什么是氮化镓充电器

氮化镓充电器是新的充电科技设备，功率更大，体积更小。

氮化镓的化学名称是GaN，氮化镓充电器是一种新的充电科技设备。采用氮化镓做材料的充电器，可以拥有更大功率更小体积。氮化镓充电器能使同等功率下体积更小，同等体积下功率更大。

氮化镓充电器相比硅基半导体的优势

氮化镓充电器等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。

氮化镓是一种可以代替硅、锗的新型半导体材料，由它制成的氮化镓开关管开关频率大幅度提高，损耗却更小。这样充电器就能够使用体积更小的变压器和其他电感元件，从而有效提高效率。

氮化镓相比传统硅基半导体，有着比硅基半导体出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。

普通充电器的核心制造原料是硅。技术和材料之间的关系就像巧妇难为无米之炊。是的，技术进步了，但受限于硅的性能，普通充电器不会有太大的发展了。

氮化镓（GaN）为便携式产品提供更小、更轻、更高效的台式AC-DC电源。氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料。当在电源中使用时，GaN比传统的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更轻的重量。传统硅晶体管的损耗有两类，传导损耗和开关损耗。功率晶体管是开关电源功率损耗的主要原因。为了阻止这些损耗，GaN晶体管（取代旧的硅技术）的发展一直受到电力电子行业的关注。

氮化镓在关键领域比硅显示出显著的优势，这使得电源制造商能够显著提高效率。当电流流过晶体管时，开关损耗发生在开关状态的转换过程中。在给定的击穿电压下，GaN提供比硅更小的电阻和随后的开关和传导损耗，因此GaN适配器可以达到95%的效率。

由于GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度，因此，电源的整体尺寸可能显著减小，可以减少对热管理组件的需求，如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件，以及增加的开关频率，使得电源不仅更轻，而且更紧凑。

1、材质不一样

传统的普通充电器，的基础材料是硅，硅也是电子行业内非常重要的材料。但随着硅的极限逐步逼近，加之随着快充功率的增大，快充头体积也就更大，携带起来非常不方便；一些大功率充电器长时间充电还容易引起充电头发热；因此，寻找新型的代替材料就更加迫切。

氮化镓相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅，有效降低内部变压器等原件体积，同时优秀的散热性能也使内部原件排布可以更加精密，最终完美解决了充电速率和便携性的矛盾。

2、发展不同

硅的开发也到了一定的瓶颈，许多厂商开始努力寻找更合适的替代品。氮化镓是以后要寻找的代替材料。

扩展资料：

氮化镓性质与稳定性

如果遵照规格使用和储存则不会分解。避免接触氧化物，热，水分/潮湿。

GaN在1050℃开始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射线衍射已经指出GaN晶体属纤维锌矿晶格类型的六方晶系。

在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发，证明GaN在较高的温度下是稳定的，在1130℃时它的蒸气压比从焓和熵计算得到的数值低，这是由于有多聚体分子(GaN)x的存在。

GaN不被冷水或热水，稀的或浓的盐酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的浓碱中也是稳定的，但在加热的情况下能溶于碱中。

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