晶圆的尺寸

晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高。一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术.在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。

半导体晶圆静电卡盘有多种形状、尺寸和材料可供选择。它们通常是圆形的，比晶圆尺寸稍大。常见的尺寸范围从直径50毫米到超过300毫米。

大多数卡盘具有圆形(同心)环真空设计，并且通常会夹持小管芯、部分晶片和整个晶片。例如，150毫米(6英寸)卡盘将具有真空环图案，允许夹持单个芯片、50毫米、75毫米、100毫米和150毫米晶圆。 硅集成器件和电路的物理尺寸对晶片器件的处理施加了一定的限制。

在这方面，我们将开始与探针站的讨论，这是处理硅片或die芯片的关键设备，并为晶片探测提供了机械力学设备。 我们会向读者介绍通常用于射频和微波器件表征的共面波导探针。 测量装置的另一个重要部分是校准衬底基板，它允许我们在实际测量之前校准设置。

最后，我们会向读者介绍由探针站及其所有附件组成的整个测量装置以及矢量网络分析仪(VNA)。 不熟悉的读者可能认为这些设备微不足道，但它们在表征过程中起着至关重要和独特的作用。

在测试装置和测量仪器之间，使用晶片探针和任何其他同轴传输介质提供信号传播手段。 对于线性器件的宽带频域表征，我们通常使用矢量网络分析仪(VNA)作为选择的仪器。 在一个单一的测量设置中连接所有上述部分可能显得微不足道，但只有那些熟练的专家才能真正理解所有的技术细节。 本文的目的是引导读者通过微波微波表征过程，并介绍必要的设备。

8英寸和12英寸晶圆铸造有三个主要区别：生产IC、成本和技术要求。

一、不同的集成电路生产：

单晶硅晶片是从普通硅色拉中提炼出来的最常用的半导体材料。按其直径一般分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格。最近，已经开发出12英寸或更大的规格。晶圆越大，同一晶圆上可以生产的IC电路就越多，因此12英寸集成电路比8英寸集成电路要大。

二、不同单位成本：

12英寸的单位成本低于8英寸，而且英寸越大，成本就越低。增加规格可以降低成本。

三、不同的技术要求：

规格越大，所需的技术，包括所需的材料技术和生产技术就越大。8英寸生产工艺要求和材料工艺要求均低于12英寸规格。

参考资料来源：

百度百科—晶圆

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