料市场上，甚至占主导地位。中国是产钨大国，占到总储量70%，总产量占到80％。不可少材料镓，几乎占据垄断。中国镓矿储量、产量均居首位，全球储量23万吨，中国储量19万吨、美国仅0.45万吨。中国搞人海战术，7万多家相关企业，参与芯片国产，中国将实现超越。

中国制造已逆袭，打造完整产业链，已搭建了完整格局，只有半导体产业，存在太多的短板。其实，从稀土、光伏、到高铁，清一色后来居上。在政府扶持下，从低端做起，凭超大市场、强大制造能力，以价格优势起家，逐步缩小代差，登上金字塔之巅。

在芯片领域进步，让美国感受压力。英特尔、英伟达、德州仪器、谷歌、亚马逊、微软在内，120多家美国公司，罕见联名公开信，敦促国会通过。追加520亿美元，确保美国在半导体，在供应链优势份额。在高端芯片方面，仍有很长路要走，也还没到达乐观程度，依然是任重而道远。

      近日，我国宣布全面支持半导体产业，这将加速我国半导体产业的自给自足，在相关领域不再受限于人。这对我国半导体产业的发展起到至关重要的作用，目前，我国的半导体产业发展还处于非常弱小的阶段，与发达国家还有较大差距。

      大家都知道，美国等国家正在对我国展开一系列制裁，制裁的重点就是在半导体产业。由于我国的半导体产业起步尚晚，还没有形成一套完善的体系。在美国严厉的打压下，我国一些企业只能苦苦支撑，没有什么好的反制手段。

以华为为代表的优秀企业，在很早之前就开始布局自己的芯片，发展到现在，华为的麒麟已经成为我国乃至世界一流的芯片。在刚开始面对美国无理打压时，还可以游刃有余的应对。但就在美国说出那句“使用美国技术的公司必须获得许可”后，华为明显变得心有余而力不足，自研的麒麟芯片也宣布停产。

       造成这种局面最大的原因就是，华为等公司只有芯片的设计制造能力，但并无法实现量产。国内以中芯国际为代表的半导体企业现有的工艺水平还远远达不到目前所需要的标准。 可以实现先进工艺量产的企业又只有国外的三星与我国台湾省的台积电。但这些公司无一不用到了美国的技术，这也使得无法为华为等公司提供服务。所以我国现有的半导体产业还很脆弱，在一些相对落后的工艺面前勉强可以实现自给。没有实现先进工艺足够的国产化与自给能力。

      但随着我国在半导体产业的发力，以及对国内半导体公司的政策支持，相信我国很快就可以迎头赶上，并且实现反超。先进的技术绝对不能靠他人给予，只有真正掌握在自己手里，才可以面对恶意打压时毫不在意。

半导体分立器件制造行业主要上市公司：目前国内半导体分立器件制造行业的上市公司主要有华润微(688396)、士兰微(600460)、扬杰科技(300373)、华微电子(600360)、新洁能(605111)、苏州固锝(002079)、银河微电(688689)、立昂微(605358)、捷捷微电(300623)、台基股份(300046)等。

本文核心数据：功率半导体分立器件产量、产值、市场结构

1、功率分立器件产量和产值持续上涨

功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。2015-2020年，中国功率半导体分立器件产量和产值均呈现持续上涨的趋势。2020年，中国功率半导体分立器件产量为4885亿只，较2019年同比增长8%。2020年，中国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年同比增长3%。

2、MOSFET产品优势凸显、需求量大

功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三大类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控型分立器件，MOSFET根据应用特性的不同，还包括平面型功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET等多种类型。

MOSFET在分立功率半导体器件当中排名首位，2019年占市场规模的36.3%，其次为二极管、其他三极管(包括IGBT)及晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%及5.5%。

MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面而功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势。基于产品自身的特点和优势，MOSFET和二极管在功率分立器件市场中占据近70%的市场规模。在MOSFET下游应用的快速发展基础下，按MOSFET销售额划分的市场规模已由2015年的37亿美元增至2019年的53亿美元，复合年增长率约9.2%。

注：市场结构数据根据2019年市场规模数据计算所得。

3、功率分立器件市场规模将继续增长

展望未来，依据全球需求的普遍上升，加上中国制造分立器件如MOSFET、二极管及三极管的庞大产能，中国功率半导体分立器件市场规模预期将会持续增长。预计到2026年，中国功率半导体分立器件产量将超过16000亿只，产值将超过500亿元。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国半导体分立器件制造行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》

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