IGBT是什么？

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

I代表Insulated，G代表Gate，B代表Bipolar，T代表Transistor。

IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。其中I代表Insulated，G代表Gate，B代表Bipolar，T代表Transistor。IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。

IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

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