半导体上电速度

半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.

而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s）；

半导体中的载流子一般包括自由电子和空穴两种.

所以,半导体中通过电流的大小不是仅仅由载流子的数目来决定,也不是仅仅由载流子的速度来决定.

半导体中，温度越高，载流子平均热运动速度越大，散射机率越小。晶格散射随温度增强主要由于晶格本身的热震动随着温度的上升而变大（类似于温度高了，晶格热震动强了，导致其与载流子的碰撞截面增大）。或者说随着温度的升高，晶体里声子变多，载流子与声子的散射率越来越高。

由爱因斯坦方程 D/u = KT/q D 载流子（电子或空穴）扩散系数,u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数. 由于扩散系数的不同,就是说在相同温度下电子与空穴的迁移率不同.其速度为迁移率和电势能的乘积,所以速度不同. PS 至于扩散系数,是由平均自由城和平均自由时间等搞出~空穴的D一般比电子的D小~~

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