
不同用途的diode制造工艺有区别。有很多种工艺。
备料→检查支架→清理模条→模条预热→发放支架→点胶→扩晶→固晶→固检→焊线→焊检→进入封胶站→封胶→短烤→离模→长考→前切→测试→外观→品检→后切→包装→品检→入库
IC的制备工艺相对复杂一点,但跟基本的晶体管、MOS工艺等差不多的。NPN管为例硅外延平面管的结构主要工艺流程:(1) 切,磨,抛衬底(2)外延(3)一次氧化(4)基区光刻(5)硼扩散/硼注入,退火(6)发射区光刻(7)磷扩散(磷再扩)(8)低氧(9)刻引线孔 (10)蒸铝(11)铝反刻(12)合金化 (13)CVD(14)压点光刻(15)烘焙(16)机减(17)抛光(18)蒸金(19)金合金(20)中测.欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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