为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同

由爱因斯坦方程 D/u = KT/q D 载流子（电子或空穴）扩散系数,u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数. 由于扩散系数的不同,就是说在相同温度下电子与空穴的迁移率不同.其速度为迁移率和电势能的乘积,所以速度不同. PS 至于扩散系数,是由平均自由城和平均自由时间等搞出~空穴的D一般比电子的D小~~

半导体中，温度越高，载流子平均热运动速度越大，散射机率越小。晶格散射随温度增强主要由于晶格本身的热震动随着温度的上升而变大（类似于温度高了，晶格热震动强了，导致其与载流子的碰撞截面增大）。或者说随着温度的升高，晶体里声子变多，载流子与声子的散射率越来越高。

如果是响应特性的话题主可能是想问半导体的响应速度，也就是对高频信号的响应。首先在半导体本身上面分析，就是看禁带的形状，因为这影响到电子在半导体内部的有效质量，禁带变化得越激烈，有效质量越小，受电场加速越快，响应速度就越快。同理还跟掺杂有关系，掺杂越多电子运动阻碍变多，弛豫时间变短，响应也会变慢。在期间层面上金属半导体结或者pn结之间的势垒相差太大，电子穿越的时候需要能量就高，响应也会变慢；还有就是半导体作材料时的厚度，接触面积都会影响传播的时间影响响应速度：材料越薄，接触面积越大，响应越快。如果没有回答对方向可以随时回复~

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