SR FR HER二极管什么区别

RL 整流二极管，一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。FR，普通的快速恢复二极管，快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。HER，高效整流二极管，是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有最大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。

肖特基二极管（SCHOTTKY RECTIFIERS）

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

扩展资料：

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

触发器 VS 锁存器 ： 触发器增加了一个触发信号输入端（即时钟信号，CLK），只有当这个时钟信号到来的时候，触发器蔡按照输入的置1回、置0信号置成相应的状态并保持下去。

C1表示CLK是编号为1的一个控制信号（因为没有小圆圈，表示高电平有效， 即CLK=1时触发器输出端才受输入信号的控制 ）

1S和1R表示受C1控制的两个输入信号

·只要有一个输入信号为低电平，与非门的输出均为高电平

·该电路结构实际由G3、G4组成的输入控制电路和G1、G2组成的SR锁存器组成

目的：可以在CLK的有效电平来之前预先将触发器置成指定的状态

其中， '称为 异步置0输入端（异步复位端） ， ‘称为 异步置1输入端（异步置位端） 。

只要 ‘或 ‘置低电平，就可以立即使触发器置1或置0，不受时钟信号的控制。

· 在CLK=1的全部时间里，S和R状态的变化都可能引起输出状态的变化 。在CLK回到0以后，触发器保存的是 CLK回到0以前瞬间的状态。

所以CLK=1期间，S、R的状态的多次变化会使触发器输出的状态发生 多次翻转 ， 降低了触发器的抗干扰能力 。

目的：适应单端输入信号的需要，并且可以避免两个输入端相与为0的不定情况的出现

D触发器特点：在CLK有效电平期间，输出状态和输入状态相同。

在CMOS电路中，常利用CMOS传输门组成D触发器。

在CLK=0之后，由于反相器G1的电容存储效应，短时间内的G1输入端仍然保持 截止以前瞬间的状态，而且这时反相器 、 和 形成了形态 自锁 的闭合回路，所以Q和A'的状态被保存下来。

注：右上角的“一|”表示延迟

脉冲触发SR触发器也叫做 主从SR触发器 。CLK=1时， （主触发器）的输出状态由S和R端的输入状态决定， （从触发器）保持原来的状态不变；当CLK=0时，即下降沿到来的时候，主触发器保持原来的状态不变，从触发器被置成和 相同的状态。

其中，CLK列第二行的符号表示下降沿。

·在一个时钟周期里，输出端的状态只可能改变一次，而且发生在CLK的下降沿。

·CLK高电平期间，主触发器输出的状态可能随S和R状态的变化。

·仍然存在不定态，仍然要保证SR=0。

主从触发发器的理想状态：前言采样，后沿定局

显然目前这种主从触发器还未能满足这样的状态，因为它不是只是根据时钟信号的上升沿那一瞬间来采样的。

要达到这个目的，必须使CLK=1期间，主触发器的输出状态不发生变化

目的：为了使主从SR触发器在S=R=1时也有确定的状态，则将输出端Q和Q'反馈到输入端

分别对J、K、Q取不同的值的组合做讨论

·CLK变化一次，触发器的状态只可能改变一次。

·在CLK为高电平期间，主触发器只可能翻转一次。若在CLK=1期间输入端状态发生变化，需要找到CLK下降沿到来之前的Q状态来决定Q*。

· 存在一次变化问题 （即不能只根据下降沿到来时刻的状态来判断Q*） 这是这个主从JK触发器最大的缺点

也正是这种缺点，使得电路的抗干扰能力很弱，J、K的值在CLK=1期间不能发生变化。也因此违反了采用主从结构的初衷。所以在实际情况下这种触发器是不能使用的。

下图的黄色部分就存在CLK=1期间J、K的变化导致Q的状态也发生了一次翻转的问题。

目的 ：提高触发器的可靠性， 增强抗干扰能力，希望触发器的 次态仅取决于 CLK信号下降沿（或上升沿） 到达时刻 输入信号的状态。而在此之前和之后输入状态的变化对触发器的次态没有影响。

把5.3.2中的主从SR触发器中的SR触发器换成D锁存器，即可构成一个边沿触发器。

在实际中，常用CMOS电路来组成边沿触发器

工作原理：

当CLK=0时， 导通， 断开，所以 =D 断开， 导通，Q保持原来的状态，反馈电路接通，自锁。

当CLK=1时， 断开， 导通，主电路保持原来的状态； 导通， 断开，Q*=D，反馈电路不通。

所以这是个上升沿触发的D触发器。

工作原理：

， ，Q=1

, ，Q=0

工作原理：

当CLK=0时，G3和G4被封锁，输出高电平，触发器保持原态，Q*=Q；G6的输出未D',G5的输出为D。

当CLK由0变成1，即脉冲的上升沿到来的时候，G3和G4门开启，把原来G5和G6门的输出传到G1和G2门处，Q=D。

当CLK=1时，G3和G4开启，但输出互为取反，即必有一个为低电平。若G3，则G3输出为低电平，则G4、G5门被封锁，D数据封锁，通过①线维持Q=1，通过③线阻止Q=0；

当G4输出为0，则G6门封锁，D数据被封锁，使得Q=0，同时②线阻止Q=1,保持Q=0

所以①线为置1线；②为置0维持线和置1阻塞线；③为置0阻塞线。

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