1．金属导体的电阻值随着温度的升高而（ ）。 A：增大 B：减少 C：恒定 D：变弱
2．纯电感电路的感抗为（ ）。 A：L B：ωL C：1/ωL D：1/2πfL
3．在正弦交流电阻电路中，正确反映电流电压的关系式为（ ）。 A：i=U/R B：i=Um/R C：I=U/R D：I=Um/R
4．在有些情况下为了缩短晶闸管的导通时间，加大触发电流（两倍以上）这个电流称为（ ）。 A：触发电流 B：强触发电流 C：掣位电流 D：导通电流
5．三相负载接在三相电源上，若各相负载的额定电压等于电源线电压1/ ，应作（ ）连接。 A：星形 B：三角形 C：开口三角形 D：双星形
6．单相正弦交流电路中有功功率的表达式是（ ）。 A：UI B： UI C：UIcosφ D：UIsinφ
7．纯电容交流电路中电流与电压的相位关系为电流（ ）。 A：超前90° B：滞后90° C：同相 D：超前0~90°
8．两个正弦量为u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V，则有（ ）。A：u1超前u290° B：u2比u1超前90° C：不能判断相位差 D：
9．射极输出器的输出阻抗（ ），故常用在输出极。 A：较高 B：低 C：不高不低 D：很高
10．二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（ ）。 A：0.75U2 B： U2 C：0.45U2 D：0.9U2
11．三相变压器的连接组别是表示（ ）。 A：原付边线电压的相位关系 B：原付边的同名端关系 C：原付边相电压的时至中关系 D：原付边电流大小关系
12．射极输出器的电压放大倍数约等于（ ）。 A：80--100 B：1 C：<50
13．晶闸管的控制角越大，则输出电压（ ）。A：越高 B：移相位 C：越低 D：越大
14．某正弦交流电压的初相角中，φU=π/6，在t=0时，其瞬时值将（ ）。 A：小于零 B：大于零 C：等于零 D：不定
15．已知msinwt第一次达到最大值的时刻是0.005s，则第二次达到最大值时刻在（ ）。 A：0.01s B：0.025s C：0.05s D：0.075s
16．U=311sin（314t-15°）伏，则U=（ ）伏。 A：220∠-195° B：220∠1950° C：311∠-15° D：220∠-15°
17．实际电压源与实际电流源的等效互换，对内电路而言是（ ）。 A：可以等效 B：不等效 C：当电路为线性时等效 D：当电路为非线性时等效
19．任一条件具备都可以得到肯定的结论，这是（ ）逻辑。
A：与 B：或 C：或非 D：非
20．在放大电路中，为了稳定输出电流，应引入（ ）。
A：电压负反馈 B：电压正反馈 C：电流负反馈 D：电流正反馈
21．Z=A+B是（ ）逻辑。
A：与 B：与或非 C：与或非 D：或非
22．在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用（ ）放大电路。
A：共发射极 B：共基极 C：共集电极 D：共阴极
23．结论和给定条件相反的逻辑是（ ）。
A：与 B：或 C：与非 D：非
24．已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，则该三极管是（ ）型。
A：NPN B：PNP C：硅管 D：锗管
25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（ ）。
A：电流正反馈 B：电流负反馈 C：电压正反馈 D：电压负反馈
26．可控硅的正向阻断是（ ）。
A：可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压 B：可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压
C：可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压 D：可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压
27．一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流IBC=10∠-10°安，则线电流I=（ ）安。
A：17.3∠-40° B：10∠-160° C：10∠80° D：17.3∠80°
28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（ ）。
A：U2 B：U2/2 C： U2 0.45U2
29．所有条件都具备，才有肯定的结论，这是（ ）逻辑。
A：与非 B：或非 C：与 D：非
30．单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（ ）之间连续可调。
A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2
31．已知：I=-14.1sin100πtA，其电流相量I=（ ）A。
A：14.1∠0° B：14.1∠180° C：10∠0° D：10∠-180°
32．可控硅导通条件是( )。
A：阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压 B：阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压
C：阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压 D：阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压
33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于（ ）工作状态。
A：放大 B：截止 C：饱和 D：开路
34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为（ ）。
A：饱和 B：截止 C：放大 D：导通
35．已知e=311sin (314t+5°)V，其相量E=（ ）。
A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°
36．戴维南定理只适用于（ ）。
A：外部为非线性电路 B：外部为线性电路 C：内部为线性含源电路 D：内部电路为非线性含源电路
37．可控硅有（ ）PN结组成。
A：1个 B：2个 C：3个 D：4个
38．电容器的电流I=CΔUC/Δt，当UC增大时，电容器为（ ）。
A：充电过程并吸取电能转换为电场能 B：充电过程并吸取电场能转换为电能
C：放电过程并由电场能释放为电能 D：放电过程并由电能释放为电场能
39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极电位0.7V，发射极接地，则该三极管为（ ）型。
A：NPN B：PNP C：N D：P
40．已知：电流I=6+j8，电源频率为50Hz，其瞬时值表达式为I=（ ）。
A：10 sin (314t+53.1°) B：10 sin (314t+36.9°)
C：10sin (314t+53.1°) D：10sin (314t+36.9°)
41．共发射极放大器，集电极电阻RC的作用是（ ）。
A：实现电流放大 B：晶体管电流放大转变速器成电压放大 C：电流放大与电压放大 D：稳定工作点
42．三相电源Y连接，已知UB=220∠-10°伏，其UAB=（ ）伏。
二、多选题：
1．在正弦交流电路中，下列公式正确的是（ ）。
A：ic=duc/dt B：Ic=jwcU C：UC=-jwct D：XC=1/wc E：QC=UIsinφ
2．基本逻辑运算电路有三种，即为（ ）电路。
A：与非门 B：与门 C：非门 D：或非门 E：或门
3．对于三相对称交流电路，不论星形或三角形接法，下列结论正确的有（ ）。
A：P=3UmImcosφ B：S= 3UmIm C：Q= U1I1sinφ D：S= E：S=3UI
4．多级放大器极间耦合形式是（ ）。
A：二极管 B：电阻 C：阻容 D：变压器 E：直接
5．电子电路最基本的逻辑电路是（ ）。
A：与门 B：非门 C：与非 D：或门 E：异或
6．基尔霍夫定律有（ ）。
A：节点电流定律 B：回路电压定律 C：以路电流定律 D：节点电压定律
7．正弦交流电的三要素是（ ）。
A：最大值 B：初相角 C：角频率 D：串联 E：并联
8．我国规定三相电力变压器的联结组别有（ ）等。
A：Y/Δ-11 B：Y0/Δ-11 C：Y0/Y-12D：Y/Y-12 E：Y/Δ-7
9．人为提高功率因数的方法有（ ）。
A：并联适当电容器 B：电路串联适当电容器 C：并联大电抗器 D：串联大电容器 E：串联适当的电感量
10．三相负载对称是（ ）。
A：各相阻抗值相等 B：各相阻抗值差 C：各相阻抗复角相差120° D各相阻抗值复角相等 E：各相阻抗复角相差180°
11．晶闸管导通条件是（ ）。
A：阳极与阴极之间加正向电压 B：阳极与阴极之间加反向电压
C：控制极与阴极之间加正向电压 D：控制极与阴极之间加反向电压 E：阳极与控制极间加正向电压
12．正弦交流电路，下列方程哪些是正确的？（ ）
A：IL=U/XL B篣C=Xcic C：U=Ri D：X=X1+X2+X3 E：Z=Z1+Z2+Z3
13．交流电用相量表示称符号法有几种形式？（ ）
A：代数式 B：三角式 C：几何式 D：指数式 E：极坐标式
14．提高功率因数的好处有（ ）。
A：可以充分发挥电源设备容量 B：可以提高电动机的出力 C：可以减少线路功率损耗
D：可以减少电动机的启动电流 E：可以提高电机功率
15．电桥外接电源时过高过低会产生（ ）现象。
A：损坏电阻 B：降低灵敏度 C：降低精确度 D：无法调零 E：读数不准
16．关断晶闸管的方法有（ ）。
A：切断控制极电压 B：断开阳极电源 C：降低正向阳极电压 D：给阳极加反向电压 E：减少控制极电流
17．三根电源作Y连接时，线电压与相电压的（ ）倍，且线电压超前相电压（ ）。
A： B： C：60° D：30° E：90°
18．一三相对称感性负载，分别采用三角形和Y形接到同一电源上，则有以下结论：（ ）
A：负载相电压：UΔ相=3UY相 B：线电流：IΔ相=3IY C：功率：PΔ=3PY D：相电流：IIΔ相= IY E：承受的相电压相同
19．在电力系统中，采用并联补偿电容器进行无功补偿主要作用有（ ）。
A：提高功率因数 B：提高设备出力 C：降低功率损耗和电能损失 D：改善电压质量 E：改善架空线路的防雷性能
20．RLC串联的正弦交流电路中，当XL=XC时，电路发生谐振，谐振特性有（ ）。
A：电容上电压与电感上电压大小相等，方向相反 B：电路中电流最大 C：电路中阻抗最小
D：电路中无功功率为0 E：电阻上电压与外加电压大小相等，方向相反
21．单相变压器连接组的测定方法有（ ）。
A：直流法 B：电阻法 C：交流法 D：功率测量法 E：交流电流法
22．戴维南定理适用外部电路为（ ）电路。
A：线性 B：整流 C：放大 D：非线性 E：饱和
23．已知放大电路中三极管三个管脚对地电位是（1）0V，（2）0.7V，（3）6V。该三极各管脚对应的电场是（ ）。
A：（1）是基极 B：（2）是基极 C：（1）是发射极 D：（3）是集电极 E：（3）是发射极
24．三极管的极限参数主要有（ ）。
A：集电极最大允许电流ICM B：集—射极击穿电压（基极开路）UCEO C：集电极—基极反向饱和电流ICBO
D：穿透电流ICEO E：集电极最大允许耗散功率PCN
25．放大电路的三种组态是（ ）。
A：共发射极放大 B：共集电极放大 C：饱和 D：截止 E：共基极放大
26．设三相正弦交流电的ia=Imsinωt，则ib为（ ）。
A：ib=Imsin (ωt -120°) B：ib=Imsin (ωt +240°)
C：ib=Imsin (ωt -240°) D：ib=Imsin (ωt +120°) E：ib=Imsin (ωt ±0°)
27．三极管的三种工作状态是（ ）。
A：开路 B：放大 C：截止 D：短路 E：饱和
28．晶闸管的阻断作用有（ ）。
A：正向阻断 B：反向阻断 C：正向偏置 D：反向偏置 E：门极偏置
29．提高功率因数的意义有（ ）。
A：充分利用设备容量 B：提高供电质量 C：线路功率和电压损耗减小 D：节约经济开支 E：节省线路投资
30．放大电路的三种组态是（ ）。
A：低频放大器 B：共集极放大器 C：共基极放大器 D：多极放大器 E：共发射极放大器
三、判断题：
1．功率因数无是负载电路中电压U与电流I的相位之差，它越大，功率因数越小（ ）
2．TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。 （ ）
3．当三极管的发射结和集电结都处于正偏状态时，三极管一定工作在饱和区（ ）
4． 晶体三极管放大器，为了消除湿度变化的影响，一般采用固定偏置电路。（ ）
5．可控硅整流电路中，对触发脉冲有一定的能量要求，如果脉搏冲电流太小，可控硅也无法导通。 （ ）
6．两个不同频率的正弦量在相位上的差叫相位差（ ）
7．并联电容器可以提高感性负载本身的功率因数。 （ ）
8．叠加原理只能用严寒计算电压电流，不能用来计算电路的功率（ ）
9．晶闸管控制角越大电压则越高。 （ ）
10．某电气元件两端交流电压的相位超前于流过它上面的电流，则该元件为容性 负载（ ）
11．晶闸管的导通条件是晶闸管加正向电压门极加反向电压。 （ ）
12．晶闸管具有正反向阻断能力。（ ）
13．电感元件在电路中不消耗能量，它是无功负荷。（ ）
14．所谓部分电路欧姆定律，其部分电路是指不含电源的电路（ ）
15．线圈中磁通产生的感应电势与磁通成正比。（ ）
16．射极输出器不仅能作电压放大器，主要是为了增加输入阻抗，减低输出阻抗。（ ）
17．晶闸管触发电路的脉冲前沿要陡，前沿上升时间不超过100μs。 （ ）
18．单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。 （ ）
19．单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。 （ ）
20．纯电感负载功率因数为零，纯电容负载功率因数为1。
填空 1、变压器空载电流的（有功分）很小，而（无功分量）较大，所以变压器空载时，其功率因数（很低），并且（感性）的。 2、做空载器空载试验时，为了便于选择仪表和设备以及保证试验安全，一般都在(低压)侧接仪表和电源，而使(高压)侧开路。 3、铁心性能试验的主要内容是 已经替换掉了<测试(空载电流)(空载损耗)。 4、三相异步电动机的安全绕组，若采用单层绕组，则总线圈数等于(总槽数一半)，若采用双层叠绕组，则总线线圈数等(总槽数)，而每极每相含有 Z1/ （ 2Pm) 个线圈。 5、变压器在运行中，其总损耗是随负载的变化而变化的，其中(铁耗)是不变的，而(铜耗)是变化。 6、随着负载的变化，变压器的效率也在发生变化。当(可变损耗)等于(不变损耗)时，其效率将最高。 7、电焊变压器必须有较高的(电抗)，而且可以(调节) ，其外特性应是(陡降)的。 8、绝缘处理工艺主要包括（预烘 、浸漆和干燥） 三个过程。 9、异步电动机做耐压试验时，当电压升到（半值）后，应逐渐升至全值，一般不少于（10 秒），以免受冲击电压的影响，然后保持（1）分钟，再降至（半值）以下切断电源。 10 、交流控制电机可分为（伺服电机、测速发电机和自整角机）三大类。 11 、触点的电磨损是由触点间（电弧）或（电火）的高温使触点金属气化和蒸以造成的，机械磨损是由于触点接触面（撞击）造成的。 12 、交流接触器的栅片灭弧原理是由于触点上方的铁质栅片（磁阻很小），电弧上部磁通大都进入（栅片），使电弧周围空气中的磁场分布形式（上疏下密），将电弧拉入灭弧栅。电弧被栅片分割多若干短弧，使起弧电（高于），电源电压并产（阴极）效应，栅片又大量吸收电弧的（热量），所以电弧被熄灭。 13 、触点压力有（终压力） 和（初压力）之分。触点的终压力主要取决于触点的（材料）与导体的允许（温升）以及电机（稳定性），触点被压力对于交流接触器一般按终压力的（65%~90%）调整，直流接触器按终压力的（60%~80%）调整。 14 、电磁式断电器的释放电压（电流）值，取决于衔铁时的（吸上后最终间隙）其（d簧压力）。 15 、三相绕组转子异步电动机用频敏变阻器起动，起动过程是其等效电阻的变化是从（大）变（小），其电流变化是从（小）变到（大）。 16 、同步电动机的起动方法有（辅助电动机）起动法，（调频）起动法，（异步）起动法。最常用的是（异步）起动性。 17 、自耦变压器具有多个（抽头），以获得不同（变比）。笼型电动机采用自耦变压器起动，其起动电流和起动转矩均按变比的（平方）倍降低。此种方法适用容量（较大）的能正常工作并接成（ Y）形而不接（Y）-（Δ）起动的笼型电动机。 18 、绕线转子异步电动机应频敏变阻器起动。若刚起动时起动转矩过大，有机械（冲击），但起动完毕后稳定转速又过低，短接时冲击电流较大，这时可在上下铁心之间（增加）气隙。 19 、桥式起重机下放重物时，电动机产生的电磁转矩和重物力矩方向（相反），当电动机串入电阻越多时，重物下降速度（越快） 。 20 、功率表的量程包括（电流、电压和功率） 三种。 21 、为使磁电子测量机械能测量较大的电压，一般需在测量机构的线路中（串接电阻）。所测电压越大（串接电阻阻值越大）。 22 、磁电子仪表只能用来测量（直流电） ，且使用时要注意通电。如想用其测量（极性），必须配上整流器组（交流电）子仪表。 23 、常见负反馈的四种组态是（电压并联 、电压串联、电流串联和电流并联）。 24 、当加到二级管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，该反向电压值被称为（反向击穿电压），此现象被叫做（反向击穿）现象。 25 、为使晶闸管能够可靠地触发，要求触发脉冲具有一定的（幅度）和（宽度），尤其是带感性负载时，脉冲具有一定有（宽度）更为重要。 26 、从变压器的下部截门补油会使变压器底（脏物）冲入绕组内，影响变压器的（绝缘）和（散热）。 27 、判断导线接头发热的方法通常有（示温蜡片监视、用测温仪监视、色漆变化现象）。 28 、在电气设备上工作，保证安全的技术措施是（停电、验电、装设接地线、悬挂标示牌及设置临时遮栏、工作完恢复送电）。 29 、将电压互感器停电时，应先断开（有关保护自动装置）后断开（电压互感器）。 31 、零序电压在接地故障点（最大），故障点距保护安装处越近，该处的零序电压（越大）。 32 、瓦斯继电器装在变压器（油箱）和（油枕）之间的联接管道中。 33 、时间继电器的作用是（延） ，中间继电器的作用是（中转）和（放大），信号继电器的作用是（动作指示），在继电保护装置中，它们都采用（电磁）式结构。 34 、电压继电器有（过电压）和（欠电压） 两种。一般都采用（电磁）式，与电流继电器不同之处在于，电压继电器的（线圈匝数多）且（线径小）。 35 、变压器的故障可分为（内部故障和外部故障）两点。 二、选择题 1、直流电动机如要实现反转，需要对调电柜电源的极性，其励磁电源的极性（ A ）。 A、保持不变 B、同时对调 C、变与不变均可 2、在（ C ）中，由于电枢电源很小，换向较容易，同时都不设换向极。 A、串励直流电机 B、直流测速电机 C、直流同服电机 D、交磁电机扩大机 3、变压器绕组若采用交叠式放置，为了绝缘方便，一般在靠近上下磁轭的位置安放（ A ）。
问答：
一：常用单臂电桥应注意那些？
二：二级管有那些参数？参数的意义是什么？
三：什么叫电压继电器？与电磁继电器有什么 不同？
四：接触器的工作原理？画出自保线路？
五：电气控制线路中常用环节有那些？
答：半导体集成电路安装技能等级证书申报条件如下：初级(具备以下条件之一者)
(1)经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得毕(结)业证书。(2)在本职业连续见习工作2年以上。(3)本职业学徒期满。
中级(具备以下条件之一者)
(1)取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作3年以上，经本职业中级正规培训达规定标准学时数，并取得毕(结)业证书。
(2)取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上(3)连续从事本职业工作7年以上。
(4)取得经劳动保障行政部门审核认定的，以中级技能为培养目标的中等以上职业学校本职业(专业)毕业z书。
高级(具备以下条件之一者)
(1)取得本职业中级职业资格证书后，连续从事本职业工作4年以上，经本职业高级正规
培训达规定标准学时数，并取得毕(结)业证书。
(2)取得本职业中级职业资格证书后，连续从事本职业工作7年以上
(3)取得高级技工学校或经劳动保障行政部门审核认定的，以高级技能为培养目标的高等职业学校本职业(专业)证书。
(4)取得本职业中级职业资格证书的大专以上专业或相关专业毕业生，并连续从事本职业工作2年以上。
2013年硕士生入学考试自命题科目考试大纲（覆盖范围）2012-10-17 | 【大 中 小】978《量子力学》覆盖范围：包括原子物理、量子力学的概念和基本原理、波函数和波动方程、一维定态问题、力学量算符对称性及守恒定律、中心力场、粒子在电磁场中的运动、自旋、定态微扰论、量子跃迁等。
建议参考书：《量子力学》第一卷，曾瑾言，科学出版社第三版。
977《固体物理》
覆盖范围：晶体结构、晶体缺陷、晶体结合、晶体振动及热学性质、金属电子论、能带论、电导论等。
建议参考书：《固体物理》黄昆原著 韩汝琦改编，高等教育出版社。
976《半导体物理》
考试内容
一、晶格结构和结合性质
§1.1 晶体的结构
晶格的周期性、金刚石结构、闪锌矿结构和钎锌矿结构
§1.2 半导体的结合性质
共价结合和离子结合、共价四面体结构、混合键
二、半导体中的电子状态
§2.1 晶体中的能带
原子能级和固体能带、晶体中的电子状态
§2.2 晶体中电子的运动
§2.3 导电电子和空穴
§2.4 常见半导体的能带结构
§2.5 杂质和缺陷能级
施主能级和受主能级、n型半导体和p型半导体、类氢模型、深能级杂质、等电子杂质
三、电子和空穴的平衡统计分布
§3.1 费米分布函数
§3.2 载流子浓度对费米能级的依赖关系
态密度、载流子浓度
§3.3 本征载流子浓度
§3.4 非本征载流子浓度
杂质能级的占用几率、单一杂质能级情形、补偿情形
四、输运现象
§4.1 电导和霍尔效应的分析
§4.2 载流子的散射
§4.3 电导的统计理论
五、过剩载流子
§5.1 过剩载流子及其产生和复合
§5.2 过剩载流子的扩散
一维稳定扩散、爱因斯坦关系
§5.3 过剩载流子的漂移和扩散
§5.7 直接复合
§5.8 间接复合
§5.9 陷阱效应
六、pn结
§6.1 pn结及其伏安特性
§6.3 pn结的光生伏特效应
§6.4 pn结中的隧道效应
七、半导体表面层和MIS结构
§7.1 表面感生电荷层
§7.2 MIS电容
理想MIS结构的C-V特性、实际MIS结构的C-V特性、Si-SiO2系统中电荷的实验研究
八、金属半导体接触和异质结
§8.1 金属－半导体接触
§8.2 肖特基二极管的电流
越过势垒的电流、两极管理论、扩散理论、隧穿电流和欧姆接触
§8.4 异质结
§8.6 半导体超晶格
注：以上的考试大纲内容大约是参考书内容的一半，这是必须掌握的，也是考试范围。其余部分可作进一步学习的参考，但不在考试范围。
建议参考书：《半导体物理》上册，叶良修，高等教育出版社，1984年。
856《电子线路》
本考试大纲是为了便于硕士入学考生对《电子线路》课程进行复习而制定。大纲提供了参考书目，考生也可以根据自己的实际情况选择合适的参考书。
第一部分 模拟电路
考试题型：选择题，填空题，分析计算题。
建议参考书：童诗白、华成英主编，模拟电子技术基础（第三版），高等教育出版社，2001年。
总分：约75分。
一、常用半导体器件
1．了解PN结的基本特性。了解晶体管，场效应管的基本特性。熟悉扩散，飘移，耗尽层，导电沟道等基本概念。熟悉晶体管，场效应管三个工作区域的条件。
2．熟练掌握二极管的微变等效电路，理想二极管等效模型。并能进行计算。
3．掌握稳压管的伏安特性和等效电路。掌握晶体管，场效应管的结构和符号表示。
二、基本放大电路
1．掌握晶体管，场效应管各种组态的放大电路。
2．掌握其静态工作点，动态参数的计算方法并准确画出其交直流等效电路。掌握掌握晶体管，场效应管放大电路的区别。
3．掌握放大电路主要性能指标：放大倍数，输入电阻，输出电阻，最大不失真输出电压，上下限截止频率。
4．掌握图解法分析失真情况，和h参数等效电路计算放大倍数，输入输出阻抗。
5．了解各种接法的放大电路在放大倍数，输入输出阻抗，带宽等性能上的特性。
三、多级放大电路
1．掌握多级放大电路的计算。尤其熟练掌握两级放大电路的交直流等效电路，两级放大电路的各种计算。
2．掌握直接耦合差分放大电路各项性能指标的计算。
3．理解互补输出电路的特点。
4．熟握共模抑制比，差模抑制比的概念及定义，及其在具体电路中的计算。
四、集成运算放大电路
1．了解集成运放的基本概念，符号。
2．掌握镜像电流源，比例电流源，微电流源的工作原理。
五、放大电路的频率响应
1．掌握晶体管，场效应管的高频等效模型。
2．掌握上限频率，下限频率，通频带，相位补偿等基本概念。
3．掌握波特图的绘制方法
4．掌握放大电路频响的计算分析方法。
六、放大电路中的反馈
1．掌握各种反馈电路组态的判断方法。掌握在深度负反馈条件下电压放大倍数，输入，输出阻抗的计算方法。
2．正确理解负反馈放大电路放大倍数在不同反馈组态下的物理意义。
3．掌握负反馈在改善电路性能方面的作用。并根据需要在放大电路中引入合适的负反馈。
4．掌握波特图分析产生自激振荡的方法。
5．掌握放大电路稳定裕度的计算方法。
七、信号的运算和处理
1．掌握理想运放构成加、减、乘、除等简单运算电路的方法。
2．掌握利用“虚短”和“虚断”的概念分析运算电路的方法。
3．掌握节电电流法，叠加原理分析各种运算电路的方法。根据需要选择合理的电路做设计。
4．掌握有源滤波电路的组成，特点以及分析方法。
八、波形的发生和信号的处理
1．掌握锁相环的组成和工作原理。
2．掌握单限，滞回比较器的工作原理。
3．掌握三种正弦波振荡电路（RC,LC,石英晶体）的分析方法。
九、功率放大电路
1. 功率放大电路的特点
2. 常见功率放大电路
3. 消除交越失真的OCL电路
4. 熟练掌握功率放大电路性能分析
十、直流电源
1． 掌握直流电源的组成及各部分的作用
2． 单相整流滤波电路
3． 熟练掌握稳压电路的性能指标
4． 稳压管稳压电路
5． 串联型线性稳压电路
6． 开关型稳压电路
第二部分 数字电路
建议参考书：阎石主编，数字电子技术基础（第五版），高等教育出版社。
总分：约75分。
一、逻辑代数基础
掌握数制、码制的基本概念与表示方法，能够熟练地进行不同数制和编码的转换。
掌握逻辑代数的基本概念、基本运算、基本定理、基本定律和法则以及逻辑函数的标准表示形式等。
掌握各种形式的逻辑函数的相互转换方法，熟练利用逻辑代数以及卡诺图对逻辑函数进行转换与化简等；
理解逻辑函数约束的基本概念以及约束的基本表示方法，掌握具有约束项的逻辑函数化简等。
二、集成门电路基础
了解二极管、三极管的开关特性；
了解二极管、三极管分立元件门电路的结构、原理。
掌握基本TTL门电路和CMOS门电路的电路结构、工作原理以及输入输出特性。
了解其它各种不同类型的门电路的特点和应用：
TTL OC门电路、ECL门电路、三态门、传输门、漏极开路CMOS门等。
了解74系列和4000系列门电路器件特点。
理解TTL和CMOS门电路的电气特性与参数：速度、功耗、抗干扰、驱动能力和噪声容限等。掌握门电路相互驱动的正确使用条件，能够根据门电路的输入输出特性正确使用各种门电路。
三、组合逻辑电路
掌握组合逻辑电路的特点。
熟练掌握组合逻辑电路的分析方法和步骤。
熟悉常用组合逻辑电路模块的原理、结构、逻辑功能和应用：
编码器和译码器；
运算电路；
数值比较器；
多路选择器；
多路分配器。
掌握组合逻辑电路的设计方法：
基于门电路的设计。
基于常用MSI、LSI的组合逻辑电路设计。
了解组合逻辑电路中的冒险现象及其消除方法。
四、集成触发器
了解触发器的结构和工作原理。
理解常用集成触发器的逻辑符号、功能特点以及异步置位、复位功能以及现态与次态、电平触发与边沿触发等基本概念。
掌握触发器的四种基本类型及其特性方程：RS型、JK型、D型、T型，能够用特性方程、状态表、状态图、时序图表示四种基本触发器的逻辑功能。
掌握不同类型触发器的相互转换方法。
了解触发器的简单应用。
五、时序逻辑电路
了解两种时序电路模型（Milly模型与Moore模型）的异同和转换。
了解时序逻辑电路的特点、分类和功能描述等。
理解同步与异步时序电路的概念，理解电路现态与次态、自启动等等与时序电路相关的概念。
掌握同步时序电路的分析方法与一般步骤：
逻辑表达式、状态转换表、状态转换图、时序图等。
熟悉常用同步时序电路模块的结构和逻辑功能：
移位寄存器；
同步计数器。等。
掌握同步时序电路的设计方法：
基于触发器的同步时序电路设计（状态机设计）；
带有冗余状态的状态机设计；
基于触发器的同步计数器设计；
基于计数器模块的同步计数器设计；
同步时序电路设计中的自启动问题。
掌握异步时序电路的分析方法，了解异步时序电路的设计方法。
了解基本型异步时序电路中的冒险、竞争现象及其消除方法。
六、脉冲波形的产生与整形
熟悉两种最常用的整形电路—施密特触发器和单稳态触发器功能特点，掌握其参数分析方法。
了解常见形式的多谐振荡器。
掌握555定时器的工作原理及应用，用555定时器构成施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器的工作特点及其振荡周期的估算。
掌握石英晶体多谐振荡电路的构成、工作特点及其振荡频率。
七、大规模集成电路、半导体存储器及可编程逻辑
了解半导体存储器的种类和特点，ROM、RAM的结构组成、工作原理和主要应用，PLD的基本结构、分类及其特点。能根据系统的需求配置存储器。
掌握PROM、EPROM实现组合逻辑函数的原理和方法。
掌握ROM、RAM容量扩展方法。
了解可编程逻辑器件的类型以及FPGA的开发流程。
八、A/D与D/A转换
掌握 D/A和A/D的基本概念，D/A、A/D转换器的转换精度和转换速度。
了解 D/A转换器的输入和输出关系的计算， A/D转换器的主要类型、结构特点、基本工作原理和性能比较。
859《信号与系统》
本《信号与系统》考试大纲适用于中国科学院大学信号与信息处理等专业的硕士研究生入学考试。信号与系统是电子通信、控制科学与工程等许多学科专业的基础理论课程，它主要研究信号与系统理论的基本概念和基本分析方法。认识如何建立信号与系统的数学模型，通过时间域与变换域的数学分析对系统本身和系统输出信号进行求解与分析，对所得结果给以物理解释、赋予物理意义。要求考生熟练掌握《信号与系统》课程的基本概念与基本运算，并能加以灵活应用。
一、考试内容
（一）概论
1.信号的定义及其分类；
2.信号的运算；
3.系统的定义与分类；
4.线性时不变系统的定义及特征；
5.系统分析方法。
（二）连续时间系统的时域分析
1.微分方程的建立与求解；
2.零输入响应与零状态响应的定义和求解；
3.冲激响应与阶跃响应；
4.卷积的定义，性质，计算等。
（三）傅里叶变换
1.周期信号的傅里叶级数和典型周期信号频谱；
2.傅里叶变换及典型非周期信号的频谱密度函数；
3.傅里叶变换的性质与运算；
4.周期信号的傅里叶变换；
5.抽样定理；抽样信号的傅里叶变换；
6.能量信号，功率信号，相关等基本概念；以及能量谱，功率谱，维纳－欣钦公式。
（四）拉普拉斯变换
1.拉普拉斯变换及逆变换；
2.拉普拉斯变换的性质与运算；
3.线性系统拉普拉斯变换求解；
4.系统函数与冲激响应；
5.周期信号与抽样信号的拉普拉斯变换；
（五）S域分析、极点与零点
1.系统零、极点分布与其时域特征的关系；
2.自由响应与强迫响应，暂态响应与稳态响应和零、极点的关系；
3.系统零、极点分布与系统的频率响应；
4.系统稳定性的定义与判断。
（六）连续时间系统的傅里叶分析
1.周期、非周期信号激励下的系统响应；
2.无失真传输；
3.理想低通滤波器；
4.佩利－维纳准则；
5.希尔伯特变换；
6.调制与解调。
（七）离散时间系统的时域分析
1.离散时间信号的分类与运算；
2.离散时间系统的数学模型及求解；
3.单位样值响应；
4.离散卷积和的定义，性质与运算等。
（八）离散时间信号与系统的Z变换分析
1.Z变换的定义与收敛域；
2.典型序列的Z变换；逆Z变换；
3.Z变换的性质；
4.Z变换与拉普拉斯变换的关系；
5.差分方程的Z变换求解；
6.离散系统的系统函数；
7.离散系统的频率响应；
8.数字滤波器的基本原理与构成。
（九）系统的状态方程分析
1.系统状态方程的建立与求解；
2. S域流图的建立、求解与性能分析；
3. Z域流图的建立、求解与性能分析；
二、考试要求
（一）概论
1、掌握信号的基本分类方法，以及指数信号、正弦信号、复指数信号、钟形信号的定义和表示方法。
2、掌握信号的移位、反褶、尺度倍乘、微分、积分以及两信号相加或相乘，熟悉在运算过程中表达式对应的波形变化，了解运算的物理背景。
3、掌握阶跃信号与冲激信号。熟悉斜变信号与冲激偶信号。
4、掌握信号的直流与交流、奇与偶、脉冲、实部与虚部、正交函数等分解方法。
5、掌握系统的分类，连续时间系统与离散时间系统、即时系统与动态系统、集总参数与分布参数系统、线性系统与非线性系统、时变系统与时不变系统、可逆与不可逆系统的定义和物理意义，熟悉各种系统的数学模型。
6、掌握线性时不变系统的基本特性，叠加性与均匀性、时不变性，微分特性。
（二）连续时间系统的时域分析
1、熟悉微分方程式的建立与求解。
2、掌握零输入响应和零状态响应。
3、掌握冲击响应与阶跃响应。
4、熟练掌握卷积的定义、性质和计算。
（三） 傅里叶变换
1、掌握周期信号的傅里叶级数，三角函数形式和指数形式；
2、理解典型周期信号，周期矩形脉冲信号、周期三角脉冲信号、周期半波余弦信号、周期全波余弦信号频谱的特点；
3、熟练掌握傅立叶变换；
4、掌握典型非周期信号，单边指数信号、双边指数信号、矩形脉冲信号、钟形脉冲信号、升余弦脉冲信号的傅立叶变换；
5、熟练掌握冲激函数和阶跃函数的傅立叶变换；
6、掌握傅立叶变换的基本性质，对称性、线性、奇偶虚实性、尺度变换特性、时移特性、频移特性微分特性、积分特性；
7、熟练掌握卷积；
8、掌握周期信号的傅立叶变换，正弦和余弦信号、一般周期信号；
9、理解抽样信号的傅立叶变换；
10、熟练掌握抽样定理。
（四）拉普拉斯变换
1、深入理解拉普拉斯变换的定义、应用范围、物理意义及收敛；
2、掌握常用函数的拉氏变换，阶跃函数、指数函数、冲激函数；
3、熟练掌握拉氏变换的性质，线性、原函数积分、原函数微分、延时、S域平移、尺度变换、初值、终值、卷积；
4、掌握拉普拉斯逆变换；
（五）S域分析、极点与零点
1、熟练掌握用拉普拉斯变换法分析电路、S域元件模型；
2、深入理解系统函数的定义、及物理意义；
3、熟练掌握系统零、极点分布与其时域特征的关系；
4、熟练掌握自由响应与强迫响应，暂态响应与稳态响应和零、极点的关系；
5、熟练掌握系统零、极点分布与系统的频率响应的关系；
6、灵活运用二阶谐振系统的S平面分析方法；
7、深入理解系统稳定性的定义与判断。
（六）滤波、调制与抽样
1、掌握利用系统函数H(jw)求响应，理解其物理意义；
2、深入理解无失真传输的定义、特性；
3、熟练掌握理想低通滤波器的频域特性和冲激响应、阶跃响应；
4、掌握系统的物理可实现性、佩利-维纳准则；
5、掌握希尔伯特变换；
6、掌握调制与解调以及带通滤波器的运用；
7、理解从抽样信号恢复连续时间信号的原理；
8、理解脉冲编码调制、频分复用和时分复用；
（七）信号矢量空间分析
1、理解完备正交函数集、帕塞瓦尔定理；
2、掌握沃尔什函数；
3、深入理解相关；
4、了解能量谱和功率谱；
5、掌握匹配滤波器；
6、了解码分复用、码分多址通信；
（八）离散时间系统的时域分析
1、掌握离散时间信号-序列的分类与运算；
2、掌握离散时间系统的数学模型及求解；
3、深入理解单位样值响应；
4、熟练掌握离散卷积和的定义，性质与计算等。
（九）离散时间信号与系统的Z变换分析
1、深入理解Z变换的定义与收敛域；
2、掌握典型序列的Z变换；
3、理解逆Z变换；
4、掌握Z变换的性质；
5、理解Z变换与拉普拉斯变换的关系；
6、掌握差分方程的Z变换求解；
7、理解离散系统的系统函数；
8、理解离散系统的频率响应；
9、理解序列的傅立叶变换；
（十）系统的状态方程分析
1. 利用系统的状态方程求解系统的输出响应；
2. 利用S域流图分析析连续系统的性能；
3. 利用Z域流图掌握无限冲击响应数字滤波器，掌握有限冲激响应数字滤波器；
三、建议参考书目：
郑君里等，《信号与系统》，上下册，高等教育出版社，2000年5第二版。
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