有哪位高手请帮忙指导一下，什么是直接迁移型半导体和间接迁移型半导体啊！

这个问题是半导体物理中的重要问题，而且也与光电器件有关。

直接迁移型半导体即直接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶都在Brillouin区中的同一点（即波矢相同）。半导体价带顶的电子获得足够的能量之后，可直接跃迁到导带底，并产生电子-空穴对；相反，导电电子与价带空穴复合时，即可把能量完全以光的形式释放出来。发光器件需要采用这种半导体。GaAs即属于这种半导体。

间接迁移型半导体即间接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶不在Brillouin区中的同一点（即波矢不相同）。价带顶的电子获得足够的能量之后，还需要有其它粒子（如声子）的帮助，才能跃迁到导带底；同时，导电电子与价带空穴复合时，大部分能量都将以热能的形式释放给晶格，故不能发光。这种半导体不能制造发光器件，但是可用来制作光检测器件——光电二极管。Si、Ge即属于这种半导体。

一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。这种情况下，间接带隙半导体对光的吸收取决于初始能级的电子密度，终止能级的电子密度以及可利用的声子数量。因此一般情况下间接带隙半导体对光的吸收系数小于直接带隙。吸收同样的光子数量需要更厚的厚度。

一、直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。

二、间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

三、间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。

扩展资料：

一、半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。

二、常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。

三、 半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。

四、半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

五、并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。

参考资料：

能带结构---百度百科

---