半导体电导率随温度变化

你这个“一般情况”说的不清楚。对于半导体的电阻率对温度变化的性质，要分两种情况讨论。第一，本征半导体，载流子全部由自身产生，温度升高，载流子浓度增加，电导率提升，电阻率下降；第二，杂质半导体，这个要结合本征激发和杂质电离综合讨论，还要考虑温度升高对晶格散射的影响，只能结合实例分析。你找到的第二个应该可以参考硅基半导体掺杂后电阻率随温度变化的情况，可以翻一翻刘恩科的《半导体物理》，讲的很清楚。

p型半导体的电导率随温度升高而升高。温度升高，受主电子跃迁，电导率升高，当受主电子耗尽时，此时温度不够高，不足以产生明显数量的本征电子和空穴，此时电导率近乎不变，温度达到一定时，本征电子和空穴数量明显增多，导电率进一步升高

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