目前晶体管图示仪都有哪些牌子?

比如韩国的思达特，美国的STI，泰克，ITC，IST，吉时利，安捷伦，福禄克，日本的岩崎，TESEC，CATE，JUNO友能，国产的西安易恩电气ENJ2005-C。这是我查的一些关于ENJ2005-C的具体资料：

西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。

测试范围 / 测试参数

01

二极管

DIODE

IR；BVR ；VF

02

晶体管

（NPN型/PNP型）

ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；

BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF

03

J型场效应管

J-FET

IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；

IDSS；GFS；VGSOFF

04

MOS场效应管

MOS-FET

IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；

VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS

05

双向可控硅

TRIAC

VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-

06

可控硅

SCR

IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；

IGT；VGT；IL；IH

07

绝缘栅双极大功率晶体管

IGBT

ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；

VGEON；VF；GFS

08

硅触发可控硅

STS

IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；

VPK-；VGSW+；VGSW-

09

达林顿阵列

DARLINTON

ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；

BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；

VCESAT； VBESAT；VBEON

10

光电耦合

OPTO-COUPLER

ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；

CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)

11

继电器

RELAY

RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME

12

稳压、齐纳二极管

ZENER

IR；BVZ；VF；ZZ

13

三端稳压器

REGULATOR

Vout；Iin；

14

光电开关

OPTO-SWITCH

ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF

15

光电逻辑

OPTO-LOGIC

IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF

16

金属氧化物压变电阻

MOV

ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；

17

固态过压保护器

SSOVP

ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、

IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-

18

压变电阻

VARISTOR

ID+； ID-；VC+ ；VC-

19

双向触发二极管

DIAC

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

BM1430转移特性曲线,在场效应管漏源电压保持不变的情况下,从图8-4中可以得出以下结论:栅源电压UGs=0时,漏极电流D=Dss。栅源电压UGs向负值方向变化时,漏极电流ID逐渐减小。栅源电压UGs=UP时,漏极电流JD=0。rDss称为饱和漏极电流,UP称为夹断电压。输出特性曲线 输出特性曲线是表示在栅源电压一定条件下,漏极电流与漏源电压之间的关系,如图8-5所示。电阻区、放大击穿区、截止区。由场效应管组成的放大电路中,场效应管必须工作在放大区,即必须采用合适的直流电流将其工作点(UDs,rD)设置于输出特性曲线的放大区或恒流区,且保持稳定。与三极管放大电路相类似,场效应管放大电路有共源、共漏、共栅二种接法。绝缘栅型场效应管,绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效应管,简称MOS管。绝缘栅场效应管也有N沟道型及P沟道型两种结构形式。无论是N沟道型或P沟道型,都有增强型和耗尽型两种。N沟道增强型绝缘栅场效应管 以P型硅片作为衬底.其间扩散两个高掺杂的N・区并引出两个电极,作为源极S和漏级D。制作场效应管时先在半导体上制作Sio2绝缘层,之后在Sio2上制作一层金属铝,引出电极作为栅极G,此时的P型半导体称为衬底B。N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图8-6所示,N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号,场效应管可看作一个受栅源电压控制的,可当yDs增剧增,出现电击穿。如果对此不加限制,将损坏场效应管。不允许场效应管工作在这个区域,rD-IV恒流区场效应管,在恒流区具有线性放大作用,-2V截止区-41栅极P衬底.缘栅型场效应管的特点是输入电阻高,噪声小。在通常情况下.源极一般都是与衬底相连.即Us=0。为保证N沟道增强型MOs管正常工作,应达到如下条件。UGs=0时,漏源之间是相当于两只背靠背的PN结,不论UDs极性.两个PN结中总有一个PN结反偏,即不存在寻电沟道。LIGs必须大于0(UGs>0),场效应管才能工作。漏极对源极的电压UDs必须为正值(UDs)0)。在漏极电压作用下,源区电子沿导电沟道行进到漏区,产生自漏极流向源极的电流。N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理，当UGs=0,在漏、源极之问加正向电压UDs时.漏源极之P衬底MoSFET是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理．BM1430转移特性曲线,在场效应管漏源电压保持不变的情况下,从图8-4中可以得出以下结论:栅源电压UGs=0时,漏极电流D=Dss。栅源电压UGs向负值方向变化时,漏极电流ID逐渐减小。栅源电压UGs=UP时,漏极电流JD=0。rDss称为饱和漏极电流,UP称为夹断电压。输出特性曲线 输出特性曲线是表示在栅源电压一定条件下,漏极电流与漏源电压之间的关系,如图8-5所示。电阻区、放大击穿区、截止区。由场效应管组成的放大电路中,场效应管必须工作在放大区,即必须采用合适的直流电流将其工作点(UDs,rD)设置于输出特性曲线的放大区或恒流区,且保持稳定。与三极管放大电路相类似,场效应管放大电路有共源、共漏、共栅二种接法。绝缘栅型场效应管,绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效应管,简称MOS管。绝缘栅场效应管也有N沟道型及P沟道型两种结构形式。无论是N沟道型或P沟道型,都有增强型和耗尽型两种。N沟道增强型绝缘栅场效应管 以P型硅片作为衬底.其间扩散两个高掺杂的N・区并引出两个电极,作为源极S和漏级D。制作场效应管时先在半导体上制作Sio2绝缘层,之后在Sio2上制作一层金属铝,引出电极作为栅极G,此时的P型半导体称为衬底B。N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图8-6所示,N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号,场效应管可看作一个受栅源电压控制的,可当yDs增剧增,出现电击穿。如果对此不加限制,将损坏场效应管。不允许场效应管工作在这个区域,rD-IV恒流区场效应管,在恒流区具有线性放大作用,-2V截止区-41栅极P衬底.

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