有些地区国家也叫它“光阻”哦
光刻胶，resist 都是它
光刻胶通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)进行曝光。根据使用的不同波长的曝光光源，如KrF（248nm），ArF（193nm）和EUV（13.5nm），相应的光刻胶组分也会有一定的变化。如248nm光刻胶常用聚对羟基苯乙烯及其衍生物为光刻胶主体材料，193nm光刻胶为聚酯环族丙烯酸酯及其共聚物，EUV光刻胶常用聚酯衍生物和分子玻璃单组分材料等为主体材料。除主体材料外，光刻胶一般还会添加光刻胶溶剂，光致产酸剂，交联剂或其他添加剂等。
正负胶的定义
光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种－正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。
正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部分不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。
负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。
被经产省列为出口管制的对象为使用于OLED面板制造的氟化聚醯亚胺 ( PI、Polyimide)以及半导体制造过程所不可或缺的光阻剂 (resist)和蚀刻气体(氟化氢)等3项半导体关键材料。目前上述3项产品要出口至南韩时，企业可以一次性向日本 政府 申请多项产品的出口许可，不过自7月4日起上述3项产品输韩时、将不再适用该优惠制度，将改成每件契约(每项产品)皆须进行审查/许可，如此一来，出口许可的申请、审查时间恐费时约90天。
共同通信2日报导，日本 政府 正进行评估、有意扩大对南韩的出口管制措施，计划将列为管制的品项数量自现行的3项进行扩大，而可转用于军事用途的电子零件、相关材料可能将成为追加的对象。
报导指出，因关于二战强制征工问题、南韩端迟迟未针对日本 政府 的要求做出具体回应，因此日本 政府 计划藉由采取更为强硬的措施、迫使南韩当局有所表示。只不过若真扩大出口管制的话、势将引起南韩端的强大反d，恐让双方关系进一步恶化，因此日本 政府 内部也有应「谨慎应对」的声音。
关于二战时的强制征工问题，日本 政府 要求南韩 政府 应基于1965年日韩建交时签订的「日韩请求权协定」设置仲裁委员会，只不过南韩 政府 迄今仍未就解决上述问题一事做出任何具体回应。
韩媒朝鲜日报日文版2日报导，在材料产业上、日本是全球最强国，日本于上述3项半导体关键材料的全球市占率达70-90%，而管制出口，势将冲击南韩的半导体、面板产业。2019年1-5月期间，三星电子、SK 海力士 (SK Hynix )等韩企从海外进口的半导体材料中、日本制材料比重达43.9%(蚀刻气体)～93.7%(氟化聚醯亚胺)，其中日本制氟化聚醯亚胺品质超优，是生产三星新机种「Galaxy Fold」搭载的可折叠式OLED面板所不可或缺的材料。
报导指出，若因日本祭出的出口管制、导致韩企无法取得上述3项半导体关键材料的话，三星等南韩半导体大厂能够坚持的时间仅有3-4个月。据报导，三星、SK Hynix等半导体厂目前已确保的3项材料库存量仅约1个月左右，若包含3个月份的DRAM等完成品库存，韩半导体厂能坚持的时间为3-4个月。
全球DRAM、NAND芯片又会加价了吗?!
在日韩的这种纠纷下，影响最大的应该就是存储芯片了。NAND Flash 及DRAM 市场真系「一波未平一波又起」，在上月15 日全球第二大储存记忆体制造商Toshiba 发生的停电事故仍未解决，在7 月1 日日本 政府 突然宣布将对韩国执行经济制裁，限制日本半导体材料、OLED 显示面板材料出口韩国，并于7 月4 日起正式施行，是次日本执行的经济制裁对于Samsung、SK-Hynix 两大韩国半导体厂商在NAND Flash 及DRAM 生产不免会受到影响。
日本限制出口韩国的材料主要有三大品类，分别是电视和手机OLED 面板上使用的Fluorine Polyimide 氟聚酰亚胺、半导体制造中使用的Resist 光刻胶及Eatching Gas 高纯度氟化氢。据了解，日本当前基本上已垄断全球的氟聚酰亚胺、氟化氢材料市场，分别占全球份额的90%、70% 之多。
除了Samsung 及LG 制作电视、智能手机的材料会受影响之外，Resist 光刻胶及Eatching Gas 高纯度氟化氢更会在半导体制造中大量使用，光阻层材料基本上是用于集成电路和芯片制造，这种材料是用来将电路的构造转移到半导体基底。
半导体和显示面板正正是韩国的两大高 科技 支柱产业，日本对韩国执行经济制裁无疑对韩国的经济造成重创，首当其冲的将会是Samsung、LG、 SK-Hynix 等巨头，至于Apple、Google、 SONY、华为、OPPO、vivo 等等相关客户亦将会遭受影响。
据《日本经济新闻》介绍，韩国企业在储存半导体方面具备很强的优势，在DRAM 领域拥有全球7 成的市场份额，NAND Flash 则拥有5 成的份额，DRAM 及NAND Flash 产品都会搭载到智能手机、电视、个人电脑等电子设备上。
不过在双方解决问题之前，韩国公司面临的问题就是如果没有日本厂商的半导体材料，生产可能就会受到影响，目前消息称SK-Hynix 表态其库存不足三个月，未来如果无法获得充足的材料供应将会停产，Samsung 则表示目前尚未发表报告，正在评估影响。
若果韩国半导体出货延迟的话，预期全球的DRAM 及NAND Flash 市场又会受到冲击了。
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一般情况下，ND<NC或NA <NV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费米能级位于价带之中或与价带重合。
选取EF = EC为简并化条件，得到简并时最小施主杂质浓度：
选取EF = Ev为简并化条件，得到简并时最小受主杂质浓度：
半导体发生简并时：
（1）ND ≥ NC；NA ≥ NV；
（2）ΔED越小，简并所需杂质浓度越小。
（3）简并时施主或受主没有充分电离。
（4）发生杂质带导电，杂质电离能减小，禁带宽度变窄。
扩展资料
半导体芯片的制造过程可以分为沙子原料（石英）、硅锭、晶圆、光刻，蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。
1、沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25%的硅元素，以二氧化硅（SiO2）的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。
2、硅熔炼：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅（EGS），平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭。
3、单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999%。
4、硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆（Wafer）。
5、晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。
6、光刻胶（Photo Resist）：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
7、光刻：光刻胶层随后透过掩模（Mask）被曝光在紫外线（UV）之下，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。
8、溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。
9、蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。
10、清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
再次光刻胶：再次浇上光刻胶（蓝色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
11、离子注入（Ion Implantation）：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。
12、清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域（绿色部分）也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。
13、晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材（品红色）上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。
14、电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极（阳极）走向负极（阴极）。
15、铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。
16、抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。
17、金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。
18、晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
19、晶圆切片（Slicing）：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是芯片的内核（Die）。
20、丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步
21、封装
参考资料来源：百度百科-半导体
参考资料来源：百度百科-简并半导体
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