砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推

（1）A．砷和镓的价层电子都为ns2np3电子，最后填充电子均为p电子，位于周期表p区，故A正确；

B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B错误；

C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；

D．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故D正确；

故答案为：ACD；

（2）A．CH4中碳原子含有4个σ键且不含孤电子对，所以采用sp3杂化，故不选；

B．CH2=CH2中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp2杂化，故选；

C．CH≡CH中碳原子含有2个σ键且不含孤电子对，所以采用sp杂化，故不选；      

D．HCHO 中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp2杂化，故选；     

E．中碳原子含有3个σ键且不含孤电子对，所以采用sp2杂化，故选；

故答案为：BDE；

（3）Ga的原子序数为31，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1，

故答案为：1s22s22p63s23p63d104s24p1；

（4）反应为（CH3）3Ga和AsH3，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH4，反应的化学方程式为（CH3）3Ga+AsH3

700℃

GaAs+3CH4，

故答案为：（CH3）3Ga+AsH3

700℃

GaAs+3CH4；

（5）由图可知，As与Ga以正四面体为结构单元形成空间网状结构，与金刚石相似，则为原子晶体，

故答案为：原子晶体；As与Ga以正四面体为结构单元形成空间网状结构．

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ACD

本题考查的是传感器方面的知识和闭合电路欧姆定律结合。当照射光强度增大时，其电阻减小，并联电阻减小，所以并联电路两端电压减小，R 2 不变，所以通过其的电流减小，B错误；电路总电阻减小，电路中的干路电流变大，所以R 1 两端的电压变大，即电压表示数变大，A正确；电路中的干路电流变大，内电路损耗变大，所以外电路路端电压降低，D正确；因为电路中的干路电流变大，通过R 2 的电流减小，所以通过R 1 的电流变大，所以小灯泡L的功率增大，C正确。

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