
n-type和p-type半导体区别为:是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。
一、是多数载流子不同
1、n-type半导体:n-type半导体的多数载流子是电子。
2、p-type半导体:p-type半导体的多数载流子是空穴。
二、高温导电效果不同
1、n-type半导体:在相同高温温度下,n-type半导体的电子更活跃,导电效果比p-type半导体的导电效果要好。
2、p-type半导体:在相同高温温度下,p-type半导体的电子更惰性,导电效果比n-type半导体的导电效果要差。
三、常温电导率不同
1、n-type半导体:在相同常温温度下,n-type半导体的电子更惰性,电导率比p-type半导体的电导率要差。
2、p-type半导体:在相同常温温度下,p-type半导体的电子更活跃,电导率比n-type半导体的电导率要好。
Al是铝,金属,但性质有些接近非金属;Ar是氩,惰性气体;
Ge是锗,金属,但性质有些接近非金属;
Ne是氖,惰性气体.
能做半导体的元素都是在元素周期表上处于金属和非金属交界的元素.惰性气体是一定不行的.因此应该是Al和Ge.
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