主存储器是什么

主存储器英文全称是Main memory，也简称为主存。它是计算机硬件的一个非常重要的部件，它的作用是存放指令和数据，并且能由中央处理器直接随机存取。

主存储器是按地址存放信息的，存取速度一般与地址无关。

主存储器一般采用半导体存储器，它和辅助存储器相比下，具有容量小、读写速度快、价格高等特点。

扩展资料：

技术指标

1、容量

在一个存储器中容纳的存储单元总数通常称为该存储器的存储容量。存储容量用字数或字节数(B)来表示，如64K字，512KB，10MB。外存中为了表示更大的存储容量，采用MB，GB，TB等单位，存储容量这一概念反映了存储空间的大小。

2、时间

存储器访问时间或读_写时间，是指从启动一次存储器 *** 作到完成该 *** 作所经历的时间。具体讲，从一次读 *** 作命令发出到该 *** 作完成，将数据读入数据缓冲寄存器为止所经历的时间，即为存储器存取时间。

3、周期

是指连续启动两次独立的存储器 *** 作(如连续两次读 *** 作)所需间隔的最小时间。通常，存储周期略大于存储时间，其时间单位为ns。

容量扩展

由于存储芯片的容量有限，主存储器往往要是由一定数量的芯片构成的位扩展：位扩展是指只在位数方面扩展（加大字长），而芯片的字数和存储器的字数。

位扩展的连接方式是将各存储芯片的地址线、片选线和读写线相应地并联起来，而将各芯片的数据线单独列出字扩展。字扩展是指仅在字数方面扩展，而位数不变。

字扩展将芯片的地址线、数据线、读写控制线并联，而片选信号来区分各个芯片字和位同时扩展：当构成一个容量较大的容器时，往往需要在字数方向和位数方向上同时扩展。

产品分类

1、RAM是构成内存的主要部分，其内容可以根据需要随时按地址读出或写入，以某种电触发器的状态存储，断电后信息无法保存，用于暂存数据，又可分为DRAM和SRAM两种。

RAM一般使用动态半导体存储器件（DRAM）。因为CPU工作的速度比RAM的读写速度快，所以CPU读写RAM时需要花费时间等待，这样就使CPU的工作速度下降。人们为了提高CPU读写程序和数据的速度，在RAM和CPU之间增加了高速缓存（Cache）部件。

2、ROM是只读存储器，出厂时其内容由厂家用掩膜技术写好，只可读出，但无法改写。信息已固化在存储器中，一般用于存放系统程序BIOS和用于微程序控制。

3、PROM是可编程ROM，只能进行一次写入 *** 作（与ROM相同），但是可以在出厂后，由用户使用特殊电子设备进行写入。

4、EPROM是可擦除的PROM，可以读出，也可以写入。但是在一次写 *** 作之前必须用紫外线照射，以擦除所有信息，然后再用EPROM编程器写入，可以写多次。

5、EEPROM是电可擦除PROM，与EPROM相似，可以读出也可写入，而且在写 *** 作之前，不需要把以前内容先擦去，能够直接对寻址的字节或块进行修改。

参考资料来源：百度百科-主储存器

半导体存储器中动态ram的特点是信息在存储介质中移动。根据查询相关公开资料得知动态RAM的特点是都靠电容存储电荷的原理来寄存信息，电容上的电荷一般只能维持1到2ms。因此即使电源不掉电，信息也会自动消失，所以必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，称为刷新，刷新是一行一行进行的。

请用简练的语言直接回答问题。

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动 [1]  。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

---