性能及参数？

内存的性能参数分为三种：速度、容量、奇偶校验。

1、速度作用：

存取时间是内存的另一个重要指标，其单位为纳秒(ns)，常见的SDRAM有6ns，7ns，8ns，10ns等几种，相应在内存条上标为-6，-7，-8，-10等字样。这个数值越小，存取速度越快。内存慢而主板快，会影响CPU的速度，还有可能导致系统崩溃；内存快而主板慢，结果只能是大材小用造成资源浪费。

2、容量作用：

内存条是否能以完整的存储体(Bank)为单位安装将决定内存能否正常工作，这与计算机的数据总线位数是相关的，不同机型的计算机，其数据总线的位数也是不同的。

3、奇偶校验作用：

奇/偶校验是数据传送时采用的一种校正数据错误的一种方式，分为奇校验和偶校验两种。

如果是采用奇校验，在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位，当原来数据序列中“1”的个数为奇数时，这个校验位就是“0”，否则这个校验位就是“1”，这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。

在接收方收到数据时，将按照奇校验的要求检测数据中“1”的个数，如果是奇数，表示传送正确，否则表示传送错误。同理偶校验的过程和奇校验的过程一样，只是检测数据中“1”的个数为偶数。

扩展资料：

内存条通常有8MB，16MB，32MB，64MB，128MB，256MB等容量级别，从这个级别可以看出，内存条的容量都是翻倍增加的。

目前，64MB，128MB内存已成为了主流配置，而用于诸如图形工作站的内存容量则已高达256MB或512MB，甚至更高。SDRAM内存条有双面和单面两种设计，每一面采用8颗或者9颗(多出的一颗为ECC验)SDRAM芯片。

内存又称主存，是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。内存的特点是存取速率快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。

我们平常使用的程序，如Windows *** 作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。

概述：英特尔45纳米高K半导体制程技术全称为英特尔45纳米高K金属栅硅制程技术。该技术突破性的采用金属铪制作具有高K特性的栅极绝缘层，是半导体行业近40年来的重要创新。英特尔的65纳米制程升级为45纳米制程技术并非以往升级所带来的量变，而是脱胎换骨的飞跃。凭借制程的创新，英特尔迈出TICK-TOCK产品发展战略稳健的又一步，并拉开了半导体行业发展的历史新篇章。这一创新再次延续了摩尔定律，使之在未来10年继续有效。随着英特尔45纳米半导体制程技术揭开神秘面纱，一系列采用该技术的服务器、工作站及台式机处理器同期发布。较前代产品，新产品在性能、能耗比以及经济性方面有显著提高，并将在正式发布后向市场供货。预览英特尔45纳米制程技术创新英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术英特尔45纳米高k金属栅极晶体管技术是英特尔制造晶体管的新方法，它以一种具有高k特性的新材料作为“栅极电介质”，并采用了一种新型金属材料作为晶体管的“栅极”。向这些新材料组合的转变，标志着40多年来晶体管制造方式最重大的变革。采用英特尔45纳米高k晶体管的优势全新英特尔45纳米高k晶体管方案通过缩小晶体管的体积解决了漏电率问题。它能降低晶体管的漏电率，帮助英特尔的工程师们在提供更高性能的同时降低处理器的能耗。同时，笔记本电脑用户也将发现，漏电率的降低使得能耗也随之减少，电池的使用时间更长了。英特尔在新制程技术中采用的新材料高k材料基于一种名为铪的元素，而不是以往的二氧化硅；而晶体管栅极则由两种金属元素组成，取代了硅。多数晶体管和芯片仍基于先进的英特尔硅制程技术制造。新的方案中结合了所有这些新材料，是英特尔提升处理器性能的独特手段。采用金属铪的价值所在铪是元素周期表中的72号元素，也是一种金属材料。它呈银灰色，具有很高的韧性和防腐性，化学特性类似于锆。英特尔之所以在45纳米晶体管中采用铪来代替二氧化硅，是因为铪是一种较厚（thicker）的材料，它能在显著降低漏电量的同时，保持高电容来实现晶体管的高性能。

---