
半导体熔断器没有极性之分,所以没有正、负。与普通熔断器的区别在于,熔丝或熔片是纯银材料制作的,具有短路熔断速度快的特点,所以也称为快速熔断器,可以有效地保护半导体器件。
根据使用条件确定保险丝类型。选择熔断器规格时,先选择熔断器规格,再根据熔断器规格选择熔断器规格。熔断器的保护特性应与被保护对象的过载特性相匹配。在配电系统中,各级熔断器应相互匹配,,上层熔体的额定电流是下层熔体的2-3倍。
扩展资料:
安装新熔体前,要找出熔体熔断原因,未确定熔断原因,不要拆换熔体试送;更换新熔体时,要检查熔体的额定值是否与被保护设备相匹配;
更换新熔体时,要检查熔断管内部烧伤情况,如有严重烧伤,应同时更换熔管。瓷熔管损坏时,不允许用其他材质管代替。填料式熔断器更换熔体时,要注意填充填料。
可控硅产生过电流的原因多种多样,当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等,均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。由于晶闸管的过流能力比一般电气设备低得多,因此,必须对晶闸管采取过电流保护措施。
下面安仑力电子为大家讲解闸管装置中可能采用的几种过电流保护措施:
1、交流进线串接漏抗大的整流变压器利用电抗限制短路电流,但此种方法在交流电流较大时存在交流压降。
2、电检测和过流继电器电流检测是用取样电流与设定值进行比较,当取样电流超过设定值时,比较器输出信号使移相角增大或拉逆变以减少电流。有时须停机。
3、直流快速开关对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合,可采用动作时间只有2ms的直流快速开关,它能够先于快速熔断器断开而保护了晶闸管,但价格昂贵使用不多。
4、快速熔断器与普通熔断器比较,快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过电流的元件,它具有快速熔断的特性,在流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期(20ms)。快速熔断器可接在交流侧、直流侧或与晶闸管桥臂串联,后者直接效果较好。一般说来快速熔断器额定电流值(有效值lRD)应小于被保护晶闸管的额定方均根通态电流(即有效值)ITRMS即1.57ITAV,同时要大于流过晶闸管的实际通态方均根电流(即有效值)IRMS。
(1)熔断器类型的选择
选择熔断器类型时,主要依据负载的保护特性和预期短路电流的大小。
(2)熔断器额定电压的选择
所选熔断器的额定电压应不低于线路的额定工作电压,但当熔断器用于直流电路时,应注意制造厂提供的直流电路数据或与制造厂协商,否则应降低电压使用。
(3)熔体额定电流的选择
①用于保护照明或电热设备及一般控制电路的熔断器,所选熔体的额定电流应等于或稍大于负载的额定电流。
②用于保护电动机的熔断器,应按电动机的启动电流倍数考虑,避开电动机启动电流的影响,一般选熔体额定电流为电动机额定电流的1.5~3.5倍。
(4)快速熔断器的选择
快速熔断器的选择与其接入电路的方式有关,以三相硅整流或三相晶闸管电路为例,快速熔断器接入电路的方式常见的有接入交流侧和接入整流桥臂(即与硅元件相串联)两种。
①熔体额定电流的选择。选择熔体的额定电流时应当注意,快速熔断器熔体的额定电流是以有效值表示的,而硅整流元件和晶闸管的额定电流却是用平均值表示的。
②快速熔断器额定电压的选择。快速熔断器分断电流的瞬间,最高电弧电压可达电源电压的1.5~2倍。因此,硅整流元件或晶闸管的反向峰值电压必须大于此电压值才能安全工作,即:
式中 UF——硅整流元件或晶闸管的反向峰值电压;
UN——所选快速熔断器额定电压;
K2——安全系数,其值一般为1.5~2。
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