世界最大半导体工厂韩国三星电子投产，建筑面积达16个足球场

中韩通讯社 韩国金禅子

三星电子8月30日表示，建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。

三星电子表示，“以量产D-RAM产品为起点，平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线，成为高 科技 综合生产工厂，为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。

为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求，三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线，并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。

三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后，开始投资建造平泽2号工厂。

继平泽1号工厂之后，预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人，包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内，共将创造3万多个就业岗位。

平泽1号工厂从2015年动工，占地289万平方米，2017年6月投产。

平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示，这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度，是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。

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根据我的了解给你从商业角度解读三星将斥资740亿美元扩大韩国半导体产能投资：

具体讲，三星超越台积电，主要是芯片代工领域。在苹果iPhone6S 之前，苹果手机芯片一直都是三星代工，但是到了iPhone6S， 三星采用14纳米代工的芯片续航时间还比不上台积电16纳米芯片，苹果慢慢将其所有芯片代工转移给台积电。

目前在高端芯片代工上面，台积电已经远远超过三星。除了给苹果代工，台积电也给华为麒麟芯片，英伟达，以及比特大陆挖矿芯片代工。

巨额投资不一定能超越台积电。因为芯片代工本身就是一个高技术，高资本投资的行业。三星本身既设计芯片，也代工芯片（目前主要是三星手机芯片和高通芯片），这本来就需要高投资。台积电目前已经在芯片代工上面形成了先发优势，再加上半导体行业目前差不多已经发展到了瓶颈期，所以，想要通过加大投资超越台积电，实际上是比较难的。

硬件的很多技术发展都是依赖于实验室技术的进步以及工业技术的积累，而三星和台积电实际上是选择了不同的发展路线，所以两者的制程是有所区别的。

目前三星的7nm还没有成熟，而台积电已经发展到7nm+部分了。可以看出来的是台积电在EUV部分的应用经验远远超过了三星，而这种经验是实验室中积累不到的，如果不实际 *** 作，会遇到什么样的问题以及如何提高良品率都无法准确地判断和解决。

三星可以通过大量砸入资金来跳过7nm直接进入5nm或者3nm，但是这样制造的生产线因为缺少了一代技术的支持，无论是开发软件还是工艺稳定性的验证都比较缺失，前期的发展会相对吃力，而且现在很多厂商都会去做试生产的检验来确定工厂的产能，三星并没有获得足够多的客户的一个原因在于良品率，当初苹果也选择过三星，但是良品率让苹果的成本提高了不少，而台积电能够提供有保障的地良品率工艺，自然会争抢三星的客户。

三星需要在技术进步的同时，保证良品率提高，这样才能让客户看到优势和诚意，如果真的能够实现5nm高良品率工艺，即使价格稍微高过台积电，也会有接不完的订单的。

三星被曝3nm工厂即将开工

三星被曝3nm工厂即将开工，据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了，6、7月份动工，并及时导入设备。三星被曝3nm工厂即将开工。

三星被曝3nm工厂即将开工1

这两年的三星5nm，4nm工艺性能不行已经是事实了，高通自己也是绷不住准备将8Gen1转向台积电4nm工艺，不过三星下一代3nm工艺还是值得期待的，而且会全球首发GAA晶体管工艺取代FinFET工艺，会比台积电3nm更先进一些。

根据三星官方介绍，3nm GAA技术相比7nm工艺功耗能降低约50%，性能提高35%，不过这也是纸上谈兵，最终是骡子是马还得拉出来溜溜，而性能更强的3GAP可能要到2023年才能看到。

在今年，台积电4nm工艺相比三星4nm还是有着绝对优势，但是根据台积电官方介绍来看，台积电3nm的提升幅度并不会太大，而且依然采用FinFET技术，根据目前消息，明年苹果的A16芯片可能会因为产能依然选择台积电N4P工艺。

所以在目前的时间节点，三星4nm工艺的8Gen1机型推荐指数还是不高，都等到现在了，可以期待一下天玑9000/8100/8000这些机型的表现，此外明年的芯片功耗可能会有一个明显改善。

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三星的晶圆代工部门最近负面不断，此前有消息称部分员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺制程的良品率，以致于高通这样的VIP客户都要出走，重新使用台积电生产骁龙8处理器。

不过从技术上来说，三星现在依然是唯一能紧追台积电的晶圆代工厂，虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些，但在接下来的3nm节点三星更激进，要全球首发GAA晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。

三星之前表示，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

当然，这些还是纸面上的，三星的3nm工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，之前三星宣传2021年就量产，实际上并没有，最快也是今年，而且首发的是3GAE低功耗工艺，高性能的3GAP工艺至少要2023年了。

据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了，6、7月份动工，并及时导入设备。

按照这个进度，今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产，大规模量产也要到明年了，跟台积电的3nm工艺差不多，两家都因为种种问题延期量产3nm工艺了。

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芯片的发展越来越迅速，先进制程芯片量产的速度也是越来越快，从28纳米，就这么几年的时间，如今已经成功挺进到4纳米。这意味着什么？意味着芯片先进制程已经即将就要接触到摩尔定律的极限了。

当然，如今全球企业在芯片先进制程上依旧还在不断努力中，三星，这个国际性的全能企业，在3纳米芯片方面也传来了新进展，据说三星准备在3纳米方面采用新工艺。那么，这次三星是否真能实现3纳米的量产吗？毕竟三星叫嚷3纳米也已经有很多年了，但是连影子都没见到。

三星如今研发出这样一个更加先进的.3纳米制程工艺，那么究竟有没有希望能挽回有点要跑掉的高通呢？

三星3纳米传来新进展

根据韩国媒体报道，三星今年准备在韩国平泽市开工建设3纳米晶圆厂，目前预计可能会在6月份还7月份动工，并且还准备一并将相应的设备落实到位。在3纳米芯片的制程工艺上，三星大有破釜沉舟的样子。

我国的台积电也确实有向3纳米芯片进军，但是，目前台积电使用的可是比较传统的FinFET工艺。而三星偏不，三星这次准备用什么呢？准备使用新工艺，准备成为第一个吃螃蟹的人。这个新工艺就是GAA晶体管工艺。

这种新工艺主要就是利用新型的环绕栅极晶体管，通过相关纳米片设备和相关技术进行相关的堆叠，形成多桥通道场效应管。

当然，三星会有这样的举动也并不奇怪，毕竟就按照理论上来说，使用这种全新的GAA晶体管工艺生产出来的芯片也确实会比传统用FinFET工艺，在整体性能上会有很大的增强，具体来说。

使用GAA新工艺生产出来的芯片，功耗据说大约能降低50%，性能可以提高35%，至少还是从理论上来说，因为目前还没有人试过，三星用这种新工艺生产的芯片，确实会优于台积电的传统功能工艺。

但是，三星的3纳米新工艺芯片要想实现超越台积电传统工艺的3纳米芯片，那么，首先就要一个大变数。那就是三星在3纳米芯片方面已经喊了几年了，但是目前也仅仅看见三星动动嘴皮子，这次三星传出准备采用新工艺，准备建厂。

三星在3纳米芯片量产方面再次传来新消息，再次出现了新进展，准备建设一座使用新工艺，新技术的3纳米芯片工厂，未来，三星的3纳米芯片究竟能否成功落地，三星究竟能否成功兑现自己的承诺。

三星这个全新工艺制成的3纳米芯片，究竟能否如愿超越台积电相对应的3纳米芯片，虽然不看好，但还是拭目以待，看看三星这次会不会又是新一轮的嘴炮。

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