哪些是宽禁带半导体器件

碳化硅(SIC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料

SiC电力电子器件主要包括功率整流器(SBD、PiN和JBS等)、单极型功率晶体管(MOSFET、JFET和SIT等)和双极犁载流子功率晶体管(BJT、IGBT和GTO等)。

SiC微波功率晶体管包括SiC MESFET、SiC BJT和SiC SIT等

GaN功率整流器主要包括SBD和PiN二极管

基于GaN的功率开关器件主要包括A1GaN／GaN HEMT(HFET)、GaN MOSFET和MIS—HEMT等结构。

简单地说，可以认为不同材料导电性随温度的变化特性不同。有的材料随温度升高，其导电性提高得很快，使晶体管在关闭状态还有很大的电流，从而让集成电路无法正常工作。

本质上，这是由不同半导体材料的禁带宽度决定的，禁带宽度越窄，价带的电子就越容易受热激发到导电形成载流子。这也是为什么功率半导体器件要用宽禁带材料的原因。

---