芯片ubm全称

芯片ubm全称：Universal Broadcast Modem。

美国高通宣布其通用手机电视芯片UBM(Universal Broadcast Modem，通用广播调制解调器。）芯片提前出样。高通称该芯片支持三种手机移动电视标准：FLO技术、欧洲DVB-H和日本ISDB-T标准。

UBM是在芯片焊盘与凸点之间的金属化过渡层，主要起粘附和扩散阻挡的作用，它通常由粘附层、扩散阻挡层和浸润层等多层金属膜组成。

目前通常采用溅射、蒸发、化学镀、电镀等方法来形成UBM，所以UBM层的制作是凸点制作的关键工艺之一，其好坏将直接影响凸点的质量，以及倒装焊接的成品率和封装后凸点的可靠性。

芯片的原理

芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用1、0来表示。

多个晶体管产生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功能，来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。芯片加电以后，首先产生一个启动指令，来启动芯片，以后就不断接受新指令和数据，来完成功能。

电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。

电导调制效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。

当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。

电迁移效应：

电迁移是金属线在电流和温度作用下产生的金属迁移现象，它可能使金属线断裂，从而影响芯片的正常工作。电迁移在高电流密度和高频率变化的连线上比较容易产生，如电源、时钟线等。为了避免电迁移效应，可以增加连线的宽度，以保证通过连线的电流密度小于一个确定的值。

电迁移效应主要发生在高电流密度和高频率变化的连线上，如电源、时钟线等。在芯片的正常寿命时间中，电源网络中的大电流会引起电迁移效应，进而使得电源网络的金属线性能变差，最终影响芯片的可靠性。避免电迁移效应的主要方法为增大金属线宽。

电源网格中的大电流也会引起电迁移（EMI)效应，在芯片的正常寿命时间内会引起电源网格的金属线性能劣化。这些不良效应最终将造成代价不菲的现场故障和严重的产品可靠性问题。

阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性，由于焊点的特殊几何形状，电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处；电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物（IMC)的生成与溶解，以及焊点下的金属化层（UBM)的溶解和消耗，使原子发生迁移并会产生孔洞，造成焊点破坏，缩短了焊点平均失效时间（MTTF)，从而带来可靠性问题。

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