打破美日垄断！国产芯片技术迎来突破，半导体行业加速自主化

在受到西方国的技术封锁、原材料断供等手段之后，我国的芯片市场遭到了前所未有的打击，在这样的情况下，诸多西方媒体纷纷跳出来说着“中国芯片自主研发是妄想”等言论，但事实真就如他们所说吗？

其实随着 我国 科技 方面的不断进步，一个个 科技 难题被攻破 ，我国在芯片领域的发展可谓是突飞猛进，用ASML总裁的话来说就是： “如果继续对中国进行技术封锁，要不了多久中国就能实现芯片自主化。”

在“中国芯”的研发道路上， 不仅光刻机被荷兰ASML垄断，制造芯片的核心材料也是时常遭受“断供威胁”。

芯片的研发制作必然离不开光刻，而在光刻的过程中， 光刻胶和光刻机都是其中必不可少的一员 ，光刻胶的精密度越大则生产出的芯片就越先进。

简单来说，如果没有好的光刻胶，即便我们有最先进的EUV光刻机也是形同虚设， 光刻胶是除了光刻机之外的第二大技术难题。

高精度光刻胶的生产技术牢牢掌握在日本手中，我国只能够生产出一些低精度的光刻胶， 高精度光刻胶的来源主要是进口 ，而据数据显示， 全球市场上高端光刻胶由90%以上是由日本和美国提供，我们也时常因此被“卡脖子”。

就是在西方强国技术封锁的情况下， 我国将光刻胶自主研发提上了日程 ，并在2019年建立光刻胶的生产基地，耗时两年后终于传来了好消息： 光刻胶已经自主研发成功 ，国产光刻胶迎来曙光，为国内半导体行业的发展带来了新的希望，一举摆脱“卡脖子”的窘境。

除了制造芯片的核心材料光刻胶得到突破以外 ，我国在芯片设备研发上也传来了利好消息 ，在全球各大芯片企业研发刻蚀机无法取得突破的同时， 我国的 中微半导体公司率先研制出了3nm刻蚀机 ，并且已经完成了原型机设计、测试工作，如此高精度的刻蚀机可以说在全球都是不可多得的存在。

有人看到这可能会有些迷茫， 刻蚀机的工作原理是什么？它突破有何意义？光刻机有何不同？

其实， 刻蚀机对于“中国芯”的研发来说，也是有着举足轻重的作用 ，刻蚀机和光刻机虽然仅仅一字之差，但是它们分别是芯片制造中两个关键流程所用到的设备。

总的来说， 光刻机就如同我们的车载导航，而刻蚀机则代表着我们的车辆 ，只要跟着导航走就能够安全到达指定地点。

随着3nm刻蚀机的问世，我国的国产芯片水平更上一层楼，同时 它的出现也让不少国人们看到了“中国芯”问世的希望。

但也有部分人表示， 有着高精度刻蚀机没有高精度光刻机，“中国芯”也难以得到实现 ，但事实真就是如此吗？

一直以来，光刻机都是生产高精度芯片的核心设备，而光刻机生产技术一直牢牢掌控在荷兰ASML公司手中，而ASML又因为与美国的协议无法对我国出口光刻机，导致我国半导体领域发展一直萎靡不振。

但是最近，我国最大的光刻机厂商上海微电子传来了好消息： 其公司自主研发的28纳米光刻机已经问世并且通过认证，预计在年底可以正式交付投入使用。

国产光刻机的问世也让许多人发出质疑， 国产光 科技 的工作效率和质量能和ASML公司的光刻机媲美吗？

值得一提的是， 上微电子所研发出的光刻机进度和ASML的DUV光刻机是一样的 ，而DUV光刻机在英特尔手中被用来制造出了10纳米芯片，台积电更是用DUV光刻机量产出了7纳米芯片。

这也就意味着， 我国只要时机成熟，完全可能由现如今的量产28纳米芯片技术跳跃到量产7纳米芯片技术。

除此之外，根据我国目前对于芯片的需求来看，28纳米的芯片已经能够满足大部分市场需求，而上 海微电子研发的这台28纳米光刻机更是让“中国芯”的实现更进一步。

如今看来，在 美国芯片禁令的影响 下，虽说 对于我国半导体事业虽说有一定影响 ，但与此同时 更加快了“中国芯”的发展进程 ，美国这一做法无疑是搬起石头砸自己的脚。

我国先后在 光刻胶、蚀刻机、光刻机 等领域取得突破，所以我国想要突破芯片国产化只是时间问题， 我国的半导体行业也正在飞速发展，等到我国打造出属于自己的芯片产业链，芯片禁令也将成为笑谈！

最后，对于美国在芯片上对我国进行打压的行为，你又有什么不同的看法呢？欢迎你们在评论区与零零柒进行探讨。

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

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