硅片制作的工艺流程

硅片的等级：

MG-Si → SeG-Si → SoG-Si

提炼要经过一下过程：

石英砂→冶金级硅→提炼和精炼→沉积多晶硅锭→单晶硅→硅片切割。

冶金级硅MG-Si

提炼硅的原始材料是SiO2，主要是砂成分，目前采用SiO2的结晶岩即石灰岩，在大型的电弧炉中用碳还原：SiO2+2C→Si+2CO

定期倒出炉，用氧气、氧氯混合气体提纯，然后倒入浅槽在槽中凝固，随后被捣成块状。

MG-Si提纯为SeG-Si

提炼标准方法为：西门子工。

MG-Si被转变为挥发性的化合物，接着采用分馏的方法将其冷凝被提纯。

工艺程序：用Hcl把细碎的MG-Si变成流体

使用催化剂加速反应进行：Si+3Hcl→SiHcl3+H2

MG-Si →SiHcl3 硅胶工业原材料

为提取MG-Si可加热混合气体使SiHcl3 被H2还原，硅以细晶粒的多晶硅形成沉积到电加热棒上如右：SiHcl3+H2 →Si+3Hcl

SeG-Si提纯到SoG-Si

将SeG-Si多晶硅熔融，同时加入器件所需的微量参杂剂，通常采用硼（P型参杂剂）。

在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够成熔融的硅中拉出大圆柱形的单晶硅棒。直径过125cm长度为1~2m。

手工录入，忘采纳，有追问亦可。

以TTL系列集成电路为例，从硅片到集成电路的工艺流程：从单晶硅上切割下来的硅片——磨光——抛光——氧化——光刻——埋层扩散——外延——氧化——光刻——隔离扩散——氧化——光刻——基区扩散——氧化——光刻——发射区扩散——真空镀铝——光刻——烧结（形成欧姆接触）——初测 至此前道工序就算完成了。

后部工序：划片——烧结基座——键合——中测——包封——老化——测试——打印（激光或丝印）

说明：上述工艺流程只是概要举例而已。各工序的名称，在不同厂家叫法也有不同。但是大致如此。MOS电路的工艺与上有若干不同之处。

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