n型半导体掺杂施主杂质浓度从左到右均匀减小时的能带图

Ef本身和温度有关，看图是热平衡状态下，书上有Ef关于T的图，只有在低温弱电离区Ef会有向上再向下的变化，其余情况都是与T成反比，至于你说的n0增大看Ef是离导带近前提是T不变，T增大，导带底有效状态密度增大，可以从供求关系来理解，打字不易，希望有益

半导体的设计初衷就是要在常温下产生一定的导电性。选择合适的掺杂原子，比如n型用As或者P，外层电子所处能级较高的原子，能级在导电带下方，常温下能激发部分电子进入导带。如果位置太下常温下电子很难进入导带，就失去了半导体的意义。

---