LDMOS与MOSFET的区别？

LDMOS，横向扩散金属氧化物半导体，是高频大功率器件。LDMOS 初期主要面向移动电话基站的 RF 功率放大器。 MOSFET，金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管。速度不如LDMOS，但应用更广泛。

常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge）,化合物半导体，如砷化镓（gaas）等掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。

有以下共同特点：

1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间

2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。

3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

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