氧化铟的等电点是多少

氧化铟在700℃分解为氧化亚铟（一氧化二铟），其于2000℃进一步分解。

淡黄色的氧化铟可溶于酸和碱，但棕红色的相对难溶。和氨在高温下反应，形成氮化铟。

In2O3 +2NH3 → 2InN + 3H2O

同样地，氧化铟也能被氢气还原，产生氧化亚铟或金属铟：

In2O3 + 3 H2 → 2 In + 3 H2O

In2O3 + 2 H2 → In2O + 2 H2O

氧化铟和Cs2O在600℃反应，可以得到无色吸湿性的偏铟酸铯（CsInO2）[4]；K2O和铟可以形成分子式为K5InO4的化合物，其中有四面体结构的InO45−。

和一些三价金属氧化物反应，可以形成钙钛矿结构的化合物，例如：

In2O3 + Cr2O3 → 2 InCrO3

应用

氧化铟被使用在一些类型的电池，对可见光透明的薄膜红外线反射镜（热镜），一些光学涂层，有的抗静电涂料。二氧化锡的组合，氧化铟形式的氧化铟锡（也称为锡掺杂的氧化铟或ITO）用于透明导电涂层的材料。

在半导体中，氧化铟可以作为一种n型半导体，用于集成电路中的电阻器。

在组织学，氧化铟被用作一些染色剂配方的一部分。

氧化铟锡 (ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物 (In2O3) and 锡（IV族）氧化物 (SnO2)的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2。它在薄膜状时，为透明无色。在块状态时，它呈黄偏灰色。氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。