
半导体内还有不可移动的电荷,比如带正电的原子核,这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡,维持电中性条件了;在杂质半导体中, 正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消,因此保持电中性。
半导体是中性物。在激发态才是P型半导体,也叫空穴半导体,在硅中掺杂了3价的铝元素,与周围硅4价形成共价结合,缺一个电子,形成空穴。这样是相当于带正电的粒子。
N型半导体,也叫电子半导体,在硅中掺杂5价磷,和硅4价,结合共价后,多一个自由电子。当PN结组合形成二极管结构,就利用PN结的特性。
扩展资料:
n型半导体是里面加了一些带自由电子的原子参杂,是稳态的,这些电子虽然比空穴多,但是受核子的束缚。
由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。
参考资料来源:百度百科-N型半导体
半导体不导电时,内部有自由电荷。即所谓“静态材料特性”。半导体材料不导电时的内部自由电荷,是由环境温度造成的。半导体材料的基本结构是:PN结。PN结的温度稳定性,关键就是温度系数,即在静态状态下,经扩散形成的PN结,残存的空穴或自由电子的数量关系。数量越大,对环境温度的影响越敏感,所谓敏感,就是所产生的正负自由电荷越活跃。故PN结静态材料特性,直接影响半导体器件的温度稳定性。本征(纯净)或者P型与N型(杂质)半导体中有电子,当外围电子脱离共价键时,留下的空位(术语叫空穴)认为带正电,可以认为是正电荷,但不是真正的正电荷.在电场的作用下,空穴(带正电)的运动方向与电流的方向一致,电子的运动方向与电流的方向相反.在电场的作用下,电荷在导体中的运动情况:正电荷的运动方向与电流的方向一致,负电荷的运动方向与电流的方向相反.在无电场的作用下,电荷在导体中的运动情况是杂乱无章.
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