CLI、STI 汇编指令有什么作用？

CLI汇编指令全称为Clear Interupt，该指令的作用是禁止中断发生，在CLI起效之后，所有外部中断都被屏蔽，这样可以保证当前运行的代码不被打断，起到保护代码运行的作用。

STI汇编指令全称为Set Interupt，该指令的作用是允许中断发生，在STI起效之后，所有外部中断都被恢复，这样可以打破被保护代码的运行，允许硬件中断转而处理中断的作用。

扩展资料

CLI和STI汇编指令只能在内核模式下执行，不可以在用户模式下执行；而且在内核模式下执行时，应该尽可能快的恢复中断，因为CLI会禁用硬件中断，若长时间禁止中断会影响其他动作的执行（如移动鼠标等等），系统就会变得不稳定。

其次，在标志寄存器中中断标志清零的情况下，可以以“int  ××”的形式调用软中断。序员可以改变段地址和偏移地址，但是在这个过程中如果需要改变段寄存器SS和SP必须禁止中断，当改变完成后即可恢复中断（在cli指令后需要有与其配对的sti指令，否则计算机会崩溃）。

参考资料来源：百度百科-汇编指令（其他指令）

STI是英文 shallow trench isolation的简称，翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。下面详细介绍一下浅槽隔离的步骤，主要包括：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。槽刻蚀隔离氧化层。硅表面生长一层厚度约150埃氧化层；可以做为隔离层保护有源区在去掉氮化物的过程中免受化学沾污。氮化物淀积。硅表面生长一薄层氮化硅：a)由于氮化硅是坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区 b)在CMP时充当抛光的阻挡材料。掩膜，浅槽隔离STI槽刻蚀。在经过上面的光刻之后把没有被光刻胶保护的区域用离子和强腐蚀性的化学物质刻蚀掉氮化硅、氧化硅和硅。需要注意的是会在沟槽倾斜的侧壁及圆滑的底面有助于提高填充的质量和隔离结构的电学特性氧化物填充沟槽衬垫氧化硅硅片再次清洗和去氧化物等清洗工艺后，高温下在曝露的隔离槽侧壁上生长150埃的氧化层，用以阻止氧分子向有源区扩散。同时垫氧层也改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性沟槽CVD氧化物填充氧化物平坦化化学机械抛光氮化物去除

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分别对应p阱和N阱，在进行阱注入时，产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性，即首先采用高能量、大剂量的离子注入，注入的深度约为 1um，注入区域与阱相同，随后通过大幅降低注入能量及剂量，控制注入深度和掺杂剖面。阱的注入掺杂不仅可以调节晶体管的阈值电压，也可以解决CMOS 电路常见的一些问题，如闩锁效应和其他可靠性问题。

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