
DRAM就是动态随机存取存储器,动态随机存取存储器需要刷新是因为DRAM存储信息的特殊性。
DRAM是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的,电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充,时间一长,信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电,按需要补给栅极电容的信息电荷,此过程叫刷新。因此,DRAM需要刷新。
扩展资料:
DRAM是靠其内部电容电位来记录其逻辑值的,但是电容因各方面的技术困难无可避免的有显著的漏电现象(放电现象)而使电位下降,于是需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定,这就是刷新。动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。 有的Dram也支持每个bank刷新的命令,每次同时刷新一个bank的多个行,在一个rank刷新的时候允许bank-level 并行。
参考资料来源:百度百科-DRAM
半导体存储器中动态ram的特点是信息在存储介质中移动。根据查询相关公开资料得知动态RAM的特点是都靠电容存储电荷的原理来寄存信息,电容上的电荷一般只能维持1到2ms。因此即使电源不掉电,信息也会自动消失,所以必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态,称为刷新,刷新是一行一行进行的。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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