半导体二极管伏安特性曲线

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。该曲线是非线性的，如图1-13所示。正向特性和反向特性的特点如下。

                     

    1．正向特性

    当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89LPC954FBD这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场，内电场阻挡了多数载流子的扩散运动，此时二极管呈现高电阻值，基本上还是处于截止的状态。如图1 - 13所示，正向电压超过二极管开启电压Uon（又称为死区电压）时，电流增长较快，二极管处于导通状态。开启电压与二极管的材料和工作温度有关，通常硅管的开启电压为Uon=0.5V(A点)，锗管为Uon=0.1 V(A'点)。二极管导通后，二极管两端的导通压降很低，硅管为0. 6～0.7 V，锗管为0.2～0.3 V如图1-13中B、B'点。

    2．反向特性

    在分析PN结加上反向电压时，已知少数载流子的漂移运动形成反向电流。因少数载子数量少，且在一定温度下数量基本维持不变，因此，厦向电压在一定范围内增大时，反向电流极微小且基本保持不变，等于反向饱和电流Is。

    当反向电压增大到UBR时，外电场能把原子核外层的电子强制拉出来，使半导体内载流子的数目急剧增加，反向电流突然增大，二极管呈现反向击穿的现象如图1-13中D、D'点。二极管被反向击穿后，就失去了单向导电性。二极管反向击穿又分为电击穿和热击穿，利用电击穿可制成稳压管，而热击穿将引起电路故障，使用时一定要注意避免二极管发生反向热击穿的现象。

    二极管的特性对温度很敏感。实验表明，当温度升高时，二极管的正向特性曲线将向纵轴移动，开启电压及导通压降都有所减小，反向饱和电流将增大，反向击穿电压也将减小。

肖特基二极管是利用金属半导体接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。作为低压，高频整流器或者整流桥，极性保护二极管，适用于紧凑型，小型的系统。典型应用于AC-DC和DC-DC转换器，电池极性保护，多种电压“ORing”和其他小尺寸系统的应用。

SBR经常用作低压，高频整流器或者整流桥，极性保护二极管。

1.极低正向压降

2.因极低正向电压实现高效率

3.高连续电流功能

4.可节省空间的小型和超小型表面贴装封装

5.高峰值电流功能

6.卓越的尺寸/性能比，以及更长的电池使用时间

7.低功耗和低发热

8.结合低反向电流的高速开关

1.中小功率整流

2.低功耗应用

3.电源管理电路，尤其是DC转DC转换

4.用于继电器和电机的电感负载的续流二极管

5.反向极性保护

V RRM、V RMS、V DC、I F(AV)、I R、R θJL、R θJA、T J ,T STR、I FSM、VF。

按电流分为：1A,2A,3A,5A等；

按封装类型有：SMA、SMB、SMC、SOT23等。

SMA(1A)： SS12、SS13、SS14、SS15、SS16、SS18、SS19、SS110、SS115、SS120。

SMA/SMB (2A)： SS22、SS23、SS24、SS25、SS26、SS28、SS29、SS210、SS215、SS220。

SMA/SMB(3A)：  SS32、SS33、SS34、SS35、SS36、SS38、SS39、SS310、SS315、SS320。

SMC(3A)： SK32、SK33、SK34、SK35、SK36、SK38、SK39、SK310、SK315、SK320。

SMC(5A)：SK52、SK53、SK54、SK55、SK56、SK58、SK59、SK510、SK515、SK520。

SOT23：  BTA54、BAT54A、BAT54C、BAT54S。

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