
栅极和屏极是电子管中的两个电极的称号。如图为电子管简图。
灯丝通电后加热阴极,阴极和屏极(即阳极)之间接有较高电压,阴极加热后可以不断地发射电子,电子飞向屏极(在电子管内部,屏极电流流向阴极)。屏极的作用,就是接受电子。
在阴极和屏极之间安装了栅极,栅极和阴极之间接有信号电压(控制电压)信号电压控制了阴极到屏极的电子的数量,从而改变了屏极电流的大小,所以屏极电流的变化反映输入信号的变化,具有放大信号的功能。栅极的作用是通过栅极电压控制屏极电流。
基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理:由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场,当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场,因而其电流会很小,当外加电压由p型指向n型时,内建电场降低,电流可顺利通过pn结,形成单向导电的特性。MOS结构:主要由栅极,漏极及源极三部分构成。工作原理:通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构:由发射极,基极,集电极构成。基本原理:通过控制发射极与基极之间的电压以及集电极与基电极之间的电压实现电流的放大,截至等效应。结型场效应晶体管:与MOS构成类似,不同点仅在于其栅极位于沟道的上下两侧。工作原理:上下栅极同时控制沟道的载流子浓度及沟道的宽度实现对电流的控制。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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