
常见的
半导体材料有硅(si)、锗(ge),化合物半导体,如砷化镓(gaas)等掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼(b)、磷(p)、锢(in)和锑(sb)等。其中硅是最常用的一种半导体材料。\x0d\x0a有以下共同特点:\x0d\x0a1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间\x0d\x0a2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。\x0d\x0a3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理:由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场,当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场,因而其电流会很小,当外加电压由p型指向n型时,内建电场降低,电流可顺利通过pn结,形成单向导电的特性。MOS结构:主要由
栅极,漏极及源极三部分构成。工作原理:通过栅极控制
沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构:由发射极,基极,集电极构成。基本原理:通过控制发射极与基极之间的电压以及集电极与基电极之间的电压实现电流的放大,截至等效应。结型场效应晶体管:与MOS构成类似,不同点仅在于其栅极位于沟道的上下两侧。工作原理:上下栅极同时控制沟道的载流子浓度及沟道的宽度实现对电流的控制。
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