
半导体热电偶由N型半导体和P型半导体组成。N型材料有多余的电子,有负温差电势。P型材料电子不足,有正温差电势;当电子从P型穿过结点至N型时,结点的温度降低,其能量必然增加,而且增加的能量相当于结点所消耗的能量。相反,当电子从N型流至P型材料时,结点的温度就会升高。
半导体元件可以用各种不同的连接方法来满足使用者的要求。把一个P型半导体元件和一个N型半导体元件联结成一对热电偶,接上直流电源后,在接头处就会产生温差和热量的转移。
在上面的接头处,电流方向是从N至P,温度下降并且吸热,这就是冷端;而在下面的一个接头处,电流方向是从P至N,温度上升并且放热,因此是热端。
因此是半导体致冷片由许多N型和P型半导体之颗粒互相排列而成,而N/P之间以一般的导体相连接而成一完整线路,通常是铜、铝或其他金属导体,最后由两片陶瓷片像夹心饼乾一样夹起来,陶瓷片必须绝缘且导热良好。
1834年,法国物理学家帕尔帖在铜丝的两头各接一根铋丝,再将两根铋丝分别接到直流电源的正负极上,通电后,他惊奇的发现一个接头变热,另一个接头变冷;这个现象后来就被称为"帕尔帖效应"。"帕尔帖效应"的物理原理为:电荷载体在导体中运动形成电流,由于电荷载体在不同的材料中处于不同的能级,当它从高能级向低能级运动时,就会释放出多余的热量。反之,就需要从外界吸收热量(即表现为制冷)。
所以,"半导体制冷"的效果就主要取决于电荷载体运动的两种材料的能级差,即热电势差。纯金属的导电导热性能好,但制冷效率极低(不到1%)。半导体材料具有极高的热电势,可以成功的用来做小型的热电制冷器。但当时由于使用的金属材料的热电性能较差,能量转换的效率很低,热电效应没有得到实质应用。直到本世纪五十年代,苏联科学院半导体研究所约飞院士对半导体进行了大量研究,于1945年前发表了研究成果,表明碲化铋化合物固溶体有良好的致冷效果。这是最早的也是最重要的热电半导体材料,至今还是温差致冷中半导体材料的一种主要成份。约飞的理论得到实践应用后,有众多的学者进行研究到六十年代半导体致冷材料的优值系数,达到相当水平,才得到大规模的应用。80年代以后,半导体的热电制冷的性能得到大幅度的提高,进一步开发热电制冷的应用领域。
致冷三极管,致冷晶体管,英文名称refrisitor, 半导体致冷的最新应用,可以参考链接中的介绍。是最新的晶体管核心技术之一,技术也成“电子血液降温技术”。可参考 网页链接
原理是利用半导体制冷技术,在三极管的内部复合形成一个致冷结构,即在电子流出端,利用了三极管自身的一个低能级的半导体材料,比如NPN中的发射极N,经过导体后添加了一点点能级高的P材料,形成N-P结构的半导体致冷单元(中间有导体隔开,不是PN结),电子从N经过导体流到P时,由于材料能级的升高,电子必须在导体处吸入热量,随着电子的流过,吸热将会源源不断,就像人的大脑,由流过的大脑的血液为大脑降温,流过的电子也为芯片内部持续降温。有人会问吸进去的热量需要放热呀?是的,吸进去的热量需要放出来,但他的热量只会在电子势能级更低的材料处释放,这个部位只要设置在芯片外部。在芯片外部放热就不会有不良影响,反而是有益与芯片的散热。因此本技术强调只在芯片的电子流出端设置此结构。
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