
半导体材料的电性是位于导体和绝缘体的中间。可区分为元素半导体及化合物半导体两大类,其中元素半导体材料以矽和锗为代表化合物半导体材料则以砷化镓为代表。这些材料的电特性对 于存在的少量杂质元素的浓度非常敏感,影响其电性甚钜。常见的杂质元素有磷、硼、砷等元素 。
为了改变电导率,特意向半导体掺入杂质。最常用的半导体是元素矽与锗,它们的晶体点阵都由每个原子与它最邻近的4个原子共享1个电子而构成。如果这种点阵中有少部分原子为有5个可成价电子的磷、砷等原子所取代,那么每个杂质原子的多余电子就用于导电。这种半导体就叫掺磷或掺砷半导体。其中磷或砷的原子就称为施主 .能提供电子载流子的杂质称为 " 施主杂质 ".
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性,称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别,而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有:禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然,对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。
★最大整流电流IF:指二极管长期工作,允许通过的最大直流电流。
★最高反向工作电压UR:指二极管正常使用允许加的最高反向电压。
稳压管:稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。 ★稳定电压UZ:UZ是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。
★稳定电流IZ: IZ是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。只要不超过稳压管的额定功率,电流愈大,稳压效果愈好。
★额定功耗PZM:PZM等于稳压管的稳定电压UZ与最大稳定电流IZM的乘积。稳压管超过此值时,会因结温升高而损坏。
★动态电阻rZ:rZ为稳压管工作在稳压区时,稳压管电压的变化量与电流变化量之比,即 。rZ愈小,电流变化时UZ的变化愈小,稳压性能愈好。
★温度系数 : 表示温度每变化1°C稳压值的变化量,即 = 。
限流电阻:稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流,从而保证稳压管正常工作,故称这个电阻为限流电阻。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表(0条)