
半导体泵浦固体激光器,是一种用半导体固体激光材料作为工作物质的新型激光器。半导体泵浦固体激光器近年来国际上发展很快,应用也非常广泛。
也是一种高效率、长寿命、光束质量高、稳定性好、结构紧凑小型化的第二代新型固体激光器,已在空间通讯,光纤通信,大气研究,环境科学,医疗器械,光学图象处理,激光打印机等高科技领域有着独具特色的应用前景。
可以的
WFF830N:
漏极与源极间电压VDSS:500V
漏极电流ID:5.0A(温度= 25°C);3.0A(温度= 25°C);
漏极最大电流IDM:18A
栅极与源极间电压VGS:±30V
IRF830:
漏极与源极间电压VDSS:500V
漏极电流ID:4.5A
漏极最大电流IDM:18A
栅极与源极间电压VGS:±20V
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。
由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
扩展资料:
与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);
(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
参考资料来源:百度百科-场效应管
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